Датчик углового и линейного положения

 

Использование: в микромеханической гироскопической технике. Для повышения чувствительности, крутизны, помехозащищенности при миниатюризации исполнения датчик (механистор) выполнен на полевом транзисторе с подвижным затвором. Затвор полевого транзистора расположен на одном из элементов конструкции прибора, а исток, канал и сток - на другом элементе, подвижном относительно первого. Приведены различные варианты конструктивного выполнения датчика. 13 з.п. ф-лы. 5 ил.

Изобретение относится преимущественно к области микромеханических гироскопических приборов (датчиков угловой скорости и акселерометров), в частности, к устройствам измерения малых угловых и линейных отклонений подвижных элементов указанных гироскопических приборов, а также может быть использовано для измерения малых угловых и линейных перемещений в приборах и устройствах различного назначения, использующих технологию микроэлектроники.

Известны микромеханические вибрационные гироскопы (ММВГ) [1].

Особенностью ММВГ является преимущественное изготовление чувствительных элементов этих приборов из материалов, применяемых в микроэлектронных конструкциях (кремния, нитрида, оксида, карбида, кремния, сапфира, сопутствующих металлов, других полупроводников, полупроводниковых соединений и диэлектриков).

Одним из основных элементов микромеханического вибрационного гироскопа, содержащего базовый элемент (корпус), опору инерционной массы, расположенную в рамке и соединенную с ней соосными торсионами, образующими ось подвеса опоры, инерционную массу, устройство возбуждения колебаний инерционной массы является датчик углового положения инерционной массы относительно базового элемента (корпуса) или рамок.

Известно использование в ММВГ тензорезистивных, пьезоэлектрических, электромагнитных и емкостных датчиков углового положения.

Тензорезистивный датчик [2, 3, 4] представляет собой кремниевый диффузионный резистор, размещенный в теле деформируемого элемента (торсиона). Сопротивление этого датчика меняется пропорционально деформации материала, в котором он сформирован. Однако такому датчику присущи существенные недостатки, которые ограничивают его применение: 1) количество деформируемых элементов, в которых могут быть установлены тензорезистивные датчики, как правило, меньше числа степеней свободы подвижного элемента гироскопа (акселерометра) и поэтому его показания не отображают однозначно полной совокупности движений элемента; 2) сопротивление тензорезистора меняется при изменениях его температуры, которая, как правило, не известна, поэтому точность показаний датчика существенно ограничена и этим фактором; 3) чувствительность датчика ухудшается также поверхностными и термическими шумами, присущими резистору.

Аналогичными недостатками обладают пьезоэлектрические датчики [5, 6, 7, 8, 9], которые представляют собой пластину или слой пьезоэлектрического материала с электродами, размещенного на деформируемом элементе или составляющем часть или целое этого деформируемого элемента.

Большая свобода размещения возможна при использовании электромагнитных датчиков [10, 11, 12], которые представляют собой две индуктивности, одна из которых расположена на подвижном элементе гироскопа, вторая - на неподвижном, и магнитные потоки их взаимно пересекают витки друг друга. При изменении расстояния и угла между индуктивностями меняется их взаимная индукция, по величине изменения которой устанавливается величина перемещения. Этим датчикам присущи следующие недостатки: 1) для снятия сигнала с подвижной индуктивности к ней необходимо прокладывать проводящие шины по торсионам; по границе шины с торсионами во время деформации торсионов возникает взаимное смещение материалов торсиона и шины с внутренним трением, которое уменьшает (на порядок и более) добротность колебательных систем гироскопа и тем самым - его чувствительность; 2) площади измерительных индуктивностей должны быть достаточно велики, чтобы обеспечить приемлемые рабочую частоту сигнала (не слишком высокую, обычно менее 100 МГГц); размеры индуктивностей достигают сотен микрон и более. Поскольку вибрирующие элементы гироскопа при наличии внешних воздействий имеют несколько степеней свободы (3 и более) необходимо для их контроля помещать на каждом таком элементе по 3 и более электромагнитных датчика; при ограниченных размерах вибрирующих элементов приходится либо уменьшать размеры измерительных индуктивностей; либо уменьшать их количество; и то, и другое ограничивают чувствительность гироскопа; 3) подача тестирующих токов через индуктивности создает помехи смежным цепям, эти помехи усложняют схемы обработки сигнала и уменьшают чувствительность гироскопа.

В ММВГ по пат. США N 4598585, МПК G 01 P 15/02, 1986 г. используется емкостной датчик углового положения. Данный датчик содержит средства возбуждения и съема сигнала (плоские электроды) расположенные на элементах конструкции гироскопа, взаимное углогове положение которых необходимо измерять. Электроды выполнены напылением металла на кремниевые элементы конструкции гироскопа (корпус и рамку или инерционную массу) и соединены проводящими шинами с предусилителем.

Недостатками известного датчика углового положения являются: - недостаточная чувствительность и крутизна, обусловленные малыми размерами электродов и наличием паразитных монтажных емкостей между измерительным электродом и предусилителем; - сложность электронной схемы обработки сигнала; - невозможность повышения локальности измерения углового положения подвижных элементов гироскопа.

Целью и техническим результатом изобретения является создание датчика углового и линейного положения преимущественно для микромеханических приборов, например, вибрационных гироскопов с высокой чувствительностью и крутизной, а также с возможностью проведения локальных измерений.

Поставленная цель достигается тем, что в датчике углового и линейного положения преимущественно для микромеханических приборов, например, гироскопических, содержащего средства возбуждения и съема сигнала, расположенные на элементах конструкции прибора, в качестве средств возбуждения и съема сигнала служит полевой транзистор с затвором, изолированным от канала вакуумно-диэлектрическим промежутком, при этом исток, канал и сток транзистора расположены на одном из элементов конструкции прибора, а затвор расположен на другом элементе, подвижном относительно первого.

Кроме того: - исток, канал и сток полевого транзистора могут быть выполнены в форме мезы, на вершине которой выполнен канал, а по склонам выполнены исток и сток;
- исток, канал и сток могут быть выполнены на отдельной полупроводниковой плате, установленной на элементе конструкции прибора;
- поверхность канала, обращенная к затвору, может быть атомарно чистой поверхностью полупроводника, в частности, кремния;
- поверхность канала, обращенная к затвору, может быть покрыта слоем двуокиси кремния;
- поверхность канала, обращенная к затвору, может быть покрыта слоями двуокиси кремния и нитрида кремния;
- канал полевого транзистора может быть индуцированным;
- канал полевого транзистора может быть встроенным;
- поверх слоев двуокиси и нитрида кремния может быть выполнен электрически прозрачный проводящий слой из алмаза или карбида кремния, или из металла в виде гребенки или сетки;
- встроенный канал полевого транзистора может быть расположен на поверхности или под слоем полупроводника;
- поверхность канала, обращенная к затвору, может быть покрыта слоем благородного металла, например, золота или платины;
- поверхность встроенного канала, обращенная к затвору, может быть ограничена p-n переходом и барьером Шоттки.

Датчик углового и линейного положения на полевом транзисторе с подвижным затвором по технической сущности аналогичен прибору, в котором емкостной датчик совмещен с усилителем. Тем самым обеспечивается его высокая чувствительность, крутизна и помехозащищенность. По аналогии с известным электровакуумным прибором - механотроном, в котором подвижным элементом является управляющая сетка, заявителем предлагается заявленному датчику присвоить термин "механистор". Механистор может быть выполнен в двух вариантах:
1) либо исток, канал и сток расположены в одной плоскости (планарное расположение), а затвор выполнен в виде мезы;
2) либо исток, канал и сток расположен на мезе, а затвор является плоскостью.

Вторая комбинация принята в предлагаемой конструкции механистора. В такой конструкции силовые линии электрического поля концентрируются на верхней части мезы и на канале, увеличивая тем самым индуцируемый заряд в канале, т.е. отношение изменений тока стока к величине перемещения затвора. Кроме того, в такой конструкции минимален уровень паразитных токов на поверхностях механистора при движении затвора и, соответственно, минимален уровень входных шумов.

Отношение изменения тока стока механистора к величине перемещения затвора, уровень шумов и стабильность рабочего режима механистора определяются в основном явлениями, происходящими в промежутке между каналом и затвором (на поверхностях затвора, канала, на поверхностях и в объемах диэлектриков между каналом и затвором).

В общем случае между затвором и каналом имеются несколько слоев диэлектрика (d₁,d₂ ... d_n), и ток стока I_D определяется их величиной
I_D = K/d_эф (1)
где
d_эф= d_вак+ ε₁d₁+ ε₂d₂+ .....ε_nd_n, (2)
ε₁.....ε_n - диэлектрические проницаемости материалов слоев d₁ ... d_n;
d₁ ... d_n - геометрические толщины этих слоев;
K - коэффициент, определяемый конструктивными и электрическими параметрами механистора.

Как видно из выражения (1), сигнал с механистора I_D увеличивается с уменьшением d_эф и становится максимальным при d₁ = d₂ = ... d_n = 0, т.е., если диэлектрические слои между затвором и каналом отсутствуют и зазор между ними представляют собой вакуумный промежуток. Такая конструкция механистора, в которой поверхность полупроводника, обращенная к затвору, атомарно чиста, является наиболее простой и обладает наибольшей чувствительностью к перемещениям затвора. Однако реализовать ее можно, только создав в зазоре механистора и в его окрестностях сверхвысокий вакуум ( 10^-8 Па). В противном случае из газовой среды, окружающей механистор, на его поверхность сорбируются атомы и молекулы газов и паров, которые на поверхности полупроводника поляризуются, ионизируются, образуют с полупроводником химические соединения. В результате все явления на поверхности полупроводника создают подвижные заряды, нестационарные зарядовые состояния, которые модулируют проводимость канала и таким образом порождают ложный сигнал, шумы и другие виды помех. Кроме того, ионизированные газы могут отрываться от поверхности канала и способствовать пробою вакуумного промежутка.

При менее строгих требованиях к глубине вакуума в рабочей зоне механистора (10^-3 - 10⁴ Па) на поверхности канала, обращенной к затвору, для повышения электрической прочности упомянутого зазора необходимо создавать диэлектрическую защиту. В частности, наиболее технологической защитой, как известно, практикой признан слой двуокиси кремния. Толщина защитного слоя двуокиси кремния, как это следует из соотношения (2), должна быть минимальной. Технологически воспроизводимая толщина такого слоя составляет не менее 5 нм. В результате многолетней мировой технологической практики диэлектрические слои двуокиси кремния исследованы и усовершенствованы достаточно глубоко для их эффективного использования.

Однако поверхности и объем двуокиси кремния настолько химически и электрически активны, что сорбируемые этими слоями молекулы воды, химические соединения, содержащие водород и щелочные металлы, создают на поверхностях и в объеме слоев подвижные заряды и зарядовые состояния, которые индуцируют в канале механистора шумовые токи. Это существенно ограничивает чувствительность, стабильность механистора и, соответственно, гироскопа.

Чтобы пассировать поверхность слоя двуокиси кремния, ее закрывают нитридом кремния толщиной 20 - 120 нм. Граница между слоями двуокиси и нитрида кремния накапливает и может годами хранить заряды, которые попадают туда в итоге их инжекции или дрейфа из канала. В результате появления на этой границе зарядов создается автосмещение затвора относительно канала, этим смещением можно управлять и тем самым компенсировать случайный дрейф порогового напряжения транзистора. Кроме шумов и нестабильности, вызванных накоплением и миграцией зарядов в диэлектриках (в двуокиси и нитриде кремния), генерируются шумы на границе раздела этих слоев и на границе их с полупроводниковым каналом.

Введением упомянутого выше слоя нитрида кремния поверх слоя двуокиси кремния достигаются две цели:
1) пассивируется химически активная поверхность двуокиси кремния и тем самым уменьшается вероятность внедрения в нее молекул воды, щелочных металлов и других химически активных веществ, существенно меняющих плотность зарядов и зарядовых состояний в слое двуокиси кремния и на его границе с полупроводниковым каналом;
2) создается граница раздела между двуокисью и нитридом кремния, удерживающая электрические заряды и тем самым определяющая в заметной степени пороговое напряжение; меняя управляемым образом плотность зарядов на этой границе, можно управлять пороговым напряжением, обеспечивая стабильность рабочего режима механистора.

Управлять плотностью зарядов на границе раздела между оксидом и нитридом кремния можно, подавая напряжение между карманом и электродом, нанесенным на поверхность нитрида кремния, обращенную к затвору. Этот электрод должен быть прозрачным для силовых линий электрического поля, проходящего от затвора до поверхности канала. Это необходимо для того, чтобы изменение напряженности электрического поля могло модулировать плотность заряда в канале. Прозрачность упомянутого электрода обеспечивается тем, что он либо имеет отверстия, регулярно расположенные по своей площади, либо имеет такую концентрацию акцепторов или доноров, что его слой объемного заряда не компенсирует всего потока силовых линий упомянутого электрического поля. В первом случае он представляет собой сетку или гребенку из проводящего материала, в частности, (благородного) металла. Во втором случае - сплошной слой высокоомного химически инертного проводящего материала, например, алмаза или карбида кремния. Названный электрод проводящей шиной присоединен к внешней управляющей схеме.

Однако остаются неуправляемыми флуктуации плотности зарядов на трех поверхностях упомянутых диэлектриков. В частности, флуктуация рассеяния потока носителей заряда на границе канала с диэлектриком является наиболее существенным источником шумов на входе транзистора.

Чтобы уменьшить интенсивность этих флуктуаций, канал делают скрытым, т. е. его формируют не на границе с диэлектриком, а в глубине полупроводника. Дальнейшее уменьшение интенсивности флуктуаций (шумов) достигается заменой диэлектрических слоев барьером Шоттки, который формируется в виде контакта химически пассивного металла (золота, платины) с полупроводником. Чтобы увеличить напряжение пробоя этого барьера, уменьшить токи утечки и увеличить рабочее напряжение исток-сток барьер Шоттки комбинируют с p-n переходом.

В конструкциях, упомянутых выше, интенсивность шумов уменьшается вследствие уменьшения числа и качества "шумящих" границ и уменьшения "скачковых" шумов на поверхностях при замене диэлектриков благородным металлом.

Заявленное устройство поясняется чертежами.

Исток, канал, сток механистора и проводящие шины, соединяющие исток, карман и сток с внешними электрическими цепями, выполнены на отдельном (базисном) элементе; эта часть механистора может рассматриваться как автономная, независимая деталь, которая может сочленяться с любыми другими приборами и устройствами для измерения положения или перемещения их подвижных элементов.

На фиг. 1 приведено поперечное сечение механистора, где:
I - затвор; 2 - исток; 3 - сток; 4 - канал; 6, 5 - проводящие шины; 7 - изолирующий карман; 8 - полевой диэлектрик; 9 - подзатворный диэлектрик; 10 - элемент прибора (подложка).

На фиг. 2 показан вид А механистора, приведенного на фиг. 1, где:
II - проводящая шина к изолирующему карману.

На фиг. 3 приведен вариант конструкций механистора с электрически прозрачным электродом 17 поверх слоев оксида и нитрида кремния.

На фиг. 4 приведены варианты конструкций канальной области механистора, где:
а - конструкция с индуцированным каналом; поверхность канала, обращенного к затвору, покрыта слоем двуокиси кремния 9;
б - конструкция с индуцированным каналом; поверхность канала, обращенная к затвору, покрыта комбинацией слоев двуокиси кремния и нитрида кремния 12;
в - конструкция со встроенным поверхностным каналом второго типа проводимости 13; поверхность канала, обращенная к затвору, покрыта комбинацией слоев двуокиси кремния и нитрида кремния;
г - конструкция со встроенным скрытым каналом второго типа проводимости 15; поверхность канала, обращенная к затвору, покрыта комбинацией слоев двуокиси кремния и нитрида кремния, где 14 - слой полупроводника первого типа проводимости;
д - конструкция со встроенным скрытым каналом второго типа проводимости; поверхность канала, обращенная к затвору; граничит с барьером Шоттки, где 16 - слой благородного металла;
е - конструкция со встроенным скрытым каналом; поверхность канала, обращенная к затвору, ограничена p-n переходом и барьером Шоттки.

ж - конструкция с электрически прозрачным электродом 17 в виде сетки из проводящего материала или сплошного слоя высокоомного проводника.

На фиг. 5 приведены примеры схем включения механисторов для измерения углового и линейного положения.

Предложенный датчик (механистор) выполнен на полевом транзисторе и включает в себя затвор 1, а также отделенные от затвора вакуумно-диэлектрическим промежутком исток 2, канал 4 и сток 3 (фиг. 1-3).

Затвором 1 является (подвижный) элемент прибора (гироскопа), изготовленный из полупроводника первого типа проводимости, например, монокристаллического кремния или сапфира, кварца или другого диэлектрика, поверхность которых со стороны канала покрыта металлом (золотом).

На другом (неподвижном) элементе прибора 10, изготовленного из монокристаллического полупроводника второго типа проводимости, например, кремния, методом диффузионного легирования соответствующих примесей созданы исток 2, канал 4, сток 3, имеющие второй тип проводимости, а также изолирующий карман 7 первого типа проводимости. Напылением металла выполнены проводящие шины 5, 6, 11 к истоку 2, стоку 4 и изолирующему карману 7 соответственно. Исток 2 и сток 3 могут быть защищены от внешних воздействий слоем полевого окисла (диэлектрика) 8.

Исток, канал и сток вместе с изолирующим карманом и проводящими шинами могут быть сформированы в полупроводниковом островке, встроенном в сапфир, кварц или другой диэлектрик.

Варианты выполнения канальной части механистора показаны на фиг. 4.

На фиг. 4, а приведена конструкция канальной области механистора, где поверхность канала, обращенная к затвору, покрыта слоем диоксида (двуокиси) кремния. Это покрытие частично уменьшает интенсивность химической сорбции газов из подзатворной среды и тем самым увеличивает стабильность электрических параметров датчика. Кроме того, диэлектрический слой двуокиси кремния увеличивает электрическую прочность подзатворного зазора, тем самым увеличивая надежность датчика. Эта конструкция проста (по сравнению с другими, обсуждаемыми в настоящем описании) и дешева.

На фиг. 4, б обсуждавшаяся выше конструкция усложнена тем, что поверх слоя двуокиси кремния сформирован слой нитрида кремния, который характеризуется большей химической инертностью и поэтому обладает большей устойчивостью к воздействию внешней среды.

На фиг. 4, в приведен пример выполнения встроенного поверхностного канала, покрытого слоями двуокиси и нитрида кремния. Встроенный канал получают легированием полупроводника соответствующими примесями. Такая конструкция позволяет составить электронную мостовую схему с нормально открытыми механисторами, которую можно уравновешивать в наиболее удобные моменты времени до проведения изменений перемещений затвора.

На фиг. 4,г приведена деталь конструкции механистора со встроенным скрытым каналом. Для нее характерен пониженный уровень поверхностных шумов, т.е. большая чувствительность, чем для механисторов с поверхностным каналом.

Еще более низкий уровень поверхностных шумов присущ конструкциям с барьером Шоттки, ограничивающим поверхностный встроенный канал (фиг. 3,д). Барьер Шоттки сформирован контактом полупроводника с благородным металлом (платиной, силицидом платины). Поскольку поверхности этих металлов не содержат диэлектрических образований, они эквипотенциальны и поэтому на них нет скачковых флуктуаций заряда и нет соответствующих шумов.

Примеры схем включения механистора приведены на фиг. 5.

К истоку S и стоку D механистора M1 на фиг. 5,а через нагрузочный резистор R приложено напряжение U_п, а к карману W - напряжение настройки, выводящее механистор в необходимой режим работы. На затвор G, представляющий собой подвижный элемент гироскопа и изолированный от истока, стока и кармана, подается напряжение смещения, которое индуцирует в канале электрический заряд. Возможно включение механистора и в мостовую схему (фиг. 5,б).

Предложенный датчик (механистор) работает следующим образом. Как известно (19), ток I_D между истоком и стоком полевого транзистора определяется соотношением
I_D = K/d (3)
где
K - коэффициент, определяемый конструктивными и электрическими параметрами;
d - расстояние между затвором и каналом.

При изменении взаимного положения элементов конструкции прибора, например микромеханического гироскопа, на которых выполнены затвор, а также исток, канал и сток, изменяется величина d и тем самым величина тока. Измеряя ток I_D и зная коэффициент K и расстояние L от места расположения механистора до оси поворота подвижного элемента, можно определить линейное и угловое положение подвижного элемента по очевидным формулам
d = K/I, (4)
ϕ = K/I L (5)
Коэффициент K может быть определен экспериментально, методом тарировки.

При расположении двух механисторов по разные стороны от оси поворота подвижного элемента и дифференциальном их включении в мостовую схему (фиг. 5, б) возможно разделение углового и линейного положений подвижного элемента при сложном его движении.

Механистор имеет следующие достоинства:
1) минимальные размеры (от единиц микрометров) по сравнению всеми другими известными датчикам; это позволяет размещать механисторы практически в любом количестве с предельно высокой локальностью измерений;
2) можно выбирать практически любое место их расположения;
3) с датчика снимается усиленный сигнал (до нескольких вольт);
4) малые размеры датчиков и внутреннее усиление сигнала обеспечивают предельно высокую (по сравнению с другими типами датчиков) помехозащищенность;
5) высокий уровень сигнала (единицы вольт) позволяют включать механисторы непосредственно в схемы сравнения (в том числе в мостовые схемы), подключать к АЦП;
6) питание датчиков постоянным напряжением уменьшает вероятность создания перекрестных помех, что повышает чувствительность прибора в целом;
7) возможна работа в микрорежимах, что означает существенное снижение рассеиваемой мощности (энергопотребления) и нагрев конструкции, искажающего результата измерений;
8) проста техника формирования сигнала (по сравнению с аналогами) и его обработки.

На предприятии НПК "Вектор" изготовлены опытные образцы ММВГ с датчиками углового положения на полевом транзисторе с подвижным затвором. Экспериментальная проверка подтвердила высокую эффективность предложенного устройства.

Литература
1. Патент США N 4.598.585.

2. Патент США N 5.275.047.

3. Патент США N 5.284.059.

4. Европейский патент EP 0574143.

5. Патент США 4.776.924.

6. Патент Франции 2604791 от 02.10.86 г.

7. Европейский патент EP 0267069.

8. Европейский патент DE 3766473.

9. Европейский патент CA 1268266.

10. Патент США 4.510.802.

11. Патент США 5.144.184.

12. Патент США 5381.852.

13. Патент США 4.490.772.

14. Патент США 4.598.585.

15. Патент США 5.216.490.

16. Патент США 5.203.208.

17. Патент США 5.016.072.

18. Патент США 5.313.835.

19. С. М. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Перевод с английского. Москва. "Энергия", 1973 г..

Формула изобретения

1. Датчик углового и линейного положения преимущественно для микромеханических приборов, например гироскопических, содержащий средства возбуждения и съема сигнала, расположенные на элементах конструкции прибора, отличающийся тем, что в качестве средств возбуждения и съема сигнала служит полевой транзистор с затвором, изолированным от канала вакуумно-диэлектрическим промежутком, при этом исток, канал и сток транзистора расположены на одном из элементов конструкции прибора, а затвор расположен на другом элементе, подвижном относительно первого.

2. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что исток, канал и сток полевого транзистора выполнены в форме мезы, на вершине которой выполнен канал, а по склонам выполнены исток и сток.

3. Датчик по п.1, отличающийся тем, что исток, канал и сток выполнены на отдельной полупроводниковой плате, установленной на элементе конструкции прибора.

4. Датчик по п.1, отличающийся тем, что поверхность канала, обращенная к затвору, является атомарно чистой поверхностью полупроводника, в частности кремния.

5. Датчик по п.1, отличающийся тем, что поверхность канала, обращенная к затвору, покрыта слоем двуокиси кремния.

6. Датчик по п.1, отличающийся тем, что поверхность канала, обращенная к затвору, покрыта слоями двуокиси кремния и нитрида кремния.

7. Датчик по п.6, отличающийся тем, что поверх слоев двуокиси и нитрида кремния расположен электрически прозрачный проводящий слой, имеющий электрический вывод.

8. Датчик по п.7, отличающийся тем, что электрически прозрачный проводящий слой выполнен из алмаза или карбида кремния.

9. Датчик по п.7, отличающийся тем, что электрически прозрачный проводящий слой выполнен из металла в виде гребенки или сетки.

10. Датчик по п.1, отличающийся тем, что канал полевого транзистора выполнен в виде поверхностного встроенного канала.

11. Датчик по п.1, отличающийся тем, что канал полевого транзистора является индуцированным.

12. Датчик по п.10, отличающийся тем, что поверхность канала, обращенная к затвору, покрыта слоем благородного металла, например золота или платины, образующих барьер Шоттки с полупроводником.

13. Датчик по п.1, отличающийся тем, что канал полевого транзистора выполнен в виде скрытого встроенного канала.

14. Датчик по п.13, отличающийся тем, что поверхность канала, обращенная к затвору, ограничена p-n-переходом и барьером Шо

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5