Способ металлизации в вакууме диэлектрических

 

l965I4

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетоаа

Социалиотичеокиз

Реооублии

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 48Ь, 13/02

Заявлено 04Л !.1966 (№ 1081486/22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 16Х.1967. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 21 VI.1967

МПК С 23с

УДК 621.793.14(088.8) Комитет ло делам изобретеиий и открытий ори Саеете Миииотрое

СССР

Авторы изобретения

К. В. Большова и А. А. Шубин физический институт им. П. Н. Лебедева

Заявитель

СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ В ВАКУУМЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПОВЕРХНОСТЕЙ

Предмет изобретения

Известен способ металлизации в вакууме диэлектрических поверхностей, заключающийся в том, что эту поверхность предварительно подвергают ионной бомбардировке тлеющим разрядом.

Для получения покрытий высокого качества с зеркальным блеском предлагается обрабатываемую поверхность или пары металла в начальной стадии процесса металлизации облучать ультрафиолетовым светом.

Сущность способа сосгоит в том, что диэлектрическую поверхность или пары металла в начальной стадии процесса металлизации в вакууме облучают ультрафиолетовым светом.

Этим создают начальные центры конденсации паров металла.

Ультрафиолетовое освещение можно создать, например, при помощи вольфрамовой спирали, нагретой током до 2000 — 2200 С.

Облучение проводят только в течение времени, необходимого для образования следов конденсации. При продолжении облучения в процессе осаждения металла плотность плен5 ки будет меньше нормальной.

Способ может быть применен для нанесения цинка, кадмия и индия. Для получения хороших слоев индия подложку достаточно освещать ультрафиолетовым светом в течение

10 15 — 20 сек.

Спосоо металлизации в вакууме диэлектри15 ческих поверхностей, от тичающиася тем, что, с целью получения качественных покрытий с зеркальным блеском, обрабатываемую поверхность или пары металла в начальной стадии процесса облучают ультрафиолетовым светом,