Устройство для наблюдения за нагретыми телами

 

0 и и "ю- :А.;"Ни е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Соггиалистических

Респтблии к лвтовском свидетельству

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 02.VIII.1967 (№ 1177543/22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01.IV.1969. Бюллетень ¹ 13

Дата опубликования описания 11.IX.1969

Кл. 12g, 17/18

ЧПК В 011

Комитет по делам изобретений и OTKpblTHf. при Совете Министров

СССР

УД К 669.046-987.002.5 (088.8) Авторы изобретения

Л. Я. Кроль, В. С. Матвеев, А. Я. Нашельский, В. Н. Кузьмин и Г. Д. Дмитриев

Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАБЛЮДЕНИЯ

3А НАГРЕТЫМИ ТЕЛАМИ

Предмет изобретения

Описываемое устройство может быть лрименено,,например, в установках для получения Hi выращивания монокриста Iëîâ полупроводниковых соединений, в состав которых входит легколетучий компонент.

Известно устройство, включающее встроенное в патруooк камеры из непрозрачного: .материала смотровое окно из оптического кварца. При,нагреве тел до температур, превы,шающих 500 С, в условиях избыточного давления газа в камере между нагретым телом и окном возникают конвекционные потоки, мешающие наблюдению.

Описываемое устройство отличается от известного тем, что оно сгнабжено, входящей в полость патрубка трубкой, торцы которой закрыты пластинами из оптически прозрачного материала. Полость трубки сообщается с полостью камеры. Коаксиально трубке установлен нагреватель. При таком выполнении устройства устраняется конвекция газа между смотровым окном и нагретым телом и вследствие этого улучшаются условия наблюдения.

На чертеже схематически изображена камера высокого давления с описываемым устройством.

В камере 1 установлен тигель 2 с расплавом. Наблюдение за расплавом осуществляется через встроенное в патрубок 8 смотровое окно. В камере по оси патрубка установ генa кварцевая трубка, к торцам которой припаяны пластины из оптически прозрачного кварца. Полость трубки через небольшое отверстие сообщается с полостью камеры. На трубку намотан нагреватель сопротивления.

Устройство для наблюдения за нагретыми телами, расположен ныхги в полости герметич15 ной камеры высокого давления, выполненной из непрозрачного материала, включающее встроенное в патрубок камеры смотровое окно из оптически .прозрачного материала, от.ги шющееся тем, что, с целью ликвидации

20 конвекцпи газа между смотровым окном и нагретым телом, оно снабжено входящей (3 полость патрубка трубкой с торцами, закрытыми пластинами из оптически прозрачного материала, полость которой сообщается с по25 лостью камеры, и установленным коаксиально трубке нагревателем.

240681

Редактор Т. Каранова

Заказ 2135/3 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитет,. по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр, Серова, д. 4

Типография, пр, Сапунова, 2

Составитель И, Алукер

Техред Л. Я. Левина

Корректоры: Е. Ласточкинй и Л. Кооогод

Устройство для наблюдения за нагретыми телами Устройство для наблюдения за нагретыми телами 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройству для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплавов или раствор-расплавов

Изобретение относится к выращиванию кристаллов

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности к стадии предподготовки раствор-расплавов или расплавов, т.е

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского

Изобретение относится к производству, для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского

Изобретение относится к области определения структуры кристалла кремния и может быть использовано при определении бездефектной зоны монокристалла кремния при выращивании кристаллов по методу Чохральского

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского
Наверх