Ждущий мультивибратор на транзисторах
О П И С А Н И Е l9699I
Союз Советокит
Социалистических
Реепуолик
Зависимое от авт. свидетельства М
Заявлено 21,33.1966 (№ 1057427/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 16.V.?967. Бюллетень № 1? г,л. 2?ат, 36/02
МПK H 033;
УДК 621.373.431.1:621. .383.3 (088.8) Комитет по делам изооретеиий и открытий при Совете Миииотрое
СССР
Дата спубликования описания ЗОЕЙ?.1967
Авторы изобретения
М, Е. Лейлман и 3, Л. Барьюдин
Заявитель
ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРАХ
Известны ждущие мультивибраторы на транзисторах с применением дополнительных зарядно-разрядных транзисторов для уменьшения времени восстановления схемы.
В предложенном устройстве совместно применены двухкаскадный сравнивающий усилитель н разрядный транзистор, что обеспечивает повышение стабильности длительности выходного импульса и уменьшение времени восстановления схемы. 10
Предложенное устройство отличается от известных тем, что к коллектору транзистора одного плеча мультивибргтора подключен вход двухкаскадного сравнивающего усилителя на транзисторах, выход которого подключен к общей точке соединения баз указанного транзистора мультивибратора и дополнительного разрядного транзистора противоположного типа проводимости, эмиттер которого соединен с базой транзистора второго плеча мультивибратора, а коллектор заземлен.
Предложенное устройство обеспечивает повышение стабильности длительности выходного импульса и уменьшение времени восстановления схемы. 25
На чертеже изображена принципиальная схема предложенного устройства, которое работает следующим образом. В исходном (устойчивом) состоянии транзистор 1 заперт, а транзисторы 2 и 8, базы которых через сопро- 30 тивлен:-ы 4 подключены к коллектору транзистора 1, насыщены базовыми токами, проходящими через сопротивления 4, 5. Транзистор 8 работает в инверсном включении.
Напряжение на базе транзистора 1 равно напряжению на эмиттере насыщенного транзистора 8 и близко к нулю, что обеспечивает надежное запирание транзистора 1. Напряжение на коллекторе насыщенного транзистора 2 также близко к нулю. Так как для однотипных транзисторов напряжение насыщения при работе транзистора в нормальном и инверсном вкспочении отличается незначительно, напряжение между оокладкамн времязадающего конденсатора б близко к нулю.
Сравнивающий усилитель в цепи обратной связи выполнен на транзисторах 7 и 8. В устойчивом состоянии потенциал эмиттера транзистора 7 отрицателен и равен по величине опорному напряжению, получаемому на выходе делителя на сопротивлениях 9 и 10. Потенциал базы транзистора 7, равный напряжению на коллекторе насыщенного транзистора 2, близок к нулю, благодаря чему транзистор 7 заперт.
Положительный запускающий импульс одновременно подается на базы транзисторов 2 и 8, запирая их. Отрицательное напряжение на коллекторе транзистора 2 стремится увеличитьс"".. и конденсатор б начиняет заряжаться
196091 по цепи; эм. !ттер-база транзистора 1, времязадающее сопротивление 11, термокомпенсирующий диод 12, источник питания 18. Ток заряда конденсатора б, являющийся базовым током транзистора 1, переводит транзистор в состояние насыщения, поэтому схема остается в неустойчивом состоянии и после прекращения запускающего импульса. В этом состоянии выходное напряжение приблизительно равно нулю, и транзистор 2 и 3 поддерживаются в запертом состоянии напряжением вспомогательного источника 14, подаваемым в их базы через сопротивление 1б.
По мере заряда конденсатора б уьеличивается напряжение на базе транзистора 7.
В момент равенства напряжений на базе ц эмиттере транзистора 7 эмиттерный переход
его отпирается, что приводит к появлению иазового и коллекторного токов и возникновению в результате этого положительного перепада напряжения на коллекторе 7. Этот перепад через разделительный конденсатор 1б передается на вход второго каскада усилителя, выполненного на транзисторе 8 по схеме с общим эмиттером.
Ток покоя транзистора 8 задается и стабилизируется с помощью схемы автоматического смещения (сопротивления 17 и 18 и конденсатор 19), в которой конденсатор 19 устра. няет параллельную отрицательную обратную связь по переменному напряжению. На коллекторе транзистора 8 образуется усиленный отрицательный перепад напряжения, который через разделительный конденсатор 20 поступает на базы транзистсров 2 и 8, Вызывая их насыщение. Насыщение транзистора 8 приводит к запиранию транзистора 1, напряжение на коллекторно-эмиттерном переходе его вновь увеличивается до первоначального значения, благодаря чему транзисторы 2 и 8 остаются и в дальнейшем насыщенными. После отпирания транзисторов 2 и 8 врелтязадающий конденсатор б быстро разряжается через
Зо
40 малое сопротивление транзисторов 2 и 8. По окончании разряда конденсатора б схема возвращается в исходное состояние.
Включение в цепь обратной связи сравнивающего двухкаскадного усилителя с большим коэффициентом усиления позволяет получить выходной импульс, оканчивающийся практически сразу же после отпирания транзистора
7. Ьлагодаря этому величина и стабильность коэффициента усиления насыщенного в неустойчивом состоянии транзистора 1 не оказывает влияния на длительность выходного импульса.
Температурная стабильность схемы зависит также от стабильности напряжения на базоВо-эмиттерном переходе насыщенного транзис Гора 1 и нано. !женпя отпирания транзистора
7. Поскольку оба напряжения действуют на открытых р — п-переходах, их температурные изменения имеют одинаковые знаки, чем достигается частичная теркомпенсация схемы.
Полная компенсация может быть получена
Введением В схему компенсирующего диода
12. Требуемый ток через диод задается сопротивлением 21 от вспомогательного источника 18 напряжения.
Предмет изобретения
Ждущий мультивибратор на транзисторах с применением дополнительного разрядного транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности выходного импульса и уменьшения времени Восстановления, к коллектору транзистора одного плеча мультивибратора подключен вход двухкаскадного сравнивающего усилителя на транзисторах, выход которого подключен к общей точке соединения баз указанного транзистора мультивибратора и дополнительного разрядного транзистора противоположного типа проводимости, эмиттер которого соединен с базой транзистора второго плеча мультивибратора, а коллектор его — заземлен.
Составитель С. Борисовская
Редактор Э. Н. Шибаева Техред Т. П. Курилко
Корректоры: В. В. Крылова и Л. В. Наделяева заказ 1925/l! Тираж 535 Подписное
ЦН IHHH Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, r!p. Сапч ова, 2
