Способ переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель

Изобретение относится к области стоматологии и может быть использовано при изготовлении гипсовых рабочих моделей для изготовления протезов с опорой на внутрикостные имплантаты, в частности при протезировании беззубых челюстей (полного зубного ряда или частичного). Способ переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель включает установку в оттиск аналога имплантата и заливку оттиска подготовленным гипсом. Предварительно вокруг аналога имплантата устанавливают жестко и соосно замкнутое ограждение в виде цилиндра, при этом расстояние между боковой поверхностью аналога имплантата и внутренней стенкой ограждающей поверхности составляет от 1,5 до 2 мм, а высоту ограждения берут не менее высоты аналога имплантата. После чего оттиск заливают гипсом, оставляя не залитым пространство внутри ограждения, затем, после полной структуризации залитого гипса, не вынимая ограждения, заполняют вновь замешанным гипсом пространство внутри ограждения, после полной структуризации вновь залитого гипса оттиск с модели снимают. Технический результат - упрощение способа переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель. 1 ил.

 

Изобретение относится к медицине и может быть использовано при изготовлении гипсовых рабочих моделей для изготовления протезов с опорой на внутрикостные имплантаты, в частности при протезировании беззубых челюстей (полного зубного ряда или частичного).

Основным материалом для получения рабочих моделей является гипс. Фирмы-производители выпускают достаточное количество стоматологических высококачественных гипсов для изготовления моделей. Однако каким бы высококачественным не был гипс, он имеет один и очень серьезный недостаток, которым является его расширение во время кристаллизации. В идеальном варианте моделировочный материал не должен ни расширяться, ни сжиматься, чтобы размеры структур полости рта, полученные на слепке, воспроизводились точно. В основном степень расширения гипса зависит от типа гипса. Расширение означает, что модели будут несколько больше, чем размер слепка. Следствием расширения будет и изменение позиционирования имплантатов (Р.Крег, Дж Пауэре, Дж. Ватага «Стоматологические материалы, свойства и применение» // 1-е издание на русском языке под редакцией д.м.н. профессора Г.Г.Ивановой к.ф.н., доцента А.Л.Иванова // издательство МЕДИ, 2005; Александр Модестов, Германия, «Высокоточные разборные модели» // «Зубной техник», 2006, №6, с.9-16).

Известен способ выполнения высокоточной гипсовой модели челюсти с оттиска, в котором для устранения эффекта расширения гипса готовую гипсовую модель распиливают на фрагменты, выполняя пропилы строго ограниченной толщины. После чего распиленные фрагменты модели объединяют в базовой форме для отливки («Качественная модель - первый шаг на пути к совершенству» // «Зубной техник», 2004, №1, с.20-21).

Наиболее близким к предлагаемому является способ переноса позиции имплантатов с оттиска на гипсовую модель, включающий установку в оттиск аналогов имплантатов и заливку оттиска подготовленным гипсом. Готовую гипсовую модель распиливают на фрагменты, выполняя пропилы строго ограниченной толщины. После чего распиленные фрагменты модели объединяют в базовой форме для отливки (Александр Модестов, Германия, «Высокоточные разборные модели» // «Зубной техник», 2006, №6, с.9-16).

Недостаток известного способа состоит в следующем. Как уже описано выше, гипс имеет очень серьезный недостаток, которым является его расширение во время кристаллизации. В результате в готовой гипсовой модели, полученной известным способом, под действием явления расширения гипса аналоги имплантатов изменяют исходные позиции. Для позиционирования аналогов имплантатов в известном способе гипсовую модель распиливают на мелкие фрагменты, в том числе включающие аналоги имплантатов, устраняя пропилами строго ограниченной толщины последствия расширения гипса. Эта операция трудоемка и требует определенных навыков для получения точной рабочей модели, в частности для точного позиционирования имплантатов, что усложняет известный способ.

Предлагаемое изобретение решает задачу создания способа переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель, осуществление которого обеспечивает достижение технического результата, заключающегося в упрощении способа.

Сущность заявленного изобретения заключается в том, в способе переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель, включающем установку в оттиск аналога имплантата и заливку оттиска подготовленным гипсом, новым является то, что предварительно вокруг аналога имплантата устанавливают жестко и соосно замкнутое ограждение в виде цилиндра, при этом расстояние между боковой поверхностью аналога имплантата и внутренней стенкой цилиндра составляет от 1,5 до 2 мм, а высоту ограждения берут не менее высоты аналога имплантата, затем оттиск заливают гипсом, оставляя не залитым пространство внутри ограждения, после полной структуризации залитого гипса, не вынимая ограждения, заполняют вновь замешанным гипсом пространство внутри ограждения, после полной структуризации вновь залитого гипса оттиск с модели снимают.

Технический результат достигается следующим образом. Признаки формулы изобретения «…включающем установку в оттиск аналога имплантата и заливку оттиска подготовленным гипсом,…» являются обязательными для получения рабочей модели из гипса, обеспечивают возможность осуществления способа, а следовательно, и возможность осуществления заявленного технического результата. Поскольку предварительно перед заливкой оттиска гипсом вокруг аналога имплантата устанавливают жестко и соосно замкнутое ограждение в виде цилиндра, гипс во время заливки оттиска не попадает в образованное свободные пространство вокруг аналога имплантата. При этом, расширяясь, гипс будет стремиться изменить пространственное положение ограждения, но не аналога имплантата. Благодаря тому, что следующую операцию в способе выполняют после полной структуризации залитого гипса, то процессы расширения и деформации в части уже отлитой модели заканчиваются. При этом поскольку в ограждаемом пространстве вокруг аналога имплантата гипс отсутствует, то процессы, происходящие в гипсе в результате его кристаллизации, не оказывают влияния на изменение его позиционного положения относительно положения в оттиске. Этому же способствует и прочность ограждения, которую обусловливают геометрической форма - выполнение в виде цилиндра, а также установка его жестко. Кроме того, поскольку пространство внутри ограждения заполняют вновь замешанным гипсом после полной структуризации залитого гипса, то вновь залитый незначительный объем гипса после отверждения не может заметно повлиять на пространственное изменение положения аналога имплантата. При этом установка ограждения соосно обеспечивает равноудаленность внутренней поверхности ограждения от боковой поверхности аналога имплантата. Это, в свою очередь, обеспечивает равные условия для кристаллизации вновь залитого гипса вокруг всей боковой поверхности аналога имплантата, а следовательно, не оказывает влияние на его смещение. Заполнение пространства внутри ограждения выполняют, не вынимая ограждения. Это также предотвращает возможность изменения позиционного положения аналога имплантата. Если ограждение убрать при заполнении пространства внутри него, то, за счет повторного поглощения воды из гипса второго этапа заливки, образуется щель между двумя соседними слоями гипса, что несомненно может сказаться на точности позиционирования аналога имплантата.

Значение расстояния между боковой поверхностью аналога имплантата и внутренней стенкой ограждающей поверхности, равное от 1,5 до 2 мм, получено опытным путем и является оптимальным, учитывающим, что в основном степень расширения гипса при кристаллизации зависит от типа гипса и колеблется обычно от 1 до 1,5 мм (Александр Модестов, Германия, «Высокоточные разборные модели» // «Зубной техник», 2006, №6, с.9-16).

Из вышеизложенного следует, что использование в заявленном способе переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель поэтапной заливки гипса (оттиск заливают гипсом, оставляя не залитым пространство внутри ограждения, затем, после полной структуризации залитого гипса, не вынимая ограждения, заполняют вновь замешанным гипсом пространство внутри ограждения) позволяет полностью нейтрализовать расширение гипса при позиционировании аналога имплантата в рабочей модели, гарантируя точный размерный и пространственный перенос положения имплантатов с оттиска на рабочую модель, и изготавливать рабочие модели, обеспечивающие высокую установочную размерную точность между имплантатами, соответствующую исходной на оттиске. При этом заявленный способ прост в выполнении, так как не требует специального оборудования для осуществления, а также специальных навыков. К тому же заявленный способ экономичен, так как позволяет отказаться от высокоточных гипсов 5 класса.

Таким образом, заявленный способ переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель при осуществлении обеспечивает достижение технического результата, заключающегося в упрощении способа.

Приведенный в описании изобретения чертеж поясняет процесс выполнения заявленного способа переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель, где изображен оттиск 1 верхней челюсти (разрез) с установленным в нем аналогом имплантата 2, вокруг которого жестко и соосно установлено замкнутое ограждение 3 в виде цилиндра. Ограждение 3 установлено посредством десневой маски 4.

Заявленный способ переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель реализуют следующим образом. Устанавливают в оттиск аналог имплантата. Вокруг аналога имплантата устанавливают жестко и соосно замкнутое ограждение в виде цилиндра. Расстояние между боковой поверхностью аналога имплантата и внутренней стенкой ограждающей поверхности составляет от 1,5 до 2 мм, а высоту ограждения берут не менее высоты аналога имплантата. После этого оттиск заливают гипсом, оставляя не залитым пространство внутри ограждения. После полной структуризации залитого гипса, не вынимая ограждения, заполняют вновь замешанным гипсом пространство внутри ограждения. После полной структуризации вновь залитого гипса оттиск с модели снимают.

Для осуществления способа используют следующие материалы: гипс 3-4 класса для изготовления основания моделей; оттиск с верхней челюсти 1 с уставленными слепочными модулями с прикрученными аналогами имплантатов 2. Оттиски получали силиконовым материалом, например А-силиконом. С-силиконы и полиэфиры для выполнения заявленного способа не подходят в силу их набухания во влажной среде, в данном случае - контакт с влажной средой гипса. Ограждающие цилиндры 3 изготавливали из фольги длиной 20 мм и диаметром 8 мм. При этом начало и конец проклеивали любым адгезивом для оттискных масс для того, чтобы фольга не раскручивалась.

После установки в А-силиконовый оттиск 1 слепочных модулей с аналогами имплантатов 2 оттиск подвергали дезинфекции. Затем в ограниченную с аппраксимальных сторон пришеечную (десневую) область вокруг аналогов имплантатов 2 вносили незначительное количество десневой маски 4 по традиционной методике. До затвердевания массы 4 в нее погружали цилиндр 3 из фольги соосно с осью аналога имплантата 2. Край цилиндра 3 погружали на 1-2 мм в десневую маску 4. После затвердевания десневой маски 4 замешивали гипс 3-4 класса в вакуумном смесителе и на вибростолике заполняли весь оттиск 1 одновременно, оставляя свободное пространство внутри цилиндров 3 с аналогами имплантатов 2.

По истечению 24-48 часов (после полной сруктуризации гипса) замешивали небольшую порцию аналогичного или на порядок выше гипса, который осторожно заливали на вибростолике, чтоб не было воздушных пор, в пространство внутри цилиндра 3. При этом цилиндры 3 замуровывали в модель.

Через несколько часов оттиск снимали с модели и выкручивали слепочные модули. Дальнейшие этапы проводили по традиционной методике.

Способ переноса позиции имплантата с оттиска на гипсовую модель, включающий установку в оттиск аналога имплантата и заливку оттиска подготовленным гипсом, отличающийся тем, что предварительно вокруг аналога имплантата устанавливают жестко и соосно замкнутое ограждение в виде цилиндра, при этом расстояние между боковой поверхностью аналога имплантата и внутренней стенкой ограждающей поверхности составляет от 1,5 до 2 мм, а высоту ограждения берут не менее высоты аналога имплантата, после чего оттиск заливают гипсом, оставляя не залитым пространство внутри ограждения, затем после полной структуризации залитого гипса, не вынимая ограждения, заполняют вновь замешанным гипсом пространство внутри ограждения, после полной структуризации вновь залитого гипса оттиск с модели снимают.