Сид с управляемой угловой неравномерностью

Источник света, в котором используют светоиспускающий диод с элементом, преобразующим длину волны, выполнен с возможностью получения неравномерного углового распределения цвета, которое можно использовать с конкретным оптическим устройством, которое трансформирует угловое распределение цвета в равномерное распределение цвета. Соотношение высоты и ширины элемента, преобразующего длину волны, выбирают для получения желаемого неравномерного углового распределения цвета. Использование управляемой угловой неравномерности цвета в источнике света и его использование в применениях, которые трансформируют неравномерность в равномерное распределение цвета, увеличивает эффективность системы по сравнению со стандартными системами, в которых используют равномерный угловой светоиспускающий диод. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 10 ил.

 

Область изобретения

Настоящее изобретение относится к светоиспускающим диодам (СИД) с преобразованием длины волны и, в частности, к управлению угловой зависимостью СИД для получения желаемой неравномерности.

Предпосылки

Во многих применениях в осветительной технике все большее распространение получают осветительные устройства, в которых используют светоиспускающие диоды (СИД). Как правило, в СИД используют преобразование первичной эмиссии посредством люминофора для создания белого света, но люминофоры также можно использовать для создания более насыщенных цветов, таких как красный, зеленый и желтый.

Стандартной выявленной в СИД проблемой, связанной с преобразованием в люминофоре, является неуправляемая угловая зависимость и неравномерность цвета получаемого света. Как правило, длина волны света, испускаемого со стороны слоя люминофора, или света с более высокими значениями углов, выходящего из слоев люминофора, имеет более высокое значение, т.е. происходит преобразование большего количества света, по сравнению со светом, испускаемым верхней частью слоя люминофора, поскольку свет, испускаемый верхней частью, является более перпендикулярным и имеет меньше возможностей для преобразования посредством люминофора. В результате цвет испускаемого света имеет угловую зависимость.

Современные подходы к проблеме неравномерного цвета включают уменьшение угловой зависимости. В качестве примера, один подход состоит в нанесении покрытия по бокам материала люминофора для предотвращения бокового испускания света. Другой подход состоит в добавлении рассеивающих частиц в материал люминофора, чтобы смешивать преобразованный и не преобразованный свет так, чтобы цвет света, испускаемого в сторону, и света, испускаемого вверх, был приблизительно одинаковым. Однако такие решения проблемы угловой зависимости снижают эффективность устройств, а также увеличивают стоимость производства. Таким образом, желательно создать другие способы решения проблемы угловой зависимости.

Краткое изложение

Источник света содержит СИД с элементом, преобразующим длину волны, с выбранным соотношением высоты и ширины для получения желаемого неравномерного углового распределения цвета, например, с равномерностью Δu'v'>0,015 в пределах углового распределения от 0° до 90°. Источник света используют в применениях, которые трансформируют неравномерное угловое распределение цвета источника света в равномерное распределение цвета, например, с равномерностью Δu'v'<0,01. Таким образом, увеличивают эффективность системы по отношению к стандартным системам, сконструированным с использованием СИД, которые выполнены с возможностью получения равномерного углового распределения цвета.

Краткое описание чертежей

На фиг.1 представлен вид сбоку источника света, который содержит СИД с элементом, преобразующим длину волны, который обладает управляемым неравномерным угловым распределением цвета.

На фиг.2 представлен сдвиг Δu'v' в зависимости от угла для демонстрации угловой неравномерности цвета источника света на фиг.1.

На фиг.3A и 3B представлен пример источника света, который используют в применении во вспышках.

На фиг.4 представлен вид сбоку источника света с полубоковой конфигурацией эмиттера.

На фиг.5 представлен другой вариант осуществления источника света, который испускает свет с управляемой неравномерной угловой зависимостью цвета.

На фиг.6A и 6B в качестве примера представлен вид сверху и вид сбоку нескольких источников света, которые используют в применении в задней подсветке.

На фиг.7 представлен график кривой поглощения на 1 мм для полимера ПММА, который обычно используют в качестве волновода в применении в задней подсветке.

На фиг.8 представлен график, который иллюстрирует эффект спектрального поглощения волновода.

На фиг.9 представлен график, который иллюстрирует цветовой сдвиг вследствие поглощения ПММА волновода (синий) в зависимости от расстояния.

Подробное описание

На фиг.1 представлен вид сбоку источника света 100, который содержит светоиспускающий диод (СИД) 101 с элементом, преобразующим длину волны 110, который обладает контролируемым неравномерным угловым распределением цвета. Также на фиг.1 представлено устройство 120, используемое с источником света 100, с линзой 122, расположенной для отражения света от источника света 100 в сторону устройства 120. Устройство 120 может представлять собой применение, такое как применение во вспышках или задней подсветке или другие подходящие применения. Угловая неравномерность цвета источника света 100 выполнена с возможностью использования с оптическим устройством 120 так, чтобы комплексная система, т.е. источник света 100 и устройство 120, была более эффективна, чем система, которая содержит стандартный источник света 100 с равномерным угловым СИД.

СИД 101 изображен в виде устройства с перевернутым кристаллом с контактными площадками 102, расположенными на нижней поверхности СИД 101. Контактные площадки 102 соединены с контактными элементами 104 на подложке 106, которую можно выполнить, например, из керамики или кремния. При желании, подложку 106 можно установить на теплоотвод 108. При желании, можно использовать несущие конструкции, отличающиеся от подложки 106 и теплоотвода 108.

В одном из вариантов осуществления СИД 101 может представлять собой синий или ультрафиолетовый (UV) СИД и может представлять собой устройство с высокой энергетической яркостью, например, того типа, который описан в заявке на патент США с серийным № 10/652348, которая озаглавлена «Package for a Semiconductor Light Emitting Device» авторов Frank Wall et al., которая подана 29 августа 2003 года, публикация № 2005/0045901, имеет того же патентообладателя, что и настоящее раскрытие и включена в настоящий документ в качестве ссылки. Диаграмма углового испускания СИД 101 может относиться к ламбертовскому типу (как показано на фиг.1) или к управляемому типу с использованием фотонных кристаллов, таких как решетчатые структуры.

На СИД 101 установлен элемент, преобразующий длину волны 110, который может представлять собой, например, люминофор в связующем материале, встроенный, например, в силикон, и отформованный поверх СИД 101 или в жесткую керамическую пластину, которая иногда упоминается в настоящем документе как «люминесцентная керамика». Как правило, керамические пластины представляют собой самостоятельные слои и могут обладать полупрозрачностью или прозрачностью для конкретных длин волн, которые могут снижать потери от рассеяния, связанные с непрозрачными слоями, преобразующими длину волны, такими как однородные слои. Люминесцентные керамические слои могут быть прочнее, чем тонкая пленка или однородные слои люминофора.

Примеры люминофоров, которые можно использовать в связующем материале, отформованном поверх СИД 101 или в люминесцентной керамике, включают алюминиевые темно-красные люминофоры с общей формулой (Lu1-x-y-a-b YxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:CeaPrb, где 0<x<1, 0<y<1, 0<z≤0,1, 0<a≤0,2 и 0<b≤0,1, такие как Lu3Al5O12:Ce3+ и Y3Al5O12:Ce3+, которые испускают свет в желто-зеленом диапазоне; и (Sr1-x-yBaxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz2+, где 0<a<5, 0<x≤1, 0<y<1 и 0<z<1, такие как Sr2Si5N8:Eu2+, который излучает свет в красном диапазоне. Подходящие керамические пластины, содержащие Y3Al5O12:Ce3+, можно приобрести в компании Baikowski International Corporation of Charlotte, N.C. Также можно использовать другие зеленые, желтые и красные испускающие люминофоры, включая (Sr1-a+bCabBac)SixNyOz:Eua2+ (a=0,002-0,2, b=0,0-0,25, c=0,0-0,25, x=1,5-2,5, y=1,5-2,5, z=1,5-2,5), включая, например, SrSi2N2O2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+, включая, например, SrGa2S4:Eu2+; Sr1-xBaxSiO4:Eu2+; и (Ca1-xSrx)S:Eu2+, где 0<x<1, включая, например, CaS:Eu2+ и SrS:Eu2+. Соответствующими стрелками 114 и 115 показан источник света 100, который испускает свет как вверх, так и в сторону, где испускаемый вверх свет 114 имеет синевато-белый цвет, а испускаемый в сторону свет 115 имеет желтоватый цвет. Управляя высотой H элемента, преобразующего длину волны, 110 или, более конкретно, соотношением высота/ширина (H/W), можно управлять угловой зависимостью света для получения желаемого количества синевато-белого света 114 и желтоватого света 115, которое подходит для устройства 120. В качестве примера, для получения не столь синего цвета используют элемент, преобразующий длину волны, 110 с увеличенным значением высоты H, тогда как для получения более синего света используют элемент, преобразующий длину волны, 110 с меньшим значением высоты H.

На фиг.2A представлен сдвиг Δu'v' в зависимости от угла, который показывает один из вариантов осуществления угловой неравномерности цвета источника света 100. Сдвиг Δu'v' в зависимости от угла представляет собой меру цветового сдвига относительно исходной точки. Как можно видеть на фиг.2A, источник света 100 создает сдвиг Δu'v'>0,015 между 0° и 90° относительно исходной точки 0°. Это является максимальным изменением цвета в зависимости от угла в пределах данного углового диапазона. На фиг.2B представлен пример Δu'v' для другого источника света 100 с синим СИД и красным/зеленым люминофорами, который выполнен с возможностью получения Δu'v'>0,05 в зависимости от угла. Меняя, например, соотношение H/W, можно получить различные максимальные значения Δu'v' в зависимости от угла, например, максимальное значение Δu'v' в зависимости от угла может быть более 0,015, 0,03, 0,045 или 0,06 в зависимости от желаемого применения, например, устройства 120, в котором используют источник света 100. Затем устройство 120, в котором используют источник света 100, в соответствии с одним из вариантов осуществления создает пространственную равномерность цвета Δu'v' менее 0,015, например, менее чем 0,01 или 0,005.

Таким образом, вместо того, чтобы пытаться устранить угловую зависимость цвета света, источник света 100 сконструирован для получения управляемой угловой неравномерности цвета, которую оптимизируют для конкретного устройства 120, в котором используют источник света 100. Таким образом, как описано выше, например, источник света 100 выполнен с возможностью получения управляемой угловой неравномерности цвета со сдвигом Δu'v'>0,015 в зависимости от угла, но при использовании в устройстве 120, устройство 120 создает пространственную равномерность цвета Δu'v'<0,015. В зависимости от требований применения возможны различные пространственные равномерности цвета, такие как от Δu'v'<0,05 до Δu'v'<0,015. Например, медицинские мониторы или другие применения, которые требуют высокоточного представления цвета, можно создавать с задней подсветкой в соответствии с одним из вариантов осуществления, который имеет Δu'v'<0,05, тогда как потребительские мониторы можно создавать с подсветкой, которая имеет Δu'v'<0,01, а такие применения, как вспышка камеры, могут иметь Δu'v'<0,015. При управляемой угловой неравномерности цвета можно увеличить эффективность источника света 100, поскольку отсутствует необходимость блокировать испускание света из источника света 100. Таким образом, суммарные рабочие характеристики системы, содержащей устройство 120 и источник света 100, улучшены по сравнению с системами, в которых используют равномерные угловые СИД.

На фиг.3A и 3B представлен пример источника света 100, который можно использовать в устройстве 120 типа вспышки, например, для камеры. На фиг.3B представлен источник света 100 с дополнительным управляющим элементом 112, таким как дихроичный фильтр, расположенный поверх элемента, преобразующего длину волны 110. Дихроичный фильтр 112 по-разному пропускает свет в зависимости от угла, что дополнительно содействует управлению угловой зависимостью. Альтернативно, рассеивающий элемент можно использовать для соответствующего снижения или управления угловой зависимостью. Как показано на фиг.2B, источник света 100 создает синевато-белый свет 114 и желтоватый свет 115, который отражается отражателем 122 и смешивается на изображаемой мишени 124.

При желании, источник света 100 может представлять собой эмиттер в боковой (или полубоковой) конфигурации, в котором происходит небольшая эмиссия вверх и значительная эмиссия в стороны. На фиг.4 представлен источник света 100 в полубоковой конфигурации эмиттера, в котором отсутствует необходимость в верхнем отражателе на верхней поверхности 110top элемента, преобразующего длину волны, 110. Как показано на фиг.4, диаграмма углового испускания по сторонам 110side источника света 100 относится к ламбертовскому типу. При замене верхнего отражателя на увеличенную высоту H элемента, преобразующего длину волны, 110 по отношению к ширине W элемента, преобразующего длину волны, 110 (которая в этом варианте осуществления равна ширине СИД 101), уменьшается число отражений света в сторону СИД 101. Отражения в сторону СИД 101 являются не эффективными и, следовательно, снижая отражения в сторону СИД 101, снижают потери в системе. Кроме того, увеличивая высоту H, увеличивают площадь сторон 110side элемента, преобразующего длину волны, 110, что обеспечивает увеличенное извлечение света сторонами 110side элемента, преобразующего длину волны 110. Увеличивая высоту H элемента, преобразующего длину волны, 110 по отношению к ширине W, источник света 100 оптимизируют для применений, которые требуют извлечения света, в противоположность накоплению света. Например, в таких применениях, как оптическая конструкция вспышки, желательно использовать маленький спроектированный источник с тем, чтобы можно было сохранить малые размеры оптики, при этом накапливая наибольшее количество света и направляя свет в сторону мишени 1,05×0,8 метра на расстоянии в 1 метр. Увеличивая высоту элемента, преобразующего длину волны 110, увеличивают количество извлеченного света. Концентрацию Cc в элементе, преобразующем длину волны, можно задать, чтобы получить желаемую цветовую точку для конкретного применения. Дополнительно, в элемент, преобразующий длину волны, можно добавить рассеивающие частицы, чтобы содействовать извлечению света в воздух.

На фиг.5 представлен другой вариант осуществления источника света 100, который испускает свет с управляемой угловой зависимостью цвета. Источник света 100 содержит тонкий слоистый элемент 116, находящийся в оптическом соединении с верхней поверхностью элемента, преобразующего длину волны, 110, который может представлять собой, например, дихроический слой, рассеивающий слой или слой красного люминофора. При желании, элемент 116 можно разместить между элементом, преобразующим длину волны, 110 и СИД 101, в частности, когда элемент 116 представляет собой слой красного люминофора, элемент, преобразующий длину волны, 110 представляет собой зеленоватую люминофорную пластину, такую как LUAG, а СИД 101 представляет собой синий СИД. Дополнительно источник света 100 может содержать переформованную куполообразную линзу 118, которая может представлять собой оксид кремния, эпоксидную смолу или другой подходящий материал, который также может способствовать управлению угловой неравномерностью цвета. При желании, не обязательно использовать переформованную куполообразную линзу 118. Испускаемый вверх свет, обозначенный стрелкой 114, имеет синевато-белый цвет и ламбертовский профиль испускания. Испускаемый в сторону свет, обозначенный стрелкой 115, имеет желтоватый цвет и изотропный профиль испускания, обусловленный высотой H элемента, преобразующего длину волны, а также рассеиванием. Испускание источника света 100 с угловой зависимостью можно трансформировать в равномерное пространственное цветовое распределение в желаемом применении, таком как задняя подсветка.

На фиг.6A и 6B в качестве примера представлены вид сверху и вид сбоку нескольких источников света 100, которые использованы в устройстве задней подсветки 120. Задняя подсветка 120 извлекает цвет, например, синий против зеленого/красного, из одного источника света 100 в различных местах внутри задней подсветки. Таким образом, используя несколько источников света 100 и управляя угловым распределением цвета испускаемого света, можно получить равномерное пространственное распределение цвет в применении в задней подсветке.

На фиг.7 представлен график кривой поглощения на 1 мм полимера ПММА, который обычно используют в качестве волновода в применении в задней подсветке. По оси X отложена длина волны, тогда как по оси Y отложен процент поглощения. На фиг.8 представлен график, который иллюстрирует эффект спектрального поглощения волновода, иллюстрирующий изменение спектра от края (показано кривой 202) и центра (показано кривой 204) 72” волновода из ПММА. ПО оси X отложена длина волны, тогда как по оси Y отложено относительное спектральное распределение. Как видно на фиг.8, центр 204 спектра в центре волновода содержит не столь синий свет, как край 202 волновода. На фиг.9 представлен график, иллюстрирующий теоретический цветовой сдвиг вследствие поглощения волновода из ПММА (синий) в двусторонней задней подсветке в зависимости от расстояния для стандартного источника света, который обладает равномерным угловым и пространственным вводом. По оси X отложено положение на диагонали задней подсветки в дюймах, тогда как на оси Y отложено изменение в Δu'v' от центра к краю. Как показано, стандартный волновод при использовании стандартного равномерного углового источника света имеет Δu'v' больше 0,01 и в действительности доходит до 0,02.

Таким образом, как можно видеть из графиков фиг.7, 8 и 9, более синий свет поглощается в зависимости от расстояния волноводом из ПММА, в результате чего такой волновод имеет не столь синий свет в центре волновода, как по краям волновода. Кроме того, как показано на фиг.9, сдвиг Δu'v' изменяется приблизительно линейно в зависимости от расстояния. Используя контролируемое неравномерное угловое распределение цвета источника света 100, более синий свет можно испускать непосредственно в направлении центра волновода, чтобы компенсировать синее поглощение материала ПММА для получения более равномерного распределения цвета в применении в задней подсветке. В качестве примера, на фиг.10 представлено теоретическое поглощение волновода из ПММА, похожее на представленное на фиг.9, но с использованием источника света, обладающего управляемой угловой неравномерностью цвета со сдвигом Δu'v'>0,01 в зависимости от угла. Как показано на фиг.10, полученная пространственная равномерность цвета имеет Δu'v' менее 0,01.

Несмотря на то, что настоящее изобретение с целью разъяснения проиллюстрировано в связи с конкретными вариантами осуществления, настоящее изобретение не ограничено ими. Различные доработки и модификации можно выполнить, не отклоняясь от объема изобретения. Следовательно, сущность и объем прилагаемой формулы изобретения не ограничены предыдущим описанием.

1. Источник света, который содержит:
светоиспускающий диод;
элемент, преобразующий длину волны, расположенный поверх светоиспускающего диода, элемент, преобразующий длину волны, который имеет высоту и ширину, где соотношение высоты и ширины выбирают для получения света с желаемым неравномерным угловым распределением цвета Δu'v'>0,015 в пределах углового распределения от 0 до 90°.

2. Устройство по п.1, которое дополнительно содержит отражатель для отражения испускаемого вверх света и испускаемого в сторону света от элемента, преобразующего длину волны, где испускаемый вверх свет и испускаемый в сторону свет обладают желаемым неравномерным угловым распределением цвета.

3. Устройство по п.2, в котором отражатель фокусирует испускаемый вверх свет и испускаемый в сторону свет с желаемым неравномерным угловым распределением цвета на мишени, где испускаемый вверх свет и испускаемый в сторону свет смешиваются для получения равномерного пространственного распределения цвета на мишени с равномерностью Δu'v'<0,015.

4. Устройство по п.3, в котором источник света используют в качестве вспышки.

5. Устройство по п.1, которое дополнительно содержит оптическое устройство, соединенное для приема света, испускаемого элементом, преобразующим длину волны, при этом желаемое неравномерное угловое распределение цвета трансформируют в равномерное распределение цвета в оптическом устройстве с равномерностью Δu'v'<0,01.

6. Устройство по п.5, в котором оптическое устройство представляет собой заднюю подсветку с использованием волновода и где устройство дополнительно содержит несколько источников света.

7. Устройство по п.1, которое дополнительно содержит слоистый элемент, соединенный с элементом, преобразующим длину волны.

8. Устройство по п.1, в котором элемент, преобразующий длину волны, содержит люминофор.

9. Способ освещения, который содержит:
предоставление светоиспускающего диода;
предоставление элемента, преобразующего длину волны, с соотношением высоты и ширины, которое выбирают для получения желаемого неравномерного углового распределения цвета в свете, испускаемом из элемента, преобразующего длину волны, с равномерностью Δu'v'>0,015 в пределах углового распределения от 0 до 90°; и соединение элемента, преобразующего длину волны, со светоиспускающим диодом для получения источника света с желаемым неравномерным угловым распределением цвета.

10. Способ по п.9, который дополнительно содержит трансформацию желаемого неравномерного углового распределения цвета из источника света в равномерное пространственное распределение цвета в оптическом применении с равномерностью Δu'v'<0,015.

11. Способ по п.10, в котором оптическим применением является применение в задней подсветке.

12. Способ по п.10, в котором оптическим применением является применение во вспышках.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является уменьшение неравномерности яркости и оттенков.

Изобретение относится к светотехнике, в частности к световым приборам на светодиодах. Сущность изобретения заключается в том, что рабочая поверхность формирующей оптической системы, через которую выводится излучение светодиода, представляет собой в общем случае асимметричную асферическую поверхность.

Предложенный способ изготовления полупроводниковых излучателей применяется в технологии квантовой электроники. Получаемые полупроводниковые излучатели предназначены для использования в аппаратуре медицинской диагностики, экологической аппаратуре контроля газовых сред, волоконно-оптических датчиках давления, температуры, вибрации, химического анализа веществ, скорости потока жидкости и газов, в системах связи, контрольно-измерительной аппаратуре.

Сид-модуль // 2503093
Согласно изобретению предложен источник света, который содержит СИД-кристалл и люминесцентный преобразователь длины волны, смонтированные бок о бок на основании, причем СИД-кристалл выполнен с возможностью излучения света возбуждения в первом диапазоне длин волн, а люминесцентный преобразователь длины волны выполнен с возможностью преобразования света возбуждения в преобразованный свет во втором диапазоне длин волн; отражатель со встроенным поглощающим слоем, причем отражатель выполнен с возможностью пропускания преобразованного света от люминесцентного преобразователя длины волны, причем встроенный поглощающий слой выполнен с возможностью снижения пропускания отражателем любого света возбуждения, падающего на отражатель под, по существу, непрямыми углами; и отдельный полусферический поглотитель, расположенный вокруг люминесцентного преобразователя длины волны таким образом, что преобразованный свет от люминесцентного преобразователя длины волны проходит через отдельный полусферический поглотитель при нормальном угле падения, а свет возбуждения, пропущенный через отражатель, проходит через отдельный полусферический поглотитель под непрямым углом.

Светоизлучающее устройство (1) содержит светоизлучающий диод (2), размещенный на монтажной подложке (3), причем упомянутое устройство имеет боковую периферийную поверхность (6) и верхнюю поверхность (8) и оптически активный слой покрытия (7), причем упомянутый слой покрытия (7) покрывает по меньшей мере часть упомянутой периферийной поверхности (6), простирается от монтажной подложки (3) до упомянутой верхней поверхности (8) и по существу не покрывает верхнюю поверхность (8).

Изобретение может быть использовано при изготовлении твердотельных компактных мощных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазонов частот. Гетеропереходная структура согласно изобретению представляет собой совокупность чередующихся пар узкозонных (GaAs, либо GaN) и широкозонных (соответственно, Ga1-x Alx As, либо Ga1-xAlxN) полупроводниковых слоев.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является воспроизведение света практически равномерного цвета.

Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечение кристалла светоизлучающего диода (СИД) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности, формование материала (54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и удаление материала (54) прокладки, но меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД, причем кристалл СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке, причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этом способ дополнительно содержит этап удаления ростовой подложки с эпитаксиальных слоев после формования материала (54) прокладки поверх кристалла СИД.

Изобретение относится к твердотельным источникам света на основе органических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые используются для создания цветных информационных экранов и цветовых индикаторных устройств с высокими потребительскими свойствами, а также экономичных и эффективных источников света.

Согласно изобретению предложен способ изготовления светоизлучающего устройства (СИД). Данный способ содержит этапы: обеспечения подложки, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод и; установки коллиматора, по меньшей мере, частично окружающего сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, и сформированный с помощью, по меньшей мере, одного самонесущего элемента стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм.
Изобретение к полупроводниковым электролюминесцентным излучателям с управляемыми цветовыми характеристиками. Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель включает соединенный с источником электропитания полупроводниковый светоизлучающий кристалл, генерирующий световой поток при протекании через него питающего тока, при этом использован кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах с регулируемым путем изменения параметров электропитания соотношением интенсивностей излучений различного спектрального диапазона. Согласно изобретению использован источник электропитания, снабженный схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции питающего тока, обуславливающей изменение величины амплитуды и длительности импульсов питающего тока при обеспечении постоянства силы света генерируемого кристаллом светового потока. Изобретение обеспечивает повышение комфортности зрительного восприятия света, генерируемого излучателем с изменяемыми цветовыми характеристиками. 1 з.п. ф-лы.

Способ изготовления относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов и может использоваться для производства светодиодов. Сущность способа заключается в том, что на световыводящей поверхности GaN-n или GaN-p типов осаждается просветляющее оптическое покрытие SiO2 и в нем формируется микрорельеф в виде наноострий с плотностью 107-108 шт/см2. Данный способ позволяет создавать микрорельефную рассеивающую свет световыводящую поверхность как на GaN n-типа, так и на GaN р-типа без ухудшения параметров гетероструктуры, кроме того, способ предназначен для повышения внешней квантовой эффективности светодиодов на основе GaN. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к светотехнике, а именно к полупроводниковым источникам света на основе светодиодов. Светодиод содержит по меньшей мере один светоизлучающий кристалл со сверхузкой диаграммой направленности, который установлен в корпусе из оптически прозрачного материала, световыводящая поверхность которого выполнена сферической формы, причем размер сферы и высота оптического элемента связаны определенным соотношением, зависящим от угла расходимости потока излучения светодиода; высоты оптического элемента; радиуса сферы оптического элемента; угловой величины диаграммы направленности светового потока излучающего кристалла и показателя преломления материала оптического элемента. Изобретение обеспечивает возможность создания светодиода, обеспечивающего формирование требуемой диаграммы направленности излучения светового потока. 1 ил.

Изобретение относится к способу изготовления шаровидной светодиодной лампы (10), имеющей прозрачную колбу (14) и основание (12) для присоединения к ламповому патрону. Путем обертывания основания (12) расширяющейся лентой (38) из пеноматериала типа Compriband или подобной, до вставки в участок (16) горловины колбы (14), может быть достигнуто автоматическое выравнивание основания (12) в горловине (16) колбы. Дополнительно, полосы (36) из мягкого металла могут быть обернуты вокруг ленты (38) до обертывания ленты (38) вокруг основания (12). Лента (38) выполняет функцию воздушной подушки, которая прижимает металлические полосы (36) к основанию (12) и колбе (14). Технический результат - повышение теплоотвода за счет улучшение передачи тепла от основания к колбе. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 9 ил.

Светоизлучающее устройство (100) согласно изобретению содержит по меньшей мере один излучатель (101) света, расположенный на подложке (102), и отражающий оптический корпус (103, 108), по меньшей мере частично окружающий по сторонам упомянутый по меньшей мере один излучатель (101) света, причем пространство (106) между упомянутым отражающим оптическим корпусом (103, 108) и упомянутым по меньшей мере одним излучателем (101) света наполнено по меньшей мере частично суспензией отражающего материала (104). Светоизлучающее устройство дополнительно содержит по меньшей мере один канал (105), подходящий для применения упомянутого отражающего материала (104). Также предложен способ изготовления описанного выше светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает возможностью улучшенной светоотдачи, упрощение технологии изготовления светоизлучающего устройства, обеспечение меньшего потребления материала для изготовления светоизлучающего устройства. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Способ изготовления светодиодного модуля согласно изобретению включает формирование на подложке изолирующей пленки; формирование на изолирующей пленке первой заземляющей контактной площадки и второй заземляющей контактной площадки, отделенных друг от друга; формирование первой разделительной пленки, которая заполняет пространство между первой и второй заземляющими контактными площадками, второй разделительной пленки, осажденной на поверхность первой заземляющей контактной площадки и третьей разделительной пленки, осажденной на поверхность второй заземляющей контактной площадки; формирование первого разделяющего слоя заданной высоты на каждой из разделительных пленок; распыление затравочного металла на подложку, на которой сформирован первый разделяющий слой; формирование второго разделяющего слоя заданной высоты на первом разделяющем слое; формирование первого зеркала, соединенного с первой заземляющей контактной площадкой, и второго зеркала, соединенного со второй заземляющей контактной площадкой с помощью выполнения процесса нанесения металлического покрытия на подложку, на которой сформирован второй разделяющий слой; удаление первого и второго разделяющих слоев; соединение стабилитрона с первым зеркалом и соединение светодиода со вторым зеркалом; и осаждение флуоресцентного вещества для того, чтобы заполнить пространство, образованное первым зеркалом и вторым зеркалом. Также согласно изобретению предложены еще один вариант описанного выше способа и конструкция светодиодного модуля. Изобретение обеспечивает возможность улучшить относительную световую эффективность светодиодного элемента с помощью улучшения тепловыделяющей способности при изготовлении светодиодного модуля с высокой яркостью, и получить светодиодный модуль небольшого размера с высокой яркостью при низкой стоимости, значительно снизить интенсивность отказов модуля и стоимость изготовления единицы, используя полупроводниковый процесс, который облегчает массовое производство. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 13 ил.

Предложены два варианта светоизлучающих устройств, использующих проводящий связывающий агент при соединении корпуса и крышки. Также предложен способ изготовления светоизлучающего устройства, который включает в себя этап соединения крышки 3, имеющей рамную часть 4, с корпусом 1, имеющим светоизлучающий элемент 2, установленный в углублении корпуса 1, чтобы закрыть отверстие углубления. На этапе соединения металлический связывающий агент 31, имеющий лучшую смачиваемость в отношении рамной части 4, нежели в отношении корпуса 1, частично наносится на корпус 1 или рамную часть 4, и распространяется вдоль рамной части 4, и соединяется, при этом пространство определяется областью соединения, где соединяется металлический связующий агент, и корпус 1 и рамная часть 4 соединяются. Изобретение обеспечивает возможность стабильного производства не воздухонепроницаемого светоизлучающего устройства при использовании для соединения крышки и корпуса металлического связывающего агента за счет исключения короткого замыкания электродов. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к монтажной плате с повышенной устойчивостью к коррозии, способу изготовления такой монтажной платы, дисплейной панели и дисплейного устройства. Технический результат - создание монтажной платы, способной предотвращать коррозию металлических электродов по причине дефектов прозрачной проводящей пленки, покрывающей торцевую поверхность органической изолирующей пленки. Достигается тем, что подложка (20) активной матрицы содержит стеклянную подложку (21); металлический проводник (22), выполненный на стеклянной подложке 21; изолирующую пленку 24 затвора, покрывающую металлический проводник (22); межслойную изолирующую пленку (29), покрывающую изолирующую пленку (24) затвора; и прозрачный электрод (33), формируемый на межслойной изолирующей пленке (29). Проводник (22) развертки содержит контактную область (55), в которой прозрачный электрод (33) наносят непосредственно на проводник (22) развертки. Прозрачный электрод 33 проходит над контактной областью (55) таким образом, чтобы покрывать торцевую поверхность (29а) межслойной изолирующей пленки (29), обращенную к контактной области (55), и торцевую поверхность (24а) изолирующей пленки (24) затвора, обращенную к контактной области (55). 5 н. и 5 з.п. ф-лы, 52 ил.

Изобретение относится к способу формирования люминесцентного керамического преобразователя и к люминесцентному керамическому преобразователю, полученному таким способом. Способ содержит этапы: а) объединение материала предшественника с порообразующей добавкой, чтобы образовать сырую смесь, причем порообразующая добавка содержит по существу сферические частицы углеродистого материала или органического материала; (b) формование сырой смеси, чтобы образовать сырую заготовку керамического преобразователя; (c) нагревание сырой заготовки, чтобы удалить порообразующую добавку и сформировать предварительно обожженный керамический материал, имеющий по существу сферически сформированные поры; и (d) спекание предварительно обожженного керамического материала, чтобы сформировать люминесцентный керамический преобразователь. Полученный люминесцентный керамический преобразователь содержит спеченный, монолитный керамический материал, который преобразует свет с первой длиной волны в свет со второй длиной волны. Керамический материал имеет по существу сферически сформированные поры со средним размером от 0,5 до 10 мкм. Технический результат - получение люминесцентного керамического преобразователя с регулируемым желательным распределением и размером пор. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к области светотехники и, в частности, к люминесцирующим материалам, используемым в твердотельных источниках белого света. Согласно изобретению предложен композиционный люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света, которые содержат светодиод, излучающий в области 430-480 нм, а также смесь, по крайней мере, двух люминофоров, первый из которых имеет желто-оранжевое свечение в области (560-630 нм), а второй взят из группы алюминатов щелочноземельных металлов, активированных европием. При этом в качестве второго люминофора используют, по крайней мере, один, практически невозбуждаемый первичным излучением светодиода фотонакопительный люминофор, обладающий длительным послесвечением. Массовое соотношение между желто-оранжевым и фотонакопительным люминофорами составляет: желто-оранжевый люминофор 10-90%, фотонакопительный люминофор 10-90%. Получаемый материал характеризуется высокой яркостью и светотехническими параметрами, которые соответствуют кривой излучения абсолютно черного тела с цветовой температурой от 2900 до 6100 К, обладает длительным послесвечением и имеет невысокую стоимость. 4 з.п. ф-лы, 1 табл.
Наверх