Безвакуумный аналог передающей телевизионной трубки

 

О П И С А Н И Е 258374

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сова Саветоких

Социалиотичеоких

Рволублик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

f

Кл. 21ат, 32/40

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 02. I 1.1966 (№ 1053570/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет оо делам изобретениЯ и открытий при Совете Министров

0GCP

МПК Н 0Ц

УДК 621.385.832.524.25 (088.8) Опубликовано ОЗ.XII.1969. Бюллетень ¹ 1 за 1970

Дата опубликования описания 24.IV.1970

Авторы изобретения

В. Ф. Золотарев и В. И. Стафеев

Заявитель

БЕЗВАКУУМНЫЙ АНАЛОГ ПЕРЕДАЮЩЕЙ

ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ТРУБКИ

Известны безва куумные аналоги телев изионных;передающих трубок, использующие для разложения изображения световой луч. Основным элементом этих устройств является двухслойный,полупроводниковый преобр азователь светового изображения в электрический рельеф. Они содержат фотопрово|дящий слой, покрытый полупрозрачным электродом, и металлическую подложечку, на которой нанесен изолирующий слой с проводящими полосками.

Известные устройства .имеют значительные габариты, так как требуют источника с ветового луча и систему для его отклонения.

Предложенный без вакуумный аналог передающей телевизионной трубки отличается тем, что в качестве составной части безвакуумного телевизионного преобразователя используется нейристорная линия, и разложение изображения осуществляется с помощью участка пониженного сопротивления, распространяющегося по нейристорной линии.

Фотопроводящий слой нанесен на многослойную полупроводниковую структуру с тир атронной характеристикой, р асположен .ную на металлической подложечке, и разделен совместно с многослойной полупроводниковой структурой на строки, представляющие сооой эти нейристорные линии. Для создания замкнутой развертки концы предыдущих, строк электрически соединены с началами последующих строк по одному из средних слоев многослойной:полупроводниковой структуры, а у начала, каждой строки расположены два:вы5 вода от одного из средних слоев многослойной полупроводниковой структуры для отвода кадровых и строчных синхронизирующ их импульсов.

Строки из нейристорной линии расположены

10 с,двух сторон металлической подложки, причем концы предыдущих строк с нижней стороны подложки электрически соединены с концами последующих строк с верхней стороны подложки .по одному из срвдних слоев много15 слойной полупроводниковой структуры. а аналоги гные соединения начала строк перекрещены с соединениями концов строк.

Предложенное устройство не требует системы для отклонения луча и, следовательно, ге20 нераторов кадровой и строчной развертки. Это позволяет значительно снизить габариты,,вес, потребляемую мощность и повысить надежность работы телевизионной, передающей апп ар атуры.

25 На чертеже изобпажен раз рез аналога передающей телевизионной трубки вдоль строки и схема питания.

Ан алог перед ающей телевизионной трубки образован многослойной полупроводниковой

30 структурой 1, нанесенной на металлическую

258374

Предмет изооретения

Составитель И. Н. Еремина

Текрсд T. П. Курилко Корректор А. П. Васильева

Редактор П. Шлайн

Заказ 37, 8 Тираж 499 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Сонете Министров СССР

Москва 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 подложку 2, на,противоположной стороне которой расположен изолирующий слой 8 с проводящими полосками 4, с помощью которых концы ней ристорных линий предыдущих строк электрически замкнуты с,началами последующих строк по слою 5 многослой н ика.

На многослойную полупроводниковую структуру наносится фото про водящий слой б, покрытый IIIoJIóïðîçðачным слоем 7.

Многослойная полупроводниковая структура .совместно с фотопроводящим слоем разрезана на строки, представляющие собой нейристорные линии. От начала всех строк отведены парные выводы от,слоя 5, расположенные оди н от другого на расстоянии .размера элемента разложения. Импульсы, снимаемые с этаких отводов, могут быть использованы для кадровой и строчной синхронизации приемного телевизионно -о экрана.

Многослойная полупроводниковая сгруктура и фотопроводящий слой подбираются таким образом, чтобы их параметры мотли обеспечить стандартность широковещательного и промышленного теловкдения.

Сопротивление многослойной полупроводННКоВоН структуры в з акрытом состоянии

R 10а — 10т оя.

Коэффициент переключения по сопротивлению а этой структуры 10а — 10в.

Следует обеспечить, следующее соотношение

COlIIlpOTH BJIåítHé: R2>>Лф >>R><. где Р@ — сопротивление фотопроводящего слоя.

При расположении строк,ней|ристорной 7Ннии,с двух сторон металлической подложи«и образуется экран с двумя чувствительными по верхностями для сравнения образов H;ItH телевизионного слежения за движущимися светящимися объектами.

1. Безвакуумный аналог телевизионной передающей телевизионной трубки, содержащ ий

5 фотопроводящий слой, покрытый полупрозр ачньгм электродом, металлическую подложку, на которой нанесен изоларующий слой, с,расположенными на нем проводящиии полосками, отличающийся тем, что, с целью уменьше10 ния габаритов, веса, потребляемой мощности

B повышения надежности, в нем фотопроводящий слой нанесен на мн.послойную полупроводниковую структуру с тиратронной характеристикой, расположенную на металлической

15 подложке, и разделен совместно с многослойной полупроводниковой структурой на строки, представляющие собой нейристор ные линии, причем для создания замкнутой развертки концы предыдущих строк электрически соеди20 иены с началами последующих строк по одному из средних слоев м|ногослойной полупро водниковой структуры, а у начала каждой строки ра сположены два,вывода от одного из средних слоев многослойной полупровод нико25 вой структуры для отвода кадровых и строчных синхронизирующих импульсов.

2. УстройcTtBQ по п. 1, отличающееся тем, что, с целью создан ия двух чувствительных поверхностей для сравнения образов и.ти теле30 визионного слежения за движущимися светящимися объектами, старо«и из нейристорной линии рааположены с двух .сторон металлической подложки, причем концы предыдущих строк с нижней стороны подложки электриче35 ски соединены с концами последующих строк с верхней стороны подложки IIo одному из средних слоев многослойной полупроводниковой структуры, а аналогичные соединения начала строк перекрещены с соединениями кон40 цов строк.