Патент ссср 219763

 

2l9763

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 32Ь, 3/04

Заявлено 09.XII.1964 (¹ 932428/29-33) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14.VI.1968. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 29Х111.1968, МПК С 03с

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 666.113.621 431 34 33 32 28 (088.8) Авторы изобретения

С. П. Обидина, 10. А. Гастев, Л. А. Залогииа, А. С. Левин и

И. Н. Кузнецова

Заявитель

СТЕКЛО

88 +. 1 ° 10т

520 С

330 С

15 104

7,0 коэффициент расширения температуру размягчения

Т. кип.=100, не ниже

tg б — 104 при f = 1 Ягц

Известны стекла, включающие SiOq, А1,0„, BaO, Na O, К20, 1;О.

Предложенное стекло для снижения температуры размягчения содержит указанные компоненты в следующих количествах в % по весу: ЯО, 61 — 65, А120з 3 — 6, ВаО 15 — 19„Na.,О

4 — 6, К20 8 — 11, L40 0,5 — 1,5.

Описываемое стекло имеет следующие физико-химические свойства: химическую стойкость 111 гидролитического класса термостойкость 120С С.

Описываемое стекло можно использовать для изготовления приемно-уcèëèòåëьных ламп.

Предмет изобретения

Стекло, включающее ЫО... А1. О,, BaG, 10 Na.,O, К20, 140, отличаюш,ееся тем, что, с целью снижения температуры размягчения, оно содержит указанные компоненты в следующих количествах в % по весу: 540 61 — 65, А120з 3 — 6, ВаО 15 — 19, Na O 4 — б, К.О 8 — 11, 1s 1.40 0,5 — 1,5.

Патент ссср 219763 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к составам бессвинцовых электровакуумных стекол и может быть использовано при производстве электроизолирующего стекла для деталей и узлов электровакуумных приборов
Изобретение относится к составам термостойких желтых стекол для изделий аэродромной техники
Стекло // 2424989
Изобретение относится к области технологии силикатов и касается производства стекла, которое может быть использовано для изготовления облицовочной плитки

Изобретение относится к составам некристаллизующихся стекол, предназначенных для диэлектрической изоляции активных элементов кремниевых интегральных схем и создания структур кремний-на-изоляторе (КНИ) и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ)
Наверх