Патент ссср 256092
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
<п> 256092 авиа Советских ациавиатических
Ресеублии (б1) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 22.03.68 (21) 32269?0/26-25 (51) М Кч Н 011 9 22 с присоединением заявки №
Совета Мииистров СССР
Il0 илам изобретений и открытий
Опубликовано 25.09.74. Бюллетень № 35
Дата опубликования описания 09.04.75 (53) УДК 621.385.832. .032.36 (088.8) (72) Авторы изобретения
Г. Е, Попова и Н. П. Сощин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО
МАТРИЧНОГО ЭКРАНА
Гасударствеииый иаг итет
2 Приоритет
Предлагается способ изготовления электролюминесцентных матричных экранов, применяемых в вычислительной технике для создания пассивных запоминающих устройств.
Сформированные известным способом экраны содержат керамические нелинейные сопротивления, контактирующие с мозаичными элементами, С целью повышения высокой разрешающей способности и контрастности изображения, согласно предлагаемому способу, сплошные рабочие слои электролюминесцентного экрана (слой нелинейного полупроводникового сопротивления, металлического электрода - и электролюминесцентный слой) формируют на одномерной металлической сетке, а дискретную структуру электролюминесцентного и нелинейного слоев формируют методом фотохимической гравировки с использованием в качестве трафарета структуры предыдущего слоя.
Затем промежутки заполняют нейтральным диэлектриком и всю систему переносят на стеклянную подложку экрана с растровым электродом из окисно-оловянного светопрозрачного слоя.
Для получения матричных экранов сначала формируют на промежуточном основании одномерный проволочный электрод, затем изготовляют сплошные рабочие слои с добавлением в каждый слой фоторезистивного агента.
После этого проводят фотохимическую гравировку сплошных слоев, используя в качестве трафарета структуру предыдущего слоя. Промежутки в дискретной структуре рабочих слоев заполняют инертным диэлектриком, напри»ер Т10в или А1 0в. Полученную структуру переносят на стеклоподложку cG светопрозрачным растровым электродом.
Изготовленные предлагаемым способом
10 матричные электролюминесцентные покрытия имеют высокую разрешающую способность, например, свыше 3 линии и, значительную контрастность в статическом режиме возбуждения порядка 1 104 — 5. 104 при средней ярко15 сти свечения 30 — 40 (частота возбуждающего напряжения f=10000ru, напряжение 280 —320 в).
Пример. На стеклянной пластине разме20 ром 100><100 мм формируют намоткой одномерную металлическую сетку с шагом 250 мк, после чего на сетку наносят электролюминесцентный слой толщиной 50 мк, например, методом литья. Предварительно в связующее
25 электролюминесцентного слоя добавляют фоточувствительный агент, например бихромат аммония (NH4) .Cr207. На электролюминесцентный слой наносят тонкий металлический электрод, например, вакуумным испарением
30 алюминия.
Составитель H. Таборко
Техред T. Курилко
Корректор Т. Добровольская
Редактор T. Орловская
Заказ 834/2 Изд. № 427 Тираж 760 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Слой нелинейногo no iynpoaop HKoaor o соединения толщиной 200 мк формируют на металлическом электроде, например, методом литья, при этом также в связующее слоя добавляют фоторезистивный агент.
Фотохимическую гравировку слоя нелинейного полупроводникового сопротивления проводят после экспонирования через специально изготовленный негатив, а затем растворителем, например этилцеллозельвом, растворяют незадубленные участки органического связующего. Фотогравировку сплошного металлического слоя и затем электролюминесцентного осуществляют, используя в качестве трафарета структуру нелинейного слоя. Промежутки в дискретной структуре заполняют нейтральным диэлектриком, после чего сформированную систему слоев переносят методом термопластичного переноса на стеклянное основание с заранее изготовленным светопрозрачным растром.
Предмет изобретения
Способ изготовления электролюминесцентного матричного экрана, состоящего из последовательно включенных слоев нелинейного полупроводникового сопротивления и электролюминесцентного, отличающийся тем, что, IO с целью изготовления экранов с высокой разрешающей способностью, сплошные рабочие слои формируют на одномерной металлической сетке, а дискретную структуру электролюминесцентного и нелинейного слоев форми15 руют способом фотогравировки с использованием в качестве трафарета структуры предыдущего слоя, затем промежутки заполняют нейтральным диэлектриком и всю систему переносят на стеклянную подложку со свето20 прозрачным растровым электродом.
