Способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе bi2sr2cacu2o8

 

Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности Bi2Sr2CaCu2O8 для использования в качестве активных элементов СВЧ- техники, работающих на основе эффекта Джозефсона. Способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе соединения Bi2Sr2CaCu2O8 включает расплавление шихты, состоящей из оксидов и карбонатов, с последующей кристаллизацией расплава и отличается тем, что кристаллизацию проводят из шихты, рассчитанной на состав Bi2Sr2CaCu2-xMnxO8, где 0,1x0,3. Кристаллы размером в плоскости (ab) 2...3 x 2...4 мм имели сразу после выращивания Tecnd 84. . .85 К и демонстрировали эффект периодических модуляций добротности резонатора в нулевом магнитном поле на частоте 10 ГГц. 1 табл.

Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в частности Bi2Sr2CaCu2O8-2212, для использования в СВЧ-технике.

Использование ВТСП-материалов в качестве активных элементов СВЧ- приборов, например усилителей, генераторов, может быть основано на когерентном взаимодействии отдельных джозефсоновских переходов. Экспериментально это взаимодействие может проявляться в виде сужения линии СВЧ-излучения при нестационарном эффекте Джозефсона, наблюдавшемся на монокристаллах 2212 очень маленького размера 30х30 мкм [1] а также в виде периодических модуляций добротности резонатора при внесении в него ВТСП образца в нулевом магнитном поле в области СВЧ-частот. Экспериментально наблюдаемое на кристаллах Bi2Sr2CaCu2O8 проявление когерентного взаимодействия отдельных Джозефсоновских переходов связывают с возможностью образования в этих кристаллах сверхструктуры [2] Известен способ получения монокристаллов Bi2Sr2CaCu2O8, включающий выращивание кристаллов спонтанной кристаллизацией, механическое извлечение кристаллов из затвердевшей массы и послеростовую термообработку [3] Для выращивания кристаллов шихта, представляющая собой смесь соединений Bi2O3, SrCO3, CaCO3 и CuO, взятых в количествах, соответствующих стехиометрии 2212, помещалась в корундовый тигель, выдерживалась при температуре 1010 - 1045oC и охлаждалась со скоростью 2 5 град/час. Кристаллы, извлеченные из затвердевшей массы, достигали размера 3х4 мм в плоскости (ab) и имели значения температуры перехода в сверхпроводящее состояние Tecnd 40 60К. При помещении извлеченных кристаллов в резонатор периодического изменения добротности резонатора на частоте 10 ГГц не наблюдалось. Это можно объяснить тем, что выросшие кристаллы оказались недостаточно совершенными, например, вследствие дефицита кислорода в решетке, что подтверждается низкими значениями Tecnd После термообработки на воздухе температура перехода кристалла в сверхпроводящее состояние возрастала и достигала температур 94 87К, однако возникающие в процессе выращивания структурные несовершенства устранить термической обработкой в достаточной степени, видимо, не удавалось, так как периодического изменения добротности резонатора в нулевом магнитном поле при внесении в него термообработанного образца по-прежнему не наблюдалось. Данный способ выбран в качестве прототипа.

Задача изобретения состоит в том, чтобы получить монокристаллы типа Bi2Sr2CaCu2O8, обладающие размерами и сверхпроводящими свойствами, близкими к прототипу ( Tecnd >80К, размеры в плоскости (ab) 2.3х2.3 мм), но при перемещении которых в резонатор наблюдалось бы периодическое изменение добротности резонатора в СВЧ-диапазоне длин волн и нулевом магнитном поле.

Задача решена путем выращивания монокристаллов Bi2Sr2CaCu2O8 как в способе [3] но из шихты, содержащей помимо карбонатов кальция, стронция и оксидов висмута и меди карбонат марганца в пересчете на соединение Bi2Sr2CaCu2-xMnxO8 при x= 0,1 0,3. Так как марганец имеет переменную валентность, то, как полагают авторы, его присутствие в исходной шихте в количестве 0,1 0,3 формульных единиц обуславливает уменьшение, по данным химического анализа, содержания ионов Cu1+ в затвердевших массах, что приводит, по-видимому, к росту более совершенных, чем в прототипе, кристаллов. Это подтверждается тем, что сразу после роста кристаллы имели Tecnd84 85К вместо 40 60К по прототипу и демонстрировали эффект периодических модуляций добротности резонатора на f=10 ГГц. Таким образом, введение в шихту MnCO3 дает еще и дополнительное преимущество перед прототипом исключается послеростовая термообработка кристаллов. Добавление в шихту MnCO3 менее 0,1 формульной единицы не приводит к достижению желаемого эффекта.

Добавление в шихту MnCO3 более 0,3 формульных единиц приводит к прекращению роста кристаллов в выбранных условиях.

Пример.

Исходные компоненты Bi2O3, SrCO3, CaCO3, CuO, MnCO3, взятые в количестве 100 г и в соотношениях, необходимых для получения соединения Bi2Sr2CaCu2-xMnxO8, где x= 0,1 0,3, помещались в корундовый высокоплотный тигель. Смесь нагревалась до температуры 1010 1045oC, выдерживалась при этой температуре 8 16 часов и охлаждалась со скоростью 2 град/час.

Результаты экспериментов сведены в таблицу.

Из таблицы видно, что предложенный состав шихты является оптимальным.

Формула изобретения

Способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе соединения Bi2Si2CaCu2O8, включающий расплавление шихты, содержащей оксид висмута и меди и карбонаты стронция и кальция, с последующей кристаллизацией расплава, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят из шихты, содержащей дополнительно карбонат марганца в пересчете на соединение Bi2Sr2CaСu2-хMnхO8, где 0,1х 0,3.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников YВа2С3О7-б из высокотемпературных растворов, включающий нагрев исходной смеси оксидов Y2О3, ВаО2 и СuО до плавления, гомогенизацию раствора-расплава, охлаждение до температуры роста и выращивание при постоянной температуре

Изобретение относится к новым высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП) и может найти применение в областях техники, использующих сверхпроводники

Изобретение относится к металлургии высокотемпературных сверхпроводников

Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов, в частности YBa2Cu3O7 - , которые могут быть использованы в электронной промышленности для изготовления приборов, работающих при температуре жидкого азота
Изобретение относится к способам получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих (СП) материалов, в частности висмут-свинец-стронций-кальциевого купрата со структурой фазы 2:2:1:2

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе метаплооксидов и может быть использовано в микроэлектронике

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидов и может быть использовано при разработке новых приборов микроэлектроники

Изобретение относится к монокристаллическому пироэлектрическому материалу, содержащему оксид сурьмы, оксид ниобия и оксид никеля в качестве основы, и может быть использовано в области пироэлектричества

Изобретение относится к созданию новых материалов, а именно к выращиванию монокристаллов, которые широко используются в науке и технике

Изобретение относится к способу получения окрашенных кристаллов берилла для использования в ювелирной промышленности

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников YВа2С3О7-б из высокотемпературных растворов, включающий нагрев исходной смеси оксидов Y2О3, ВаО2 и СuО до плавления, гомогенизацию раствора-расплава, охлаждение до температуры роста и выращивание при постоянной температуре
Изобретение относится к области химической технологии, в частности к технологии высокотемпературных сверхпроводников

Изобретение относится к новым химическим соединениям на основе купратов лантана, а именно: к купарату лантана состава LaCu1-xNixO3- где 0,15 x 0,40 0,25 0,35 Материал обладает переходом "металл-полупроводник" при 273K со скачкообразным изменением электросопротивления в 44 - 51 раз

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при изготовлении лазерных стержней из высокотемпературного сложнооксидного материала

Изобретение относится к новым высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП) и может найти применение в областях техники, использующих сверхпроводники
Наверх