Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением

 

Использование: полупроводниковая преобразовательная техника, в статических преобразователях электрической энергии. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением содержит герметичный корпус, заполненный жидким легкокипящим фтороорганическим промежуточным теплоносителем, в который погружены силовые полупроводниковые приборы с оребренными теплоотводами. Сверху расположен теплообменник-конденсатор, соединенный с емкостью паропроводом и конденсатопроводом. Сверху промежуточного теплоносителя в корпусе расположен защитный слой кремнийорганической жидкости. При этом плотность диэлектрической кремнеорганической жидкости защитного слоя на 40-50% меньше, а температура кипения на 20-30°С выше, чем у промежуточного теплоносителя. Техническим результатом изобретения является повышение надежности работы силового полупроводникового блока с испарительным охлаждением, уменьшение расхода дорогостоящего фторосодержащего промежуточного теплоносителя. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковой преобразовательной технике, и может быть использовано в статических преобразователях электрической энергии.

Наиболее близким техническим решением является силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением, содержащий герметичный корпус, заполненный жидким легкокипящим фторсодержащим промежуточным теплоносителем, в который погружены силовые полупроводниковые приборы с оребренными теплоотводами, теплообменник-конденсатор, находящийся сверху вне емкости и соединенный с нею паропроводом и конденсатопроводом (патент США N 4027728, 1977).

Недостатком данной конструкции является то, что при аварийной разгерметизации в нерабочем состоянии или при плановой разгерметизации при ремонтных работах легкокипящие и, соответственно, легкоиспаряющиеся фторсодержащие жидкости (например, фреон 113, фреон 30, МД-3Ф и др.) при комнатной температуре улетучиваются из разгерметизированного корпуса, тем самым нарушается работоспособность блока.

Технический эффект заключается в повышении надежности работы силового полупроводникового блока с испарительным охлаждением, уменьшении расхода дорогостоящего фторсодержащего промежуточного теплоносителя.

Сущность изобретения заключается в том, что в силовом полупроводниковом блоке с испарительным охлаждением, содержащем герметичный корпус, заполненный жидким легкокипящим фторорганическим промежуточным теплоносителем, в который погружены силовые полупроводниковые приборы с оребренными теплоотводами, теплообменник-конденсатор, находящийся вне емкости и соединенный с ней паропроводом и конденсатором, блок имеет защитный слой дополнительной диэлектрической жидкости, расположенный сверху промежуточного теплоносителя, при этом плотность диэлектрической кремнийорганической жидкости защитного слоя на 40 - 50% меньше, а температура кипения на 20 - 30oC выше, чем у промежуточного теплоносителя. Кроме того, толщина защитного слоя равна 2 - 3 мм.

Плотность защитного слоя диэлектрической кремнийорганической жидкости в блоке должна быть меньше на 40 - 50% основного теплоносителя. Если плотность защитного слоя будет менее 40%, то при спонтанном испарении основного теплоносителя (в нерабочем состоянии, при изменении окружающей температуры) его пары будут "пробивать" защитный слой и улетучиваться. Если плотность защитного слоя будет выше 50%, то начальный, рабочий момент пары закипающего промежуточного теплоносителя будут задерживаться защитным слоем.

Температура кипения диэлектрической кремнийорганической жидкости защитного слоя должна быть выше на 20 - 30oC, чем у основного теплоносителя. Если температура будет ниже 20oC, то диэлектрическая жидкость защитного слоя подвергается спонтанному испарению также, как и основной теплоноситель. Если температура будет выше 30oC, то возникнет затруднение охлаждения блока при интенсивном кипении основного теплоносителя (при достижении основным теплоносителем температуры кипения, близкой к Tкр1.).

Толщина защитного слоя диэлектрической жидкости должна быть 2 - 3 мм. При меньшей толщине слой будет легко "пробиваться" парами основного теплоносителя при спонтанном испарении. Большая толщина слоя будет затруднять процесс охлаждения, а также повышать стоимость расходных материалов.

Изобретение поясняется чертежом (фиг. 1). Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением содержит герметичный корпус 1, заполненный жидким легкокипящим фторорганическим промежуточным теплоносителем 2, в который погружены силовые полупроводниковые приборы 3 с оребренными теплоотводами 4. Сверху расположен теплообменник-конденсатор 5, соединенный с емкостью паропроводом 6 и конденсатопроводом 7. Сверху промежуточного теплоносителя 2 в корпусе 1 расположен защитный слой 8 кремнийорганической жидкости, плотность которой на 40 - 50% меньше, а температура кипения на 20 - 30% выше, чем у промежуточного теплоносителя 2. Толщина защитного слоя 8 составляет 2 - 3 мм.

Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением работает следующим образом. Силовые полупроводниковые приборы 3 при прохождении через них электрического тока выделяют тепловые потери, которые передаются оребренным теплоотводам 4. Легкокипящий промежуточный теплоноситель 2 закипает на нагретых поверхностях оребренных теплоотводов 4, пары теплоносителя 2, разрушая защитный слой 8 дополнительной диэлектрической жидкости, поднимаются вверх герметичного корпуса 1, по паропроводу 6 попадают в теплообменник-конденсатор 5, конденсируются, через конденсатопровод 7 конденсат стекает обратно в герметичную емкость. После выключения силового блока защитный слой 8 дополнительной диэлектрической жидкости снова покрывает поверхность промежуточного теплоносителя 2 и при аварийной разгерметизации корпуса 1 в нерабочем состоянии или при плановой разгерметизации при ремонте защитный слой 8 не позволяет улетучиваться из корпуса 1 легкоиспаряющейся при комнатной температуре фторсодержащей жидкости 2, тем самым снижается расход дорогостоящего диэлектрика.

Формула изобретения

1. Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением, содержащий герметичный корпус, заполненный жидким легкокипящим фторорганическим промежуточным теплоносителем, в который погружены силовые полупроводниковые приборы с оребренными теплоотводами, теплообменник-конденсатор, находящийся сверху вне емкости и соединенный с ней паропроводом и конденсатопроводом, отличающийся тем, что блок имеет защитный слой дополнительной диэлектрической жидкости, расположенный сверху промежуточного теплоносителя, при этом плотность диэлектрической кремнеорганической жидкости защитного слоя на 40 - 50% меньше, а температура кипения на 20 - 30oC выше, чем у промежуточного теплоносителя.

2. Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением по п.1, отличающийся тем, что толщина защитного слоя составляет 2 - 3 мм.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области приборостроения, в частности к способу установки приборов на панелях в космических аппаратах

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при разработке источников электропитания, в которых требуется принудительное охлаждение мощных полупроводниковых приборов с помощью конвекции воздуха

Изобретение относится к электрорадиотехнике и технической физике и предназначено для термостабилизации элементов радиоэлектроники, выделяющих при работе в непрерывном и импульсном режимах значительное количество теплоты

Изобретение относится к области электрорадиотехники и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов узлов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), рассеивающих значительные мощности

Изобретение относится к теплоотводящим элементам и применяется при конструировании устройств для охлаждения силовых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, а точнее к металлическим охладителям, представляющим собой комбинацию плоской оребренной пластины и дополнительного теплообменного элемента из листового материала

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в различных преобразовательных устройствах

Изобретение относится к электротехнике, а именно к преобразовательной технике, и может быть использовано в статистических преобразователях электрической энергии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, более конкретно - к микроприборам, в которых требуется поддержание заданной, повышенной по сравнению со средой температуры

Изобретение относится к области теплорегулирования, в частности к теплоотводу приборов, и может быть использовано, например, для охлаждения полупроводниковых приборов и их элементов в наземных условиях в любой отрасли промышленности и в условиях невесомости на космических аппаратах

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых тепловых режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) с высокими тепловыделениями

Изобретение относится к электротехнике, а именно к преобразовательной технике, и может использоваться в статических преобразователях электрической энергии

Изобретение относится к электротехнической промышленности, в частности к охлаждению радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к электротехники, а именно к полупроводниковой технике, и может использоваться в статистических преобразователях электрической энергии

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а более конкретно к устройствам, обеспечивающим поддержание температуры образцов в широком диапазоне при измерении и других технологических операциях в сканирующих зондовых микроскопах (СЗМ)
Наверх