Способы обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида. Сущность изобретения: в способе обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида обработку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида проводят в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, при следующем соотношении компонентов: HF: СН3СОСН3=1:100, время обработки поверхности кремниевых пластин равно не более 30 секунд при комнатной температуре, количество пылинок составляет 3 штуки. Изобретение обеспечивает полное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, хорошее сцепление полиимида к пластине, уменьшение температуры и времени обработки пластин.

 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.

Известны способы обработки кремниевых пластин, сущность которых состоит в полном удалении различных загрязнений с поверхности кремниевых пластин [1, 2].

Недостатком способа обработки пластин являются неполное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, плохое сцепление полиимида к пластине и высокая температура травления (70-80°С).

Целью изобретения является полное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, хорошее сцепление полиимида к пластине, уменьшение температуры и времени обработки пластин.

Поставленная цель достигается использованием травителя, состоящего из фтористоводородной кислоты - HF и ацетона - СН3СО СН3 в следующих соотношениях:

HF:СН3СО СН3

1:100

Процесс обработки поверхности кремниевых пластин считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. При этом происходит улучшение смачиваемости поверхности кремниевых пластин к полиимиду.

Сущность способа заключается в том, что при обработке поверхности пластин происходит полное удаление различных загрязнений и примесей в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, с поверхности кремниевых пластин, которое проводят при низких температурах, и при этом время травления уменьшается.

Контроль чистоты поверхности пластин проводится под сфокусированным лучом света на наличие пылинок.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона, при следующем соотношении компонентов:

HF: СН3СО СН3

1:80

Температура травителя комнатная. Время обработки 60 секунд.

Количество пылинок составляет 7 штук.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

HF:СН3СО СН3

1:90

Температура травителя комнатная. Время обработки 50 секунд.

Количество пылинок составляет 5 штук.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

HF:СН3СО СН3

1:100

Температура травителя комнатная. Время обработки 30 секунд. Количество пылинок составляет 3 штук.

Как следует из результатов опытов, одним из самых эффективных травителей для обработки поверхности пластин является травитель, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает подготовку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида и способствует улучшению адгезии, благодаря которой уменьшается и количество пылинок с 7 до 3 частиц.

Способ обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида, включающий обработку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, отличающийся тем, что компоненты травителя используют при следующем соотношении: HF: СН3СОСН3=1:100, время обработки поверхности кремниевых пластин равно не более 30 с при комнатной температуре, количество пылинок составляет 3 штуки.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к снятию фоторезиста в процессе формирования защитной пленки из полиимида структуры мощного транзистора.

Изобретение относится к очистке и сушке подложек для полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах.

Изобретение относится к области изготовления микромеханических устройств, а именно к способам формирования зондов сканирующих зондовых микроскопов, в частности кантилеверов, состоящих из консоли и иглы.

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и микросхем. .
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам травления пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к процессам химической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с наноразмерной структурой, применимых в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах и для создания светоизлучающих устройств
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам подготовки поверхности полупроводниковых подложек к операциям фотолитографии

Изобретение относится к устройствам генерации технологической плазмы и может быть использовано для проведения процессов осаждения, травления, окисления, имплантации (неглубоких слоев), сжигания органических масок на различных подложках в области электроники, наноэлектроники, при производстве медицинских инструментов, сенсорных устройств т.п
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах
Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства
Наверх