Патент ссср 236521
236521
Составитель Т. Степакова
Текред Л. Я. Левина Корректор Г. И. Плешакова
Редактор О. Филиппова
Типография, пр. Сапунова, 2
Заказ 1173,5 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
236521
6о)оз Советскик
Социалистических
Ресоублик
И АВТОРСКОМУ СВИДБ ЕЛЬ СТВО
3 313иси)l()i 01
:I35II31iII0 13.XI.1967 (¹ 11(16324) 26-(1)
С Tl (3 I I C 0 C; (l I f i (I i I! (Ч 3 сl 5! H f(I I ><> <>
I I p I10 j1 I I I C f
О!!3 (),till(Oi„,ии; 113.II I.I!)6!1. Бк),fii(I C:11, Л: 7 комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР.3 (((I, Н 0;11(621.3>, 1.4, 11 ОМ.Х
Дcl T<3 () il ó()(1 i i f(OB c! I I B 51
Авторы ! з О б p C T c l I l I !i
H. П, База, З351витель
ТРАИЗИС(ОРНЫЙ ГЕНЕРАТОР
ЛИНЕЙНО-ИЗ()1ЕНЯЮЖЕ(ОСЯ НАПРЯЖЕНИЯ
Ь Îc! 1013 fl031 3 Вт. 13. ° >>" 1 <).) д )8 О и:10 3!! 1 (I I c
Р ВТОР, IIIIICIIIiO-!(З с(Си и!ОП(С ГОС51 (I !If! ()51 iliC! l! Я, обеспечивающий коэффищ!епт I!c)пи(с(!нос ги менее 1o,„) при определенной тсмпср и;уpc.
0«Ifcl KO В ill it POi(OЗI Дн сlП ЯЗОНЕ 1(31!1С Р JiTT j) И 3за изменения colipoTI!i>лсllll51> шуит!(рующ(! О интегрирующ; ю емкость, коэффииисит 1 ел(!в
IIeJfIIOC I ll Вс ill 111133i TC =) !0 (Ои ро и !3 ICIIII(О 0 р <1 3 0 В Я !10 П Я ji ЯЛ,1 СЛ Ы l Ь) 31 0 С. (I I I I С I! I I С м (. 0—
ll POT!f13,! СП И51:3<1КРЫ )ОГО К, НОЧС(301 0 1 Р Я НЗИ(I OР 3, С ОП POT! I I3, I CП И 51 КО, I. И К1 0 Р Н 01 О I I C f) С. (О (Я !
330 (ного транзисторного у(и, и Г» lя II (ОflPOTIII3 (сlilfsl < вх (1! () - (C 3
Пред.!агасмый гснерятOð от, и !ясT(51 о
I1ЗВС(T11ОГ 0 ТСЗI, IÒО 113 j) Я(1.1С. I Ь)IO:3<) РЯ;1 И О."<1) (. ОнрОТli13ГГ(СII!I Ю ПОДКЛЮ I(. 111>1;i: ci 11 КОГIЛ>С)(1()!)
;I 011 0(! Н ИTС,1 Ы(0 ГО ТР cl 1(3 I I(! О Р Я, -) З!1I T1".1 () КОТО i)0.
ГО CO(ДИИСII СО В.",ОДОМ ГГ)ЯПЗI!(IOРНОI О УСИ,IИТС,I Я II КО,!.IСI(TOJ)0>)f КГIK)!ICHO> O T f) cl ll 3 if i"i О Р)1, который через диоды сос;il!ilcii с базой дополнительного транзистора. .=)ТО снижает коэффициент нсл)и!сй !Ост! i u широком диапазоне температур.
I Ip1(IIi(ипиал 1f3si сxe313 i!pc.t.l я! Bc. .!Oi О с-нератора л!)нейно-изз!си!! !Ощег ос51 !13 и ря жения изображена на чертеже.
Дополнительный транзистор 1 и)О.(ключги: клеммами оазя-коллектор пяряллслы(о заря Lн031 (Oи,()ОГIIB, Iill!!.:0 2, !C. 31 (0("I II! ,0, 1, !(. к 1 Ор 1;,!10 (СВОГО
1;)апЗИСтОРа )в СОС (!IIICliC ЭМ:!ТГСРОМ ДОПО1111iтсльио(О тра:!.3ис!Ора If с кон,(с;!сато; 031 -(чсРС:3;IB3 IIOC. IC (OH
5 и (), !3к.)10 1(. Ji!Il>1 (13 J! Ps! 110)1 11311PBBB!i!l! I! i I!0
О 1 н Ои! Сll II IO к и Яп j) 51)кеи if JO н э ГOTI !(OJI 1(нс<11 ОРС.
1(1 150 HPC3151 O() P3TII0 I O .О:! сl IИОД!>1 0 ГК (ПЯТЫ II
ООССПС:IIIB<1 Ю1 IICIIO(Рс ((1!3СИП1>1 и Р -1:3 Psl 1 Кон«г не ITOJ)il -, ICj)C 3 к. l Н»ICHOI! 1 );ии)и(тор
1 1 с 1 О l i 1 1 i 1(I I c 1 I 1 1 ) 5 1 ж с 1 1 I Я >< О О (. с i l c Ill B cl c т О 1 !(P l>1—
ОС С()C 1051 I I I Iс 1 f) 311 311(ТO f)ОI> II С Га О 1lгl!!Т J)О— (б 113 б ((J)>(()I С il,О() Р! I (ll II u
1 j) 11!3 èñ1 О Рн l>l lf 1 lic Рс11 О Р,1! П. I с и ПО-11331(ПЯ10Ill CI ОСя и <1 il ряжепни ИО я!3 1 . В., " 1 )О()(), OГ.)иr((JJO((J((t!(iл тСМ, ЧтО, С 1!ЕЛЫО ) ЧЕИЬШСНПЯ ко)ффин fñ;.Iта нслliícéllîcò! I, параллельнÎ за
Р5(ДИО)13 СОПРОТИВ1CIII!10 ПОД)КЛЮ<1ЕНЬ(0333 И коллектор доно, нитсльного транзистора, 2б эмиттер которого соединен со в: одоч транз!Iсто;)погÎ усилителя и коллектором клк)чевого траиз1,«iop3> который через диоды соелпи!еп с бязои дополни Гелы(ого транзистора.
