Светодиод

 

Использование: изобретение относится к полупроводниковым источникам некогерентного излучения. Сущность изобретения: концентратор излучения выполнен в виде параболоида, задняя поверхность которого отражает излучение в направлении оси прибора, и полусферической линзы в углублении на передней поверхности, а излучающий кристалл размещен в общем для линзы и отражателя фокуса. Соотношение размеров параболоида и линзы обеспечивает концентрацию излучения в малом телесном угле. На заднюю поверхность с линзой - просветляющее покрытие. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к полупроводниковым источникам некогерентного излучения, и может быть использовано в контрольно-измерительной технике и в системах с открытыми каналами оптической связи. Цель изобретения повышение максимальной силы излучения и механической прочности светодиода. По сравнению с известным светодиодом предлагаемый за счет оптимального выбора соотношений размеров параболоида и линзы приводит к большей концентрации излучения в направлении оси прибора, т.е. повышается максимальная сила излучения. Кроме того, повышение эффективности сбора излучения достигается и тем, что здесь отсутствуют границы раздела между линзой и параболоидом и, следовательно, уменьшаются потери проходящего между линзой и параболоидом излучения. Выполнение линзы и параболоида в виде единого тела повышает и механическую прочность светодиода. Таким образом, предлагаемое техническое решение обладает существенными отличиями от известных решений. На чертеже представлено схематическое изображение варианта изготовления светодиода. На держателе 1 размещен излучающий кристалл 2. Здесь же установлен выполненный из оптически прозрачного материала параболоид 3, по оси симметрии которого выполнено отверстие 4, дно которого сформировано в виде полусферической линзы 5. Фокусы этой линзы и параболоида совмещены в месте расположения кристалла 2. Светодиод содержит электровыводы 6 для подвода электропитания. Размеры линзы, а следовательно, и диаметр отверстия выбраны такими, чтобы линза "перехватывала" лучи, распространяющиеся в направлении торца параболоида и не попадающие на боковую поверхность параболоида. Это условие означает, что апертурный угол линзы (в данном случае имеется в виду угол охвата лучей, попадающих на линзу) был не более значения м, которое получается из решения трансцендентного уравнения (1). При > м часть излучения, которая могла бы быть направлена вдоль оси прибора за счет отражения на поверхности параболоида, "перехватывается" линзой и после преломления на ее поверхности идет под некоторым углом к оси прибора. То есть, преломление на части поверхности линзы, достаточно удаленной от оси прибора, менее эффективно с отражением на поверхности сравнению с отражением на поверхности параболоида. С другой стороны, когда < м, то полный захват лучей осуществляется за счет изменения высоты Н параболоида, которая должна быть не менее r(cos + 1)cos /sin2 где r радиус посадочного места концентратора на держателе. Предлагаемый светодиод работает следующим образом. Генерируемое в кристалле при протекании прямого тока излучения прямого тока излучение выходит из кристалла в среду концентратора. Лучи 7, близкие к гомоцентрическим, преломляются поверхностью линзы и направляются практически вдоль оси прибора. Боковые лучи 8 попадают на поверхность параболоида и отражаются тоже в направлении оси прибора, тем самым осуществляется концентрация большей части излучения кристалла в направлении геометрической оси светодиода. За счет этого многократно повышается максимальная сила излучения по сравнению с обычным светодиодом. Поскольку в предлагаемой конструкции подобраны оптимальные соотношения размеров концентрации и он выполнен в виде единого тела, то достигается увеличение максимальной силы излучения и по сравнению с известным диодом-прототипом. Последний признак выполнение концентратора в виде единого тела обеспечивает высокую механическую прочность светодиода. Для повышения эффективности работы концентратора целесообразно нанесение отражающего покрытия на боковые стенки параболоида и просветляющего покрытия на поверхность линзы и торцовую поверхность параболоида. Предлагаемое техническое решение было реализовано на несколько типах светодиодов. Для изготовления диодов использовались излучающие кристаллы из GaAs(Si)- 0,93 мкм, из AlGaAs с 0,87 мкм и 0,67 мкм. Для формирования концентратора изготавливались заливочные формы из силиконовой резины. Один из вариантов техпроцесса предусматривал отдельное изготовление концентратора и его последующую приклейку на держатель с излучающим кристаллом. Другой вариант держатель с кристаллом помещается в заливочную форму, заполненную эпоксидным компаундом ОП-1П, и вся сборка выдерживается при температуре 120оС в течение 6 ч. При этом происходит полимеризация компаунда и по ее окончании получается готовый светодиод с концентратором. П р и м е р 1. Для сопоставления были взяты излучающие диоды АЛ107 обычной конструкции и изготовленные диоды АЛ 107 с концентратором, который в данном случае имел следующие размеры: H=6 мм, r=1,2 мм L (максимальный диаметр параболоида)= 7,8 мм. При обмере светотехнических параметров были получены следующие результаты при Iпр=100 мА. П р и м е р 2. Аналогичное сопротивление параметров проведено и на мощном излучающем диоде АЛ148. Размеры концентратора в данном случае были следующие: H=10 мм, r=2 мм, L=12 мм результаты измерений при Iпр=1 А в табл. 2. По результатам измерений очевидно, что использование предлагаемого технического решения позволяет существенно уменьшить угол излучения диода, т.е. сконцентрировать поток излучения в узкий пучок. При этом, как видно из таблиц, максимальная сила излучения возрастает в 5-10 раз и более. В настоящее время изготавливаются пуансоны для заливочных форм с целью изготовления излучающих диодов с углом излучения 10, 5 и 2о. Экспериментальные образцы диодов предлагаемой конструкции прошли испытания на термоциклирование и на устойчивость к механическим воздействиям. Результаты испытаний показали, что данные диоды удовлетворяют требованиям по механике и кинематике, которые предъявляются к излучающим диодам с полимерной герметизацией.

Формула изобретения

1. СВЕТОДИОД, содержащий кристалл на держателе, на котором сформирован светопроницаемый отражатель, задняя поверхность которого имеет форму купола, в частности, с параболической поверхностью, и с углублением на передней поверхности, дном которого является линза со сферической поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения максимальной силы излучения и механической прочности светодиода, фокус линзы совмещен с фокусом параболоида и кристаллом, а апертурный угол линзы не превышает угла aм, где м есть решение транцендентного уравнения tgм = sinм/[n2/n2-n1]+[1-cos(м+)] при = arcsin(n1/n2), n1, n2 показатель преломления материала линзы и среды; а высота параболоида не менее величины r(cos+1)cos/sin2, где r радиус посадочного места отражателя на держателе. 2. Светодиод по п. 1, отличающийся тем, что на боковую поверхность отражателя нанесено отражающее покрытие, а на его торцовую поверхность и поверхность линзы нанесено просветляющее покрытие.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к оптоэлектронике и квантовой электронике, в частности к тонкопленочным электролюминесцентным приборам, и может быть использовано в схемах передачи и обработки оптической информации

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в оптоэлектронике, например в качестве индикатора

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве источников ИК-излучения в волоконно-оптических системах

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к полупроводниковым приборам, преобразующим электрическую энергию в когерентное излучение

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам для генерирования , усиления, непосредственной модуляции излучения и может быть использовано при создании излучателей различных типов (лазеров, суперлюминесцентных диодов, светодиодов)

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к полупроводниковым приборам, содержащим несколько элементов, сформированных на общей подложке, а именно к светодиодным устройствам, и может найти применение в полупроводниковой промышленности при разработке и производстве светодиодных устройств, используемых в энергетике, железнодорожном транспорте, черной металлургии, химической, тяжелой и в других отраслях промышленности

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к полупроводниковым приборам, содержащим несколько элементов, сформированных на общей подложке, а именно к светодиодным устройствам, и может найти применение в полупроводниковой промышленности при разработке и производстве светодиодных устройств, используемых в энергетике и в других отраслях промышленности, а также в сигнальных осветительных устройствах на автомобильном, железнодорожном, морском и других видах транспорта

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, а именно к твердотельным источникам света

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к эффективным, мощным, сверхярким и компактным полупроводниковым диодным источникам спонтанного излучения с узкой диаграммой направленности, которые применяются в устройствах отображения информации: световых указателях, светофорных приборах, полноцветных дисплеях, экранах и проекционных бытовых телевизорах; волоконно-оптических системах связи и передачи информации; при создании медицинской аппаратуры, для накачки твердотельных и волоконных лазеров и усилителей, а также как светодиоды белого освещения взамен вакуумных ламп накаливания и электролюминесцентных ламп

Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, системах связи

Изобретение относится к способам изготовления или обработки полупроводниковых приборов

Изобретение относится к элементам полупроводниковых приборов и может быть использовано в светодиодах, лазерных диодах, биполярных транзисторах и т.д
Наверх