Безвакуумный аналог телевизионной передающейтрубки
О П И -C-4М вЂ” " РРМе
258375
Союз Сооетсник
Социалистических
Респтблин
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельс-:",.", М
Заявлено 02.11.1966 (¹ 1053569 26-25) Кл. 2!ат, 32 40 с присоединением заявки ¹
Приоритет
Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
МПК Н 011
УДК 621.385.832.524.25 (088.8) Опубликовано 03.Х11.1969. E,îëлетень ¹ 1 за 1970
Дата опубликования описания 4.VI.19 0 гентор изобретения
В. Ф. Золотарев
Заявитель
БЕЗВАКУУМНЫЙ АНАЛОГ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ПЕРЕДАЮЩЕЙ
ТРУБКИ
RC = R1R2(Ñ1 + С2)
R„„ л R
Известны бсзвакуумные аналоги телевизионных передающих трубок, в которых разложение изображения с=уществляется с помощью бегущего светового луча или с помощью уча:тка пониженного сопротивления, распространяющегося по нейристорной линии.
Такие аналоги основаны на эффекте накопления заряда в фотопроводящих слоях, что приводит к значительной инерционности известных устройств. 10
Кроме того, при использовании фотопроводящих слоев в качестве мишени требования, гредъявляемые:к этим слоям, lIIpBKTH÷åñêè несовместимы: низкая инерционность при высокой чувствительности. 15
Предложенный аналог отличается от известных тем, что в качестве распределенного накопителя энергии нейристорной ли нии применена фотоемкость, образованная объемным зарядом крем ниевой многослойной структуры и 20 полупрозрачныхт проводящим слоем, изолированным от этой структуры слоем двуокиси кремния. Это при водит к существенному увеличению фоточувств ительности передающей телевизионной трубки при увеличении быст- 25 родействия, дает экономический эффект.
Аналог изображен на чертеже.
Он образован многослойной полупроводниковой структурой 1 с тиратронной характеристикой на металлической подложке 2, изоли- 30 рующим слоем 8 фотоемкости, полупрозрачным слоем 4, изолирующим слоем 5 и металлическими полосками, которые передают возбуждение с,конца предыдущей строки на начало следующей.
Постоянная времени заряда фотоемкости и, следовательно, ток через сопротивление нагрузки R„, указанное на чертеже, определяетвеличиной где Ят — сопротивление изолирующего слоя фотоем кости;
Рз — сопротивление многослойной полупроводниковой структуры в закрытом состоя нии; а — коэффициент переключения многослойной структуры по сопротивлению (а=10з для четырехслойной полупроводниковой структуры на кремний);
Ст — величина фотоемкости порядочка
10слтз
C2 — емкость много".лойной структуры, причем всегда Сз«Ст.
Многослойную полупроводниковую структуру и изолирующий .слой фотоехокости подб ирают таким образом, чтобы обеспечить стандарт широковещательного телевидения, 258375
Предмет изоб ретения
Составитель И. Н. Еремина
Редактор Б. Б. Федотов Текред Т П. Курилко Корректор А. П. Васильевы
Заказ Р32713 Тираж 500 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьггий прп Совете Мшшстров СССР
Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4,5
Типографии, пр. Сапунова, 2
Бсз вакуумHûé аналог телевизиolHной передающей трубки мгновенного действия, состоящий из многослойной полупроводниковой структуры с тиратронной характеристикой, нанесенной на металлическую подложку, изоли рующего слоя, расположенного на противоположной стороне металлической подложки, металлических,полосок для передачи возбужде|ния с конца предыдущей строки на,начало последующей, нанесенных на изолирующий слой, полупрозрачного проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью уменьшения инерционности телевизионного преобразователя изо5 бражения,,в качестве распределенного накопителя энергии нейристорной линии использована фотоемкость, образовакгная объемным заря дом многослойной полупроводниковой структуры и полупрозрачным проводящим слоем, 10 изолиров аннам от многослойной полупроводниковой структуры слоем двуокиси кремния.
