Способ обработки поверхности полупроводников

Авторы патента:

H01L21/314 - из неорганических веществ (H01L 21/3105, H01L 21/32 имеют преимущество)

Способ обработки поверхности полупроводников, например германия, соединениями серы при температуре 430 - 450^oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса сульфидирования, поверхность германия подвергают воздействию безводного сероводорода.

Способ получения структуры диэлектрик—кремний // 428484

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния // 1115631

Способ защиты полупроводниковых приборов // 1132732

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении которых неизбежен или необходим нагрев на завершающей стадии производства, например, при высокотемпературной герметизации (заварке) стеклом, напайке и др

Способ изготовления мноп-структур // 1160891

Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа // 1176782

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния // 1387797