Управляемый магнитный резистор

 

2ОЗЗО2

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

: и яо

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 21с, 54/04

Заявлено 18.Х1.1966 (М 1113383/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17.11968. Бюллетень № 4

МПК Н 01с

УДК 621.316.82(088.8) Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 6.III.1968

Авторы изобретения

И. С. Лискер и 1О. Л. Данилевский

Заявитель

УПРАВЛЯЕМЫЙ МАГНИТНЫЙ РЕЗИСТОР

Известный управляемый магнитный резистор, выполненный в виде плоской кольцеобразной ферромагнитной пленки с круговой анизотропией и охватывающих эту пленку возбуждающей, выходной и входной обмоток, 5 обладает относительно большой инерционностью.

В описываемом управляемом магнитном резисторе снижение инерционности достигнуто тем, что входная обмотка выполнена в ви- 10 де двух полуобмоток, соединенных между собой встречно и расположенных симметрично относительно выходной и возбуждающей обмоток, размещенных на противоположных суженных участках кольцеобразной ферромаг- 15 нитной пленки.

На чертеже схематически изображен описываемый резистор.

Плоская кольцеобразная ферритовая пленка 1 снабжена расположенными на противо- 20 положных суженных ее участках обмотками: выходной 2 и возбуждающей 8. Входной сигнал подается на встречно соединенные полуобмотки 4 и 5 входной обмотки, расположенной симметрично относительно обмоток 2 и 25

3. При определенном значении тока в обмотке

8 происходит перемагничивание пленки в области размещения этой обмотки и в ней возбуждается магнитный поток, вызванный внешним магнитным полам, и поток, обусловленный остаточной намагниченностью однодоменной пленки, расположенной в области обмотки 2. При этом в обмотке 2 сигнал реакции на изменение магнитного потока, вызванного внешним магнитным полем возбуждения, практически огсутствует. Существенное изменение магнитного потока в области выходной обмотки происходит при подаче сигнала на полуобмотки 4 и 5 и при этом изменяется величина магнитного сопротивления резистора.

Предмет изобретения

Управляемый магнитный резистор, выполненный в виде плоской кольцеобразной ферромагнитной пленки с круговой анизотропией и охватывающих зту пленку возбуждающей, выходной и входной обмоток, отличающийся тем, что, с целью уменьшения инерционности резистора, входная обмотка выполнена в апде двух полуобмоток, соединенных между собой встречно и расположенных симметрично относительно выходной и возбуждающей обмоток, размещенных на противоположных суженных участках кольцеобразной ферромагнитной пленки.

208802

Составитель Н. Давыдов

Редактор Т. Каранова Техред Л. Я. Бриккер Корректоры: Е, Ф. Полионова и В. В. Крылова

Заказ 317/7 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Управляемый магнитный резистор Управляемый магнитный резистор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным устройствам и может быть применено для измерения магнитных полей в виде дискретного датчика или в качестве чувствительного элемента в составе интегральных магнитоуправляемых схем

Изобретение относится к средствам контрольно-измерительной техники и может быть использовано в устройствах для контроля качества структуры ферромагнитных материалов и изделий по результатам взаимодействия их с магнитными полями

Изобретение относится к области измерительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам направления и величины магнитных полей и магнитных потоков

Изобретение относится к тонкопленочным структурам в устройствах микроэлектромеханических систем и к электромеханическому и оптическому откликам этих тонкопленочных структур

Изобретение относится к области спиновой электроники (спинтронике), более конкретно к устройствам, которые могут быть использованы в качестве элемента ячеек спиновой (квантовой) памяти и логических информационных систем, а также источника спин-поляризованного излучения (лазером) в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне

Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использовано в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля
Наверх