Патент ссср 266960

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

О Л М C A И- П Е

ИЗОБРЕТЕН Мй (>>) 266960

К АВТОР КОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено26.04,68 (21) 1235307/26-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (43) Опубликовано01 04.70 Бюллетень Ле 12 (45) Дата опубликования описания 15.04.77 (5J) M. Кл а

Н 01 Х 9/12

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК621.385.032.

217 3(088 8) Ж. Н. Бабанов, В. Д. Котов, В. С. Плешаков и A. Х. Турнер (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВТОРИЧНО-ЭЛЕКТРОННЫХ

ЭМИТТЕРОВ

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано при производстве эмиттеров для:. катодов эпектровакуумных приборов, работаюших в условиях воздействия электронной бомбардировки.

По известному способу изготовления вторично-эмиссионных эмиттеров из сплавов на основе серебра, меди, алюминия с магнием. ипи бериплием, закпючаюшемуся в окис- тп пении выше указанных сплавов, сплав нагревается до высоких температур в атмосфере кислорода. Образовавшаяся íà его поверхности окисная пленка магния ипи бериппия обеспечивает высокие вторично-эмиссионные 1а свойства эмиттера. Однако устойчивость окисной пленки магния ипи бериппия к воздействию электронной бомбардировки очень низкая, поэтому такие эмиттеры применяются в основном в электронных умнояитепях дпя 20 усиления весьма малых токов.

Предлагаемый способ отличается от из- . вестного тем, что на говерхность окисленного эмиттера из сплавов серебра, меди никеля, алюминия с магнием ипи берилпием (т.е. 25 на поверхность окисной пленки магния ипи бериппия) наносится тонкий спой платинытопшиной 800-3000 А. При последующем

-т прогреве эмиттера в вакууме 10 — 10 мм рт.ст. ипи в зашитной среде инертного газа до температур 600-900 С ппатина диффундирует в слой окиси магния илч бе риппия с образованием системы Рт. -Mgo ипи р -ВеО, Эти системы имеют коэффициент вторичной электронной эмиссии 3-4 и обпадаютвысокой устойчивостью вториччо-эмиссионных свойств к воздействию электронной бомбардировки.

Слой платины на окисленную пленку может, например, наноситься ионно-плазменным напылением в вакууме. Скорость напыления платины 50-100 A/Mèí. Необходимая толщина ее слоя определяется временем распыпения.

Формула изобретения

Способ изготовления вторично-электронных эмиттеров на основе сплавов серебра, 266960

Составитель Г. Жукова

РедактоР Т. Иванова ТехРед А. Демьянова КоРРектоРВ. Зорина

Заказ /10 Тираж 999 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал !1ПП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 меди, никеля или алюминия с магнием или берилпием для катодов электронных приборов, содержаший операцию окисления этих сплавов, отличающийся тем, что, с цепью повышения устойчивости эмиттеров к воздействию электронной бомбардировки, после окисления сплава на окисную пленку наносят слой платины, толшина которого соразмерна с топшиной окисной пт., и, и прогревают сплав при те уре, обеси аглаю. ":=. ".,-.кузню платины в окисную пленку.

Патент ссср 266960 Патент ссср 266960 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем

Изобретение относится к источникам электронного и рентгеновского излучений, которые могут применяться при исследованиях в области радиационных физики и химии, радиобиологии, а также в радиационных технологиях, например в химической промышленности, медицине и др
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно - устройствам для полевой эмиссии электронов

Изобретение относится к получению высокоэффективных пленок для полевых эмиттеров электронов

Изобретение относится к области получения высокоэффективных пленок для получения эмиттеров электронов
Изобретение относится к газоразрядной технике и может быть использовано для формирования конструктивных элементов газоразрядных индикаторных панелей (ГИП), например электродов, разделительных элементов и др
Наверх