Патент ссср 193586

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Сооетскил

Социалистически

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 11.Х!1.1965 (№ 1042187/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 13.111.1967. Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 5Х.1967

1,л. 21b, 27/03

МПК Н Olm

УДК 621 362.1(088.8) Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Министров

СССР

КО)ЙМУХАЦNOHHOE СОЕДИНЕНИЕ ТЕРМОЭЛЕМЕНТА

Предмет изобретения

Известно коммутационное соедине»ие термоэлемента, полученное путем гальванического осаждения iUi на полупроводник. Однако при

300 -С Ni начинает диффундировать в полупровод»иковый материал, что приводит к снижению термоэлектрических характеристик последнего, поэтому. гальванический способ коммутации термоэлемегптов, работающих при

600=С, »е находил применения.

Предложен»ое коммутационное соединение термоэлемента отличается тем, что»а беТе гальваническим .путем нанесен сплав кобальт — вольфрам состава 40з/, K и 60% Со.

Это соединение обеспечивает низкое переходное сопротивле»ие в диапазоне температур от комнатной до 600"С и исключает диффузию нанесенного металла в полупроводник.

Толщина осажден»ого сплава кобальт— вольфрам составляет примерно 10 лк.

Величина удельного сопротивления коммутац»он»ого соединения, измеренная сразу после осаждения металла и после испытаний при

600 -С в течение 1000 час в среде аргона, осталась практически неизменной и лежала в пределах 1 — 3 10 ол/см.- .

Коммутационное соединение термоэлемента, получе»пое путем гальванического осаждения металлической пленки на полупроводник, от,тичающеегя тем, что, с целью снижения вели15 чины переходного сопротивления в интервале температур от комнатной до 600 С и исключения диффузии нанесенного материала в полупроводник, на теллурид германия гальваническим путем нанесен сплав кобальт — вольфрам,