Способ измерения поляризационных характеристик сегнетоэлектриков

 

ОП И САНИ Е 2183О7

ИЗОБРЕТЕ Н И Я, к ьвтовскомы свидвтвпьствю I I y:.: м! т |Ч, . О -rc. ! « мбг.кот,.

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21е, 36,10

Заявлено 20.l l l.1967 (№ 1152565/26-10) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 17Л .1968. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 2бХ111.1968

МПК G Gir

УД К 621.317.335:537.226. .8 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. Я. Фрицберг, A. Э. Круминь и Э. Э. Шитц

Ордена Трудового Красного "íàìåíè Латвийский государственный университет им. П, Стучки

Залвитсль

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИОННЪ|Х

ХАРАКТЕР ИСТИ К СЕГ H L I OÝË EKTP И КОВ

Предлагаемый способ предназначен длл исследования поляризационных характеристик сегнетоэлсктрических материалов в широком диапазоне температур и напряжений и относится к области электронной техники.

В известных способах определения поляризационных характеристик сегнетоэлектриков путем обработки гистерезисных кривых, получаемых на электроннолучевом осциллографе, синусоидальнос напряжение подают на последователтн1ом соединении испытуемого образца и эталонного конденсатора. Часть этого напряжения поступает на горизонтальные пластины, напряжение с эталонного конденсатора, пропорциональное поляризации испытуемого образца, подают на вертикальные пластины осциллографа. На экране осциллографа регистрируется зависимость поляризации Р от напряженности электрического поля Е (петля гистерезиса). После градуировки осей кривую фиксируют на фотопленку. Обработка изображения позволяет определить основныс Iioляризационные характеристики сегнетоэлек грического материала: полную поляризацию

Р>, обратимую поляризацию Рв и остаточную поляризацию Ра.

Однако эти результаты не отличаются достаточной точностью и требуют большой затраты времени.

Предлагаемый способ измерения поллризационных характеристик отличается от извссгного тем, что на испытуемый образец и эталонный конденсатор подают гармоническое

5 или импульсное напряжение с различной скважностью и измеряют размах напряжения на эталонном конденсаторе, по которому судят об измеряемой величине.

Благодаря этому повышается точность и

10 уменьшается время измерения.

На фиг. 1 приведена блок-схема установки для измерения поляризационных характеристик по предлагаемому способу, на фиг. 2

15 изображены осциллограммы напряжений на различных элементах блок-схемы.

На фиг. 1 обозначено: 1 — источник высоковольтного напряжения синусоидальной формы, 2 — схема формирования сигнала, 3

20 измерительная схема, 4 — импульсный вольтметр, 5 — самопишущее устройство, 6— схема управления режимами измереш1л.

Ь ряду А представлены осциллограммы напряжений ((1, Ь . и U„), подаваемых на изме25 рительную схему, а — синусоидальный режим, б — импульсный режим со скважностью у=1; в — импульсный режим со скважностью у=2; в ряду Б — осциллограммы напряжений на эталонном конденсаторе при соответствую30 щих режимаi измерения; в ряду  — осциллоrPaMMbl ПЕТЕЛЬ 15ICTCPCBIICB) ПОЛУЧЯСМЬ1Х Пс) известному способу.

На измерительную схему 8, состоящую нз последовательно соединенных испытуемого образца емкости С„и эталонного ко«денсатора емкости С,, подают напряжснис о«рсдслснной формы, сформированное из с!шусоидальНОГО C5ITIIBËB С ПОМОщьЮ СХЕМЫ фОрМИрОВаШ-я сигнала 2. Схема управления режимами «змсрения 6 осущсствляет автоматическое «срскл!Оченис режимов II3)tcpctI»51. Напр)!>ксннс !«а эталонном конденсаторе, пропорпиональнос поляризации испытуемого образца (прп yc;овин Со)) С„), измеряют импульсным вольтметром 4. Произведя градунровку вольтметра в значениях поляризации, мож«о измсрять зависимость поляризации от напря>кения и температуры. Сах!оп«шушее устроиство !) на выходе импульсного вольтметра позволяет записать измеряемую величину автоматически.

В режиме а на измерительную схему подают синусоидальное напряжение и изчеряют полную поляризацию образца Р,, в pe>«»)ie б подают импульсы синусоидальной формы со скважностью у=1 и измеряют обратимую поляризацию Р . Остаточную поляризацию Р; определяют граф«чески вычитан«см значсНИЙ, ЗЯПИСЯН1IЫХ i! а ЛC)1!ТC С сl)tон«CЦЯ, В РС>К ИМ С В «В «3)I COIIÒÑ 1 Ы! ) 10 СХС. )1) Г10ДсlЮТ И))1П))ЛЬСЫ Crttt) Col!Дсl/IЫIОЙ tj)OPI)tb! СС скважностью ус 2 и «змсряют сумму обратимой «рслакс«рующсй поляризации Р,. Рс.1 7KCII()) 10И1У10 п0.1ЯР5!зсапн10 Оп)РсДС,151ют ГРс! фнчсскн

Р;=-Р,— Р..

Предлагаемый способ позволяет определить нс только sat)BI

С!)Постав lctlitc «оляр«зац«онных арактернст«к. записанных «а времен«ой диаграмме, с

15 сннхрон«ыз!«диаграммами тсчпсратуры Т « на«ряжснно Tii электрического поля Е позво751 CT и с1ХОДИТЬ За ВНСН. )!ОСТИ

Р=(/Т / пр«Е=-const u

Р— 1(Е) npii T=const.

П р сдм cò «зоб рстсни я

Способ измсрс««я «оляр«зац«онных харакTcpttcTIII< ссп!етоэлск1 рнков с «спользовани25 сч последователь«о сосдине«ных «с«ытусчого

00 Р сlзпа «ЭТс! 10« tl 0! О KOII LC«CBTOP8. OT.11/с/а/О

/((////с Я 1 С)1, !ТО, С ЦСЛI)10 ПОБЫ«!СН«Я ТОЧПОСТ«

И У)IС«h«IC«ti51 В!)Сt)ICIIII 113)!CPCI«IH, Нсl ИСПЫТУСмый образец «эталон 1ый Iiott;IciicBiop подаюг

30 с1 () Ч ОН И I СС КО С 11Л Н Н 3! 5! У.7 ЬС «ОС 11 3 n P 51>li 011 «С

Р сl ЗЛ Н и Н О Й С К В сt . Æ Н ОСТЬЮ «Н 3 I C P 5110 T !с) Я 3 !)1 с! Х

«сl «!) и ж С П t t 51 «В Э Т сl Л О Н Н О М Ii«) I I;I C I I C B 10 P C ) n 0 кОIОPОЗIУ с) д51т ОО IIЗ)lсl)Яс)!ОЙ I)cли !ине.

218307

Составитель В. H. Фетина

Рс ьа тор С. И. Хейфиц

Тскрсд T. П. Курилко Корректоры: И. Л. Кириллова

Л В 1Ошина

Заказ 2362, 9 Ти ре гк 530 11одппсно"

Ц11ИИПИ Комитета по делам изобретен и н открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ измерения поляризационных характеристик сегнетоэлектриков Способ измерения поляризационных характеристик сегнетоэлектриков Способ измерения поляризационных характеристик сегнетоэлектриков 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в приборах для измерения неэлектрических физических величин посредством емкостных, индуктивных или резистивных датчиков

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в приборах для измерения неэлектрических физических величин посредством емкостных, резистивных или индуктивных датчиков

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к технике измерений макроскопических параметров сред и материалов, и, в частности, может использоваться при неразрушающем контроле параметров диэлектрических материалов, из которых выполнены законченные промышленные изделия

Изобретение относится к технике измерений с помощью электромагнитных волн СВЧ диапазона и может использоваться для дефектоскопии строительных материалов различных типов с различной степенью влажности

Изобретение относится к измерительной технике, в частности, может быть использовано для измерения диэлектрических характеристик веществ с помощью емкостного или индуктивного датчика

Изобретение относится к электронному приборостроению и может быть использовано для контроля и измерения диэлектрических параметров различных сред

Изобретение относится к измерению электрических величин, в частности емкости

Изобретение относится к способам и устройству для передачи электромагнитных сигналов в землю через конденсатор

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано при измерении тангенса угла диэлектрических потерь твердых изоляционных материалов, жидких диэлектриков, например, трансформаторного масла
Наверх