Резистивный элемент
Г л . астм
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
26690I
Союз Советских
Социалистических
Ресоублив
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 06 1Х.1968 (№ 1269459/24-7) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 01.1V.1970. Бюллетень № 12
Дата опубликования описания 7.ЧП.1970
Кл. 21с, 54/01
МПК Н 01с 3/02
УДК 621,316.849:621 317 .727.3 (088.8) Камитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
Автор изобретения
Е. П. Молчанов
Заявитель
РЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ
Известны конструкции резистив ных элементов, содержащие токоподводы и активную часть в виде двух идентичных половин бифилярно сложенных, пластин из электропроводного материала с прорезями, разделяющими эти пластины на отдельные элементы сопроти вления, расположенные перпендикулярно линии перегиба и подсоединенные к токоподводу параллельно. В этих конструкциях за счет создания и-ного количества прорезей можно .получить вполне определенные величины сопротивлений, в том числе и низкоомные значения, необходимые, например, для шунтов.
Поскольку реактивность низкоомных резисторов имеет индуктивный характер, бифилярная конструкция является достаточно эффективной: она существенно уменьшает реактивность шунта.
Однако остаточная реактивность известных низкоомных резисторов обычной бифилярной конструкции имеет все же довольно значительную величину, что ограничивает диапазон их частотной применимости. Что касается поверхностного эффекта, то в известных конструициях низкоомных резисторов, по существу, не предусмотрено специальных способов для уменьшения влияния этого эффекта, за .исключением общеизвестного стремления уменьшить толщину пластин. Однако этот способ может иметь ограниченный характер, поскольку для заданной величины поперечного сечения пластин, определяемой допустимой плотностью тока, уменьшение толщины
5 приводит к необходимости увеличения ширины пластин и, следовательно, увеличению поверхностного эффекта в поперечном напряжении и соответственно к ограничению диапазона частотной применимости.
В предлагаемом резисторе токоподводы выполнены в виде бифилярных пластин, разделенных прорезями на систему отдельных параллельно включенных пластинок. Расстоя15 ние между каждыми двумя соседними прорезями и,поперечные сечения отдельных пластинок уменьшаются по мере удаления пластинок от продольной оси симметрии резистора, увеличивая при этом cooTBBTcTIBBHHo их сопро20 тивление.
Это снижает реактивные потери, обеспечивает равномер ное распределение плотности тока по всему сечению активной части и уменьшает влияние поверхностного эффекта
25 в этой части резистора, что позволяет уменьшить частотную, погрешность и увеличить диапазон частотной примени IocTH низкоомного резистора.
На фиг. 1 показана развертка пластинчато30 го резистивного элемента; на фиг, 2 — бифи 66iOi лярный резисти вный элемент, согнутый .по линии сгиба Л вЂ” А, общий вид.
Активная часть Б шунта, т. е. та часть, которая .находится между точками В и Bi присоединения потенциальных отводов к токовым пластинам шунта, разделена прорезями 1 на ряд пластинок.
Токоподводящая часть Г шунта, т. е. та его часть, которая находится между активной частью Б и контакти вными пластинами 2 шунта,,присоединяемыми к внешней цепи, выполнена в виде бифилярных изолированных друг от друга пластин, в которых также выполнены прорези 8, превращающие сплошную пластину токоподвода в систему элементарных токоподводящих пластинок.
Прорези на токоподводах расположены симметрично относительно оси симметрии шунта, причем расстояние между двумя соседними ,прорезями, то есть ширина, а следовательно, и сечение элементарных токоподводящих пластинок уменьшается по мере их удаления от продольной оси симметрии к краям,шунта.
Поэтому электрическое сопротивление отдельных токоподводя цих пластинок оказывается неодинаковым: по мере удаления пластинок от оси симметрии шунта оно будет возрастать.
Известно, что поверхностный эффект приводит к вытеснению тока от внутренних частей любого проводника к,пери ферий ным частям. Перераспределение плотности тока, т. е. увеличение ее по мере удаления от внутренних частей провода к периферийным, происходит для данной частоты или заданного диапазона частот по вполне определенному закону. По такому же за кону распределены и лрорези в токоподводящей части шунта, вследствие чего в тех частях шунта, где действие поверхностного эффекта приводит к увеличению плотности тока, оказываются элементарные пластинки с большим электрическим сопрогивлением и, наоборот, участкам с меньшей,плотностью тока соответствуют токоподводящие пластинки с меньшим сопротивлением для прохождения тока, Таким образом, наличие прорезей 8, соответствующим образом расположенных на токоподводящей части сопротивления шунта, приводит к уменьшению тока в его периферийных частях и увеличению тока в центl0 ральных частях, т. е. создает эффект, обратный поверхностному эффекту. Это дает возможность обеспечить равномерное распределение,плотности тока по всему сечению активной части шунта, уменьшить поверхностный
15 эффект в этой части шунта и IB конечном счете уменьшить частотную погрешность и увеличить диапазон частотной применимости шунта.
Предмет изобретения
1. Резистивный элемент, содержащий токоподводы и активную часть в виде двух иден-. тичных половин бифилярно сложенных пластин из электропро водного материала с про25 резями, разделяющими эти пластины на отдельные элементы сопротивления, расположенные,перпендикулярно линии перегиба и подсоединенные к токоподводу .параллельно, отличающийся тем, что, с целью снижения
30 реактивных потерь и расширения диапазона частотной применимости, токоподводы выполнены в |виде бифилярных пластин, разделенных прорезями на систему отдельных параллельно включенных, пластинок.
35 2. Резистивный элемент .по п. 1, отличающийся тем, что прорези в токоподводах выполнены так, что расстояние между каждыми двумя соседними прорезями и поперечные сечения отдельных пластинок уменьшаются
40 по,мере удаления пластинок от продольной оси симметрии резистора, увеличивая при этом соответственно их сопротивление.
266901
Б
4 4
Ф г.2 иг. /
Составитель А. Ходатаева
Техред Л. Я. Левина Корректор А. И. Зимина
Редактор Э. Рубан
Типография, пр. Сапунова, 2
Заказ 1769/9 Тираж 480 Подписное
ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
