Акустокалориметрический сенсор для сигнализации изменений газового состава замкнутых помещений

Авторы патента:

Анисимкин Владимир Иванович (RU)

ВЕРОНА Енрико (IT)

G01N27/12 - твердого тела в зависимости от абсорбции текучей среды, твердого тела; в зависимости от реакции с текучей средой

Владельцы патента RU 2606347:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (RU)

Использование: для создания сенсора изменения состава атмосферы в замкнутых объемах. Сущность изобретения заключается в том, что газовый сенсор содержит температуропроводную подложку из кристаллического материала с плоскопараллельными поверхностями, на рабочей поверхности которой размещен пленочный нагреватель из электропроводящего материала, а на нерабочей - измеритель температуры на основе акустической линии задержки, электромеханические пьезоэлектрические преобразователи встречно-штыревого типа которой подключены к генератору и регистратору выходного сигнала, блок управления нагревателем, пленочный нагреватель выполнен в виде набора обособленных протяженных элементов из газочувствительных материалов, выбранных из условия изменения их электросопротивления при адсорбции различных по составу газов, элементы подключены к индивидуальным выходам блока управления нагревателями, при этом каждый упомянутый элемент ограничен по длинным сторонам канавками, заполненными термо- и звукоизолирующим материалом, измеритель температуры на основе акустической линии задержки выполнен многоканальным по числу протяженных элементов, каждый канал размещен по направлению распространения энергетических потоков поверхностных акустических волн и/или пластинчатых упругих мод разных порядков n в подложке, при этом излучение и прием указанных волн и/или мод производится индивидуальными системами генерации-приема на частотах f_n, определяемых выражением f_n=V_n/λ, где V_n - скорость поверхностных акустических волн или пластинчатых упругих мод, λ - период встречно-штыревых преобразователей, а протяженные элементы размещены вдоль проекций на рабочую поверхность подложки указанных направлений распространения энергетических потоков.. Технический результат: обеспечение возможности увеличения общего числа газов при повышенной точности измерений и сниженном пороге срабатывания. 9 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 табл.

Изобретение относится к приборостроению, а именно к сигнализаторам изменения состава атмосферы в замкнутых объемах, например в промышленных технологических установках, охраняемых помещениях с заданным составом газовой среды, климатических камерах, космических модулях и пр. объектах.

Детектирование и анализ газов с использованием тепловых эффектов может осуществляться как с использования химических покрытий, так и без них [Дж. Фрайден. Современные датчики. Справочник. Изд-во Техносфера. М., 2006]. В первом случае на поверхность датчика наносится определенное химическое покрытие, в котором в результате протекания каталитических реакций при взаимодействии с газом происходит высвобождение тепла, а изменение температуры устройства регистрируется соответствующим детектором температуры. Чувствительность, селективность и другие характеристики таких калориметрических датчиков в основном определяются свойствами химического покрытия.

Во втором случае химического покрытия не требуется, а изменение температуры устройства происходит из-за передачи части его тепловой энергии окружающей среде при изменении ее газового состава и, следовательно, теплопроводности, вязкости, плотности и других физических свойств (термокондуктометрический эффект).

Известны различные технические реализации калориметрических сенсоров газов, в том числе с использованием микроэлектронных технологий.

Из патента RU 2454641 C1, ГОУ ВПО "СГГА", 27.06.2012, известен дифференциальный массивный калориметр для газового анализа, в котором газочувствительные сенсоры - измерительные рабочие массы и измерительные массы сравнения размещены в разных отсеках полости корпуса калориметрической системы, выполнены в виде тонкопленочных электропроводящих удлиненных полосок или проволочек или электропроводящих трубок. Однако решетка полосок не интегрирована с подложкой и имеет сложную конструкцию.

Известен полупроводниковый датчик газов, представляющий собой электроизолирующую подложку с размещенными на ней нагревателем и термодатчиком, электродами для газочувствительного слоя и газочувствительным слоем, помещенную в металлокерамический корпус (RU 2114422 C1, НИЦ проблем интеллектуальной собственности, Рембеза С.И., 27.06.1998). На подложку из кремния, покрытую слоем диоксида кремния, нанесены нагреватель и термодатчик, выполненные из платины с подслоем титана в виде резисторов типа "меандр", и электроды встречно-штыревой конструкции для газочувствительного слоя из пленки двуокиси олова, нанесенного на встречно-штыревые электроды. На одном кристалле размещены две группы одинаковых электродов встречно-штыревой конструкции для газочувствительного слоя, включенные по мостовой схеме. На кристалле расположены два термодатчика-нагревателя для нагрева и контроля температуры для использования в качестве термокондуктометрического датчика газа или для измерения скорости газовых потоков. Однако этот сенсор также использует термодеструктируемый от времени слой двуокиси олова, а чувствительность сенсора невысока.

Известны газовые сенсоры в микроэлектронном исполнении, выполненные в виде размещенных на кристаллической подложке абсорбирующих тонких пленок химических веществ, которые оказывают нагружающее воздействие на линию задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ) Рэлея или Лява, образованную на той же подложке (см., например, RU 66057 U1, ИХФ РАН, 27.08.2007; US 9074983 B2, SERBAN, 07.07.2015). Нагружающее воздействие изменяет характеристики ПАВ и соответственно выходной сигнал линии задержки, что регистрируется. Однако эти датчики работают при комнатной температуре и подвержены влиянию преадсорбции атмосферных газов (таких, например, как пары воды). Кроме того, в них не могут быть в полной мере компенсированы колебания температуры из-за неэквивалентности основного и стабилизирующего каналов.

Было показано, что возможно реализовать сенсор на подложке, на одной стороне которой размещен пленочный нагреватель, на другой - датчик температуры этой подложки на ПАВ, т.е. без использования как-либо термохимических и деструктируемых газочувствительных слоев (см. В.И. Анисимкин, С.А. Максимов, М. Пенза, Л. Васанелли. Термокондуктометрическое детектирование газов и газовых потоков с помощью линии задержки на поверхностных акустических волнах. ЖТФ, 1997, т. 67, стр. 119-123 [1]). Однако количество газов, детектируемых таким сенсором, сильно ограничено (см. В.И. Анисимкин, М.А. Земляницин, И.И. Пятайкин. Детектирование газов с помощью термокондуктометрического эффекта // Нелинейный Мир, т. 13, №2, с. 62-64, 2015 [2]).

В патенте (RU 2224248 C2, ИРЭ РАН, Богдасаров О.Е. и др., 20.02.2004 - прототип), реализующем этот термокондуктометрический принцип, описан вариант реализации датчика газов и паров на ПАВ, содержащего звукопровод, на рабочей поверхности которого расположены связанный с генератором входной и выходной преобразователи ПАВ и нагревательный элемент, размещенный на нерабочей поверхности, терморезистор, генератор для возбуждения ПАВ, блок регистрации изменения фазы выходного сигнала, соединенный с выходным преобразователем, и блок управления температурой, вход которого соединен с выходом терморезистора, а выход - с нагревательным элементом. В последующих работах было показано, что существуют акустические волны, обладающие одновременно с высокой эффективностью возбуждения и температурной чувствительностью, достигающей 0.001°C (А.В. Медведь, Р.Г. Крышталь, О.Е. Богдасаров // РиЭ, 2005, т. 50, №6, с. 1-9; R.G. Kryshtal, A.V. Medved // Journal of Electroceramic, 2006, 17: 987-993; R.G. Kryshtal and A.V. Medved // REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2014, 85, 026115 [3]).

Однако чувствительность термокондуктометрического датчика газов и паров на ПАВ по прототипу невелика.

Настоящее изобретение направлено на совмещение в одном сенсоре положительных качеств как термокондуктометрического, так и адсорбирующего принципов газовых сенсоров с использованием высокочувствительного акустического измерителя температуры.

Патентуемый газовый сенсор содержит температуропроводную подложку из кристаллического материала с плоскопараллельными поверхностями, на рабочей поверхности которой размещен пленочный нагреватель из электропроводящего материала, а на нерабочей - измеритель температуры на основе акустической линии задержки, электромеханические пьезоэлектрические преобразователи встречно-штыревого типа которой подключены к генератору и регистратору выходного сигнала, блок управления нагревателем.

Отличие состоит в следующем.

Пленочный нагреватель выполнен в виде набора обособленных протяженных элементов из газочувствительных материалов, выбранных из условия изменения их электросопротивления при адсорбции различных по составу газов, недетектируемых термокондуктометрически, элементы подключены к индивидуальным выходам блока управления нагревателями, при этом каждый упомянутый элемент ограничен по длинным сторонам канавками, заполненными термо- и звукоизолирующим материалом.

Измеритель температуры на основе акустической линии задержки выполнен многоканальным по числу протяженных элементов, каждый канал размещен по направлению распространения энергетических потоков поверхностных акустических волн и/или пластинчатых упругих мод разных порядков n в подложке, при этом излучение и прием указанных волн и/или мод производится индивидуальными системами генерации-приема на частотах f_n, определяемых выражением f_n=V_n/λ, где V_n - скорость поверхностных волн или пластинчатых упругих мод, λ - период встречно-штыревых преобразователей, а протяженные элементы размещены вдоль проекций на рабочую поверхность подложки указанных направлений распространения энергетических потоков.

Сенсор может характеризоваться тем, что каналы многоканального измерителя температуры размещены веерообразно, имеют общий излучающий преобразователь, подключенный к генератору со сканирующей частотой, и приемные преобразователи по числу упомянутых протяженных элементов, подключенные к частотно- или фазоизмерительному регистратору выходного сигнала, при этом штыри излучающего и приемных преобразователей расположены параллельно.

Сенсор может характеризоваться и тем, что газочувствительные материалы выбраны из перечня, включающего двуокись олова, окись галлия, двуокись хрома, трехокись ванадия, окись цинка, окись кремния или фталоцианин.

Сенсор может характеризоваться также тем, что температуропроводная кристаллическая подложка выполнена из пьезоэлектрического материала, выбранного из перечня, включающего пьезокварц, ниобат лития, танталат лития, ланггасит, германат висмута или силикат висмута.

Сенсор может характеризоваться и тем, что температуропроводная кристаллическая подложка выполнена из непьезоэлектрического материала, преимущественно кремния, а нерабочая поверхность подложки покрыта слоем пьезоэлектрического материала, на или под которым размещены встречно-штыревые преобразователи.

Сенсор может характеризоваться, кроме того, тем, что пьезоэлектрический материал выбран из перечня, включающего окись цинка, нитрид алюминия, титанат бария, сульфид кадмия, пьезокерамику PZT, нанокомпозит PVDF-PZT или поливинилиденфторид.

Сенсор может характеризоваться и тем, что пьезоэлектрическая пленка в направлении распространения энергетических потоков в зоне размещения излучающего и приемных встречно-штыревых преобразователей имеет толщину, выбранную из условия эффективного возбуждения и приема в подложке заданного типа волны, а в зоне между упомянутыми преобразователями - толщину, выбранную из условия чувствительности этого же типа волны к изменению температуры.

Сенсор может характеризоваться также тем, что температуропроводная кристаллическая подложка выполнена из непьезоэлектрического материала, преимущественно кремния, нерабочая поверхность подложки в зоне размещения встречно-штыревых преобразователей покрыта слоем пьезоэлектрического материала, на или под которым размещены преобразователи, а в зоне между упомянутыми преобразователями покрыта слоем непьезоэлектрического материала.

Сенсор может характеризоваться, кроме того, тем, что поверхностные акустические волны представляют собой волны Рэлея или Сезава, а пластинчатые упругие моды - моды Лэмба или квазипродольные моды Анисимкина И.В.

Сенсор может характеризоваться и тем, что выбор толщин слоев материалов на подложке в направлении распространения энергетических потоков выполнен из условия преобразования одного типа волны в другой тип поверхностной волны, предпочтительно волны Сезава в волну Рэлея или наоборот, или одного типа пластинчатых мод в другой тип пластинчатых мод, предпочтительно моды Лэмба в квазипродольные моды Анисимкина И.В. или наоборот.

Технический результат изобретения: увеличение общего числа газов, детектируемых одним сенсором за счет регистрации как газов, вызывающих термокондуктометрический эффект, так и газов, вступающих в каталитические реакции с пленочными нагревателями, при повышении точности измерений и снижении порога срабатывания.

В основе патентуемого изобретения лежат результаты предшествующих экспериментальных исследований, ссылки на которые даны далее при описании вариантов предпочтительного выполнения патентуемого газового сенсора.

Существо изобретения поясняется на чертежах, где:

фиг. 1 показана топология сенсора на подложке, вид на рабочую поверхность со стороны набора обособленных протяженных элементов из газочувствительных материалов;

фиг. 2 - то же, что на фиг. 1, вид со стороны акустических преобразователей многоканального измерителя температуры;

фиг. 3 - форма канала, в поперечном сечении по А-А;

фиг. 4-6 варианты выполнения акустических преобразователей многоканального измерителя температуры, вид в продольном сечении;

фиг. 7 - блок-схема сигнализатора;

фиг. 8 - «отклики» акустокалориметрического сенсора: графики зависимости фазы выходного сигнала от текущего времени для двух концентраций кислорода в смеси с азотом.

Газовый сенсор (фиг. 1-3) содержит температуропроводную кристаллическую подложку 10 с плоскопараллельными поверхностями, на рабочей поверхности 11 которой размещен пленочный нагреватель 20 из электропроводящего материала в виде набора обособленных протяженных элементов 21, 22, 23…N из газочувствительных материалов. Подложка 10 может выполняться как из непьезоэлектрического, так и пьезоэлектрического материала или комбинации слоев этих материалов; особенности выполнения рассмотрены ниже. Газочувствительные материалы выбраны из перечня, включающего двуокись олова, окись галлия, двуокись хрома, трехокись ванадия, окись кремния, фталоцианин, выбранных из условия изменения их электросопротивления при адсорбции различных по составу газов как детектируемых (например, Ar, H₂, Не, СН₄, Cl₂), так и недетектируемых (например, O₂, NH₃, NO, CO, CO₂) термокондуктометрически [2].

Протяженные элементы 21, 22, 23…N могут иметь, например, форму полосок, имеющих длину L и ширину w. Толщина слоев может составлять 0,5-10 мкм. На короткой стороне полосок элементов 21, 22, 23…N выполнены контактные площадки - токоподводящие электроды 24 для подключения к индивидуальным выходам блока 30 управления нагревателем. Указанное дает возможность регулировать нагрев каждого элемента 21, 22, 23…N до заданной температуры. Контур каждого элемента 21, 22, 23…N ограничен в подложке 10 по длинной стороне канавкой 13, образованной пропилом, заполненным термо- и звукоизолирующим материалом 14, выбранным из условия термо- и звукоизоляции соседних акустических каналов, например изолотейп, унитон, аритон. Глубина G канавки 13 составляет от 0,2 до 0,5 толщины подложки 10 и выбирается исходя из технологических возможностей и прочностных характеристик материала подложки.

На нерабочей поверхности 12 размещен многоканальный измеритель 40 температуры элементов 21, 22, 23…N на основе акустических линий 41, 42, 43 задержки. Число каналов измерителя 40 должно быть не меньшим числа элементов 21, 22, 23…N. Для целей настройки устройства на поверхности подложки 10 могут быть образованы дополнительные линии задержки (на фиг. 1, 2 не показаны).

Для раскрытия принципа работы сенсора в дальнейшем описании и на фигурах описывается трехканальный измеритель 40, образованный тремя акустическими линиями задержки. Для возбуждения и приема акустических волн используются пьезоэлектрические преобразователи встречно-штыревого типа (ВШП) 44, 45, 46, 47. В данной конфигурации удобно использовать один преобразователь 44 в качестве общего возбуждающего (излучающего), который подключен к генератору со сканирующей частотой (например, свип-генератору), а в качестве приемных - преобразователи 45, 46, 47, которые подключены к регистратору 60 выходного сигнала. В таком случае каналы многоканального измерителя температуры размещены веерообразно. Штыри излучающего 44 и приемных 45, 46, 47 ВШП расположены параллельно друг другу, несмотря на то, что потоки энергии акустических волн в общем случае не перпендикулярны штырям.

Принципиальным отличием патентуемого сенсора является размещение каждого канала по направлениям 71, 72, 73 распространения энергетических потоков поверхностных волн и/или пластинчатых упругих мод разных порядков n в кристаллической подложке 10, которые в общем случае различны для разных волн и имеют веерообразный характер, не совпадают с нормалью к прямолинейным штырям излучающего/приемных ВШП и предварительно задаются (V.I. Anisimkin. Anisotropy of the Acoustic Plate Modes in ST-Quartz and 128°Y-LiNbO₃ // IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, v. 60, no. 10, pp. 2204-2207, 2013). В качестве примера в Таблице представлены значения углов Φ_n между волновой нормалью и направлением потока энергии акустических мод разных порядков n в пластинах ST кварца (углы Эйлера 0°, 132,75°, 0°) для разных значений нормированной толщины пластины h/λ (h - толщина подложки, λ - длина волны, равная периоду ВШП).

Элементы 21, 22, 23 размещены вдоль проекций на рабочую поверхность 11 подложки 10 указанных направлений 71, 72, 73 распространения энергетических потоков.

Так, в топологии (фиг. 1, 2) для линии задержки, образованной ВШП 44 и 46, направление 72 нормали к штырям совпадает с направлением 721 распространения энергетических потоков ПАВ и/или пластинчатых упругих мод, т.е. угол Φ=0°. Для линии задержки, образованной парой ВШП 44 и 45, угол между направлениями 71 и направлением 72 нормали составляет угол минус Φ1, а для образованной ВШП 44 и 47, угол между направлениями 73 и направлением 72 нормали составляет угол плюс Φ2. Указанные параметры выбираются исходя из кристаллофической ориентации кристаллической подложки 10. Численные данные для акустических кристаллов приведены в указанной выше работе (V.I. Anisimkin // IEEE Transactions on Ultrasonics, v. 60, no. 10, pp. 2204-2207, 2013), а методика расчета дана в трудах К.Н. Козловский, А.В. Ананских, А.П. Лавут. Расчет рэлеевских волн на поверхности кварцевых пластин. Проблемы Радиоэлектроники. Серия “Общетехническая”, т. 10, №10, с. 70-77, 1968. Поиск подходящих акустических пластинчатых мод колебаний для всех вариантов устройства проводится по методике, известной из уровня техники, подробно описанной в публикации (I.V. Anisimkin, V.I. Anisimkin. IEEE Transactions, v. UFFC-53, no. 8, p. 1487-1492, 2006).

Излучение и прием волн или мод производится на частотах f_n, определяемых выражением f_n=V_n/λ, где V_n - скорость поверхностных волн или пластинчатых упругих мод, λ - период ВШП 44-47.

Температуропроводная кристаллическая подложка 10 может быть выполнена из пьезоэлектрического материала, включающего пьезокварц, ниобат лития, танталат лития, ланггасит, германат висмута или силикат висмута, а также других материалов, характеризующихся высоким коэффициентом электромеханической связи и большим температурным коэффициентом задержки в интервале рабочих температур.

Кристаллическая подложка 10 может быть выполнена из непьезоэлектрического материала, преимущественно кремния, имеет толщину h, удовлетворяющую условию h>>λ, для поверхностных акустических волн и условию 0<h≤2λ для акустических пластинчатых мод, а нерабочая поверхность 12 подложки покрыта слоем пьезоэлектрического материала, на котором размещены ВШП измерителя 40. Различная конфигурация выполнения акустического канала, например, образованного парой ВШП 44 и 45, показана на фиг. 4-6.

На фиг. 4 условно показан акустический канал, образованный на подложке 10, где на нижней рабочей поверхности 11 нанесен элемент 23 из газочувствительного материала с контактными площадками - токоподводящими электродами 24 для присоединения к блоку 30 управления нагревателем. На верхней - нерабочей поверхности 12 нанесен слой 15 пьезоэлектрического материала, агрегатированного с электродами ВШП 44, 45. Следует отметить, что электроды ВШП 44, 45 могут быть выполнены в различных модификациях: например, располагаться поверх слоя 15, как показано на фиг. 4, под слоем 15, а также иметь один из электродов поверх, а другой - под слоем непосредственно на поверхности 12 (см. А.И. Морозов, В.В. Проклов, Б.А. Станковский. Пьезоэлектрические преобразователи для радиоэлектронных устройств. М.: Радио и Связь, 1981, 184 с.; V.I. Anisimkin, N.V. Voronova. Acoustic Properties of the Film/Plate Layered Structure // IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, v. 58, no. 3, p. 578-584, 2011). Это не изменяет принципа функционирования сенсора. Такая топология слоев позволяет возбудить и принять как поверхностные, так и пластинчатые акустические волны. Пьезоэлектрический материал выбран из перечня, включающего окись цинка, нитрид алюминия, титанат бария, сульфид кадмия, пьезокерамику PZT или поливинилиденфторид (PVDF), а также, например, нанокомпозит PVDF-PZT (Nanotechnology, 2014, Mar 14; 25 (10): 105401).

На фиг. 5 показан акустический канал, образованный на подложке 10, где слои 16 пьезоэлектрического материала нанесены только в области размещения ВШП 44,45. Область 17 между ВШП не имеет покрытия, что позволяет уменьшить потери на распространения акустических волн между излучающим и приемным преобразователями, т.к. наибольший вклад в поглощение волн вносит текстурированная пьезоэлектрическая пленка (В.И. Анисимкин, И.М. Котелянский. Поглощение поверхностных акустических волн (ПАВ) в текстурированных пленках гексагональной сингонии // ФТТ, т. 30, №30, с. 853-859, 1988).

На фиг. 6 показан акустический канал, образованный на подложке 10, где слои 18 пьезоэлектрического материала толщиной t₁ выполнены в области размещения ВШП 44, 45, а также имеется слой 19 толщиной t₂, расположенный между ВШП. Толщина t₁ слоя 18 выбирается из условия максимального значения коэффициента электромеханической связи (К²), обеспечивающего наиболее эффективное возбуждение поверхностных или пластинчатых волн в области нахождения ВШП 44, 45 (см. А.И. Морозов, В.В. Проклов, Б.А. Станковский. Пьезоэлектрические преобразователи для радиоэлектронных устройств. М.: Радио и Связь, 1981, 184 с.; V.I. Anisimkin, N.V. Voronova. Acoustic Properties of the Film/Plate Layered Structure // IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, v. 58, no. 3, p. 578-584, 2011). Толщина t₂ слоя 19 выбирается из условия максимального значения температурного коэффициента задержки (ТКЗ), обеспечивающего наибольшую температурную чувствительность волны, которая распространяется между излучающим 44 и приемным 45 ВШП (см., например, V.I. Anisimkin, N.V. Voronova, Yu.V. Puchkov. General Properties of the Acoustic Plate Modes at Different Temperatures // Ultrasonics, v. 62, no. 9, p. 46-49, 2015; В.И. Анисимкин, И.И. Пятайкин, Н.В. Воронова, Ю.В. Пучков. Температурные характеристики акустических мод в пластинах пьезоэлектрических кристаллов SiO₂, LiNbO₃, LiTaO₃, Bi₁₂GeO₂₀ и Bi₁₂SiO₂₀ // Радиотехника и Электроника, т. 61, №1, с. 83-88, 2016 (в печати)). Например, в структуре, образованной пленкой ZnO и подложкой Si, для получения большого К² величина t₁/λ, (λ - период ВШП 44, 45) должна равняться примерно 0,025, а для обеспечения высокого ТКЗ - составлять t₂/λ≥0.35 (S. Ono, R. Wasa, S. Hayakawa. Surface-Acoustic-Wave Properties in ZnO-SiO₂/Si Layered Structure // Wave Electronics, v. 3, no. 1, p. 35-49, 1977). При этом t₁ может быть как меньше, так и больше t₂, а при распространении из зоны возбуждения (слой 18) в зону распространения (слой 19) может происходить преобразование одного типа поверхностной волны (например, Сезава) в другой (например, Рэлея) или одного типа пластинчатых мод (например, Лэмба) в другой тип (например, Анисимкина И.В. (Ivan V. Anisimkin. New type of an acoustic plate modes: quasi-longitudinal normal wave, Ultrasonics, vol. 42, no. 10, pp. 1095-1099, 2004)).

На фиг. 7 показана блок-схема сигнализатора на основе сенсора, конструкция которого показана на фиг. 1, 2. Каналы многоканального измерителя 40 температуры имеют общий излучающий преобразователь 44, подключенный к генератору 50 со сканируемой частотой. Приемные преобразователи 45, 46, 47 по числу протяженных элементов 21-23 подключены к фазоизмерительному регистратору 60 выходного сигнала. Выход блока 60 соединен с входом блока 70 управления и регистрации. Сигнальный выход блока 70 соединен с извещателем 80 и компьютером 90. Соответственно индивидуальные выходы блока 30 питания нагревателя подключены к элементам 21, 22, 23.

Проектирование характеристик сенсора начинают с выбора подходящих акустических волн по методике (RU 2393467 C2, ИНДАСТРИАЛ ТЕКНОЛОДЖИ РЕСЕРЧ ИНСТИТУТ, Институт радиотехники и электроники РАН, 27.06.2010). V.I. Anisimkin, N.V. Voronova, Yu.V. Puchkov. General Properties of the Acoustic Plate Modes at Different Temperatures, Ultrasonics, v. 62, no. 9, pp. 46-49, 2015; В.И. Анисимкин, И.И. Пятайкин, Н.В. Воронова, Ю.В. Пучков. Температурные характеристики акустических мод в пластинах пьезоэлектрических кристаллов SiO₂, LiNbO₃, LiTaO₃, Bi₁₂GeO₂₀ и Bi₁₂SiO₂₀ // Радиотехника и Электроника, т. 61, №1, с. 83-88, 2016 (в печати)). Пригодность мод оценивается исходя из их температурной чувствительности, величины коэффициента К² электромеханической связи, угла Φ между волновой нормалью и направлением переноса энергии и уровня подавления ложных сигналов на рабочей частоте. Высокая температурная чувствительность позволяет повысить точность измерений и снизить порог срабатывания измерительного устройства. Так, например, в работах А.В. Медведь, Р.Г. Крышталь, О.Е. Богдасаров // РиЭ, 2005, т. 50, №6, с. 1-9; R.G. Kryshtal, A.V. Medved // Journal of Electroceramic, 2006, 17: 987-993; R.G. Kryshtal and A.V. Medved // REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2014, 85, 026115 докладывалось о фиксации рекордно малых изменений температуры 0,001°C в диапазоне от комнатной до 300°C. Высокое значение К² дает возможность снизить вносимые потери и повысить эффективность возбуждения и приема акустических волн электромеханическими преобразователями, большой угол Φ - исключить перекрытие пучков соседних акустических каналов, а низкий уровень ложных сигналов - уменьшить влияния паразитных сигналов на результаты измерений.

Сенсор функционирует следующим образом.

Высокочастотный сигнал частотой 10-1000 МГц с генератора 50 со сканируемой частоты (свип-генератора) подается на излучающий преобразователь 44, который генерирует в каналах 41, 42, 43 акустические волны разных частот f=V/λ, где V - скорость волны в соответствующем канале, а λ - период преобразователя 44. Три волны, излученные преобразователем 44, распространяются в подложке 10 и, обладая разными направлениями энергетических потоков (разными углами Φ), поступают на разные приемные преобразователи 45, 46, 47. Постоянное электрическое напряжение 1-100 В от блока 30 управления нагревателем через контактные площадки - токоподводящих электродов 24 подается на элементы 21, 22, 23 из газочувствительных материалов, устанавливая рабочую температуру каждого из нагревателей и связанной с ними подложки 10 в диапазоне Т=100-500°C.

Частоты f и/или фазы ϕ волн, соответствующие рабочей температуре Т подложки 10 и исходному составу окружающей атмосферы, фиксируются регистратором 60 в качестве исходных. При появлении в атмосфере замкнутого помещения нежелательных газообразных веществ происходит каталитическое взаимодействие этих веществ преимущественно с одним из элементов 21, 22, 23 нагревателя, в результате чего происходят последовательные изменения температуры нагревателя, температуры подложки в соответствующем акустическом канале, скорости распространения акустической волны V и ее частоты f или фазы ϕ. Изменения Δf и Δϕ фиксируются регистратором 60 в качестве газового «отклика». Незначительное взаимодействие того же газообразного вещества с остальными нагреваемыми элементами гасится поглотителями (поз. 13, 14), расположенными в канавках между каналами сенсора. Этими же поглотителями гасятся нежелательные воздействия боковых лепестков соседних акустических каналов на волну в канале, используемом для измерения.

Поскольку акустокалориметрический сенсор работает при повышенных температурах (100-500°C), наряду с детектированием газов за счет калориметрического эффекта, например, O₂, NH₃, NO, CO, СO₂, он также регистрирует газы Ar, H₂, He, CH₄ и Cl₂ за счет термокондуктометрического эффекта, что вызывает дополнительное изменение температуры подложки и снижает порог срабатывания сенсора для этих газов (V.I. Anisimkin, M. Penza, V.A. Osipenko, L. Vasanelli. Gas Thermal Conductivity Sensors Based on SAW // IEEE Transaction on Ultrasonics, Frrroelectrics, and Frequency Control, v. 42, no. 6, p. 978-980, 1995; В.И. Анисимкин, С.А. Максимов, М. Пенза, Л. Васанелли. Термокондуктометрическое детектирование газов и газовых потоков с помощью линий задержки на поверхностных акустических волнах // ЖТФ, т. 67, №5, с. 119-123, 1997; В.И. Анисимкин, М.А. Земляницин, И.И. Пятайкин. Детектирование газов с помощью термокондуктометрического эффекта // Нелинейный Мир, т. 13, №2, с. 62-64, 2015). В результате общее число газов, детектируемых акустокалориметрическим датчиком, увеличивается.

На фиг. 8 приведены результаты моделирования акустокалориметрического сенсора с использованием одноканальной линии задержки на ПАВ частотой 41 МГц, изготовленной на подложке поворотного 128°YX-LiNbO₃ размером 0,5×8×10 мм³. Начальный набег фазы волны между излучающим и приемным преобразователями составлял ϕ_o=34000°. Пленочный нагреватель изготавливался из ZnO легированного А1 (5 мас. %). Тестируемыми газами служили газовые смеси с концентрациями от 1 до 100% O₂ в чистом азоте. Рабочая температура датчика равнялась 150°C. Тестируемое устройство помещалось в термоизолированную камеру (250 мл), обеспечивающую стабильность в пределах ±0.1°C в течение 5 часов. Прямой контакт между подложкой и камерой исключался. Подложка располагалась перпендикулярно газовому потоку. Для нагрева датчика к пленочному нагревателю прикладывалось постоянное напряжение величиной 50 В, 0,02 А от стабилизированного источника.

Для сравнения с акустокалориметрическим датчиком на аналогичной подложке изготавливался термокондуктометрический датчик с нагревателем, не изменяющим своего электросопротивления под действием кислорода. Рабочая температура датчика также равнялась 150°C.

На фиг. 8 показаны графики зависимости фазы выходного сигнала от текущего времени для двух концентраций кислорода в смеси с азотом: кривая 1 - «отклик» акустокалориметрического сенсора на смесь с 40% O₂; кривая 2 - на смесь с 2% O₂. Пленочный нагреватель - ZnO, легированный Al (5 мас. %).

Видно, что «отклики» акустокалориметрического датчика (фиг. 8, метка 1 - выключение чистого азота, включение тестируемого газа, метка 2 - выключение тестируемого газа, включение азота) составили Δϕ/ϕ_o=400×10^-6 при 40% O₂ (кривая 1) и 125×10^-6 при 2% O₂ (кривая 2), что в 10 раз больше аналогичных «откликов» термокондуктометрического датчика, см. также V.I. Anisimkin, M. Penza, V.A. Osipenko, L. Vasanelli. Gas Thermal Conductivity Sensors Based on SAW // IEEE Transaction on Ultrasonics, Frrroelectrics, and Frequency Control, v. 42, no. 6, p. 978-980, 1995; В.И. Анисимкин, С.А. Максимов, M. Пенза, Л. Васанелли. Термокондуктометрическое детектирование газов и газовых потоков с помощью линии задержки на поверхностных акустических волнах. ЖТФ, 1997, т. 67, стр. 119-123.

Таким образом, результаты моделирования демонстрируют увеличение числа газообразных веществ, вызывающих срабатывание сенсора, и повышение чувствительности сенсора по сравнению с прототипом, основанном только на термокондуктометрическом эффекте. При появлении в замкнутом объеме газов, детектируемых термокондуктометрически (Ar, H₂, He, CH₄ и Cl₂,), и газов, детектируемых калориметрически (O₂, NH₃, NO, СО, CO₂), акустокалориметрический сенсор, даже не обладая селективностью, выдаст предупреждающий сигнал.

1. Газовый сенсор, содержащий температуропроводную подложку из кристаллического материала с плоскопараллельными поверхностями, на рабочей поверхности которой размещен пленочный нагреватель из электропроводящего материала, а на нерабочей - измеритель температуры на основе акустической линии задержки, электромеханические пьезоэлектрические преобразователи встречно-штыревого типа которой подключены к генератору и регистратору выходного сигнала, блок управления нагревателем,

отличающийся тем, что

пленочный нагреватель выполнен в виде набора обособленных протяженных элементов из газочувствительных материалов, выбранных из условия изменения их электросопротивления при адсорбции различных по составу газов, элементы подключены к индивидуальным выходам блока управления нагревателями, при этом каждый упомянутый элемент ограничен по длинным сторонам канавками, заполненными термо- и звукоизолирующим материалом;

измеритель температуры на основе акустической линии задержки выполнен многоканальным по числу протяженных элементов, каждый канал размещен по направлению распространения энергетических потоков поверхностных акустических волн и/или пластинчатых упругих мод разных порядков n в подложке, при этом излучение и прием указанных волн и/или мод производится индивидуальными системами генерации-приема на частотах f_n, определяемых выражением f_n=V_n/λ, где V_n - скорость поверхностных акустических волн или пластинчатых упругих мод, λ - период встречно-штыревых преобразователей, а протяженные элементы размещены вдоль проекций на рабочую поверхность подложки указанных направлений распространения энергетических потоков.

2. Сенсор по п. 1, отличающийся тем, что каналы многоканального измерителя температуры размещены веерообразно, имеют общий излучающий преобразователь, подключенный к генератору со сканирующей частотой, и приемные преобразователи по числу упомянутых протяженных элементов, подключенные к частотно- или фазоизмерительному регистратору выходного сигнала, при этом штыри излучающего и приемных преобразователей расположены параллельно.

3. Сенсор по п. 1, отличающийся тем, что газочувствительные материалы выбраны из перечня, включающего двуокись олова, окись галлия, двуокись хрома, трехокись ванадия, окись цинка, окись кремния или фталоцианин.

4. Сенсор по п. 1, отличающийся тем, что температуропроводная кристаллическая подложка выполнена из пьезоэлектрического материала, выбранного из перечня, включающего пьезокварц, ниобат лития, танталат лития, ланггасит, германат висмута или силикат висмута.

5. Сенсор по п. 1, отличающийся тем, что температуропроводная кристаллическая подложка выполнена из непьезоэлектрического материала, преимущественно кремния, а нерабочая поверхность подложки покрыта слоем пьезоэлектрического материала, на или под которым размещены встречно-штыревые преобразователи.

6. Сенсор по п. 5, отличающийся тем, что пьезоэлектрический материал выбран из перечня, включающего окись цинка, нитрид алюминия, титанат бария, сульфид кадмия, пьезокерамику PZT, нанокомпозит PVDF-PZT или поливинилиденфторид.

7. Сенсор по п. 5, отличающийся тем, что пьезоэлектрическая пленка в направлении распространения энергетических потоков в зоне размещения излучающего и приемных встречно-штыревых преобразователей имеет толщину, выбранную из условия эффективного возбуждения и приема в подложке заданного типа волны, а в зоне между упомянутыми преобразователями - толщину, выбранную из условия чувствительности этого же типа волны к изменению температуры.

8. Сенсор по п. 1, отличающийся тем, что температуропроводная кристаллическая подложка выполнена из непьезоэлектрического материала, преимущественно кремния, нерабочая поверхность подложки в зоне размещения встречно-штыревых преобразователей покрыта слоем пьезоэлектрического материала, на или под которым размещены преобразователи, а в зоне между упомянутыми преобразователями покрыта слоем непьезоэлектрического материала.

9. Сенсор по п. 1, отличающийся тем, что поверхностные акустические волны представляют собой волны Рэлея или Сезава, а пластинчатые упругие моды - моды Лэмба или квазипродольные моды Анисимкина И.В.

10. Сенсор по любому из пп. 5-9, отличающийся тем, что выбор толщин слоев материалов на подложке в направлении распространения энергетических потоков выполнен из условия преобразования одного типа волны в другой тип поверхностной волны, предпочтительно волны Сезава в волну Рэлея или наоборот, или одного типа пластинчатых мод в другой тип пластинчатых мод, предпочтительно мод Лэмба в квазипродольные моды Анисимкина И.В. или наоборот.

Изобретение относится к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей кислорода и может быть использовано для экологического мониторинга.

Способ изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа // 2597657

Изобретение относится к изготовлению средств выявления примесей газов и определения концентрации газов в воздушной среде. Способ изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа согласно изобретению включает нанесение диэлектрической пленки на лицевую сторону кремниевой подложки, формирование на пленке структуры чувствительных элементов и создание тонких диэлектрических мембран методом анизотропного травления кремниевой подложки с обратной стороны, проводимого в два этапа, первый до нанесения диэлектрической пленки, а второй после завершения всех операций формирования структуры чувствительных элементов с предварительной защитой от травителя лицевой стороны подложки, при этом первый этап травления проводят сначала в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином, а затем в водном растворе гидроокиси калия, а второй этап проводят только в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином.

Полупроводниковый датчик микропримесей аммиака // 2589455

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и изменения содержания микропримесей аммиака.

Полупроводниковый газовый сенсор // 2583166

Изобретение может быть использовано в газоанализаторах, газосигнализаторах и газовых пожарных извещателях для контроля довзрывных концентраций взрыво-пожароопасных газов и газовых смесей.

Портативный анализатор газов с массивом пьезосенсоров // 2571280

Изобретение относится к проведению экспресс-анализа воздуха или смесей газов. Портативный анализатор газов с массивом пьезосенсоров включает высокопрочный полимерный корпус с насадкой-нагнетателем и защитной крышкой из фторопласта, на верхней панели корпуса расположена ячейка с массивом из трех пьезосенсоров с чувствительными пленочными покрытиями для определения компонентов воздуха и равновесной газовой фазы над полимерными изделиями, продуктами питания, топливом по совокупности их легколетучих соединений, внутри корпуса расположены миниатюрная схема возбуждения, соединенная с тремя микроконтроллерами, запрограммированными в сумме на 150 ячеек памяти для регистрации и преобразования сигналов пьезосенсоров и передачи их на моно- или полихромный дисплей для отображения аналитического сигнала в виде «визуальных отпечатков» максимумов трех сенсоров и для сохранения информации на съемном носителе памяти, приводящимися в действие автономно от встроенного компактного источника питания, на панели корпуса размещены кнопка включения прибора, кнопка работы нагнетателя и переключатель на отдельные режимы измерения: анализ топлива, полимерных материалов, пищевых продуктов и индикаторы работы пьезосенсоров и моно-/полихромный дисплей для отображения аналитического сигнала.

Устройство для определения утечек взрывоопасных жидкостей на основе пьезосенсора // 2568331

Использование: для непрерывного контроля утечек взрывоопасных жидкостей (в том числе органических растворителей, аммиака, керосина, бензина) и выдачи звукового или светового сигнала при повышении концентраций паров жидкостей в воздухе помещений, замкнутых объемах (подземных сооружениях и коммуникациях) и наружных установок.

Полупроводниковый газоанализатор угарного газа // 2565361

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Датчик состоит из полупроводникового основания, выполненного в виде поликристаллической пленки твердого раствора (ZnTe)0,68(CdSe)0,32, и непроводящей подложки.

Устройство для измерения коэффициентов диффузии водорода в металлах и способ его применения // 2562178

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для определения коэффициентов диффузии водорода в различных конструкционных материалах, используемых в космической и атомной технике, в изделиях, подвергаемых наводороживанию и облучению в процессе эксплуатации.

Полупроводниковый анализатор диоксида азота // 2561019

Использование: для регистрации и измерения содержания микропримесей диоксида азота. Сущность изобретения заключается в том, что датчик состоит из полупроводникового основания, выполненного в виде поликристаллической пленки твердого раствора (InSb)0,94(CdTe)0,06, нанесенной на электродную площадку пьезокварцевого резонатора.

Экспрессный способ оценки безопасности изделий из фенолформальдегидных пластмасс // 2555775

Изобретение относится к аналитической химии, а может быть использовано для оценки безопасности изделий из фенолформальдегидных пластмасс. Для этого используют многоканальный анализатор газов (МАГ-8) с 8-мью пьезокварцевыми резонаторами, электроды которых модифицируют нанесением растворов полидиэтиленгликольсукцината, полиэтиленгликольсебацината, полиэтиленгликольфталата, полифенилового эфира, триоктилфосфиноксида, пчелиного клея, пчелиного воска и комбинированного сорбента - пчелиного клея с хлоридом железа (III).

Способ идентификации паров моноэтаноламина в газовых смесях, равновесных парах над твердыми, жидкими пробами // 2607388

Изобретение относится к аналитической химии органических соединений. Способ характеризуется тем, что применяются два сенсора на основе пьезокварцевых резонаторов (ПКР) объемных акустических волн с базовой частотой колебания 10,0 МГц, на электроды которых наносят пленки из насыщенного раствора фторида калия в ацетоне, для чего электроды опускают в насыщенный раствор фторида калия в ацетоне и выдерживают в течение 10 и 5 с, после удаления свободного растворителя в течение 10 мин при температуре t = 100°C , наносятся фазы фторида калия массой 4,0 и 1,0 мкг соответственно, выдерживают их 2 мин для установления стабильности исходной частоты колебания каждого сенсора QUOTE (Гц), предварительно анализируемую твердую фазу массой 1 – 5 г измельчают, жидкую фазу объемом 10 QUOTE отбирают и выдерживают в бюксе с полиуретановой пробкой в течение 20 и 10 мин соответственно, анализируемые газовую смесь или равновесные пары над твёрдыми, жидкими пробами объемом 5 QUOTE отбирают газовым шприцем и инжектируют в ячейку детектирования со скоростью 1 QUOTE , при этом вещества взаимодействуют с покрытиями из фторида калия и изменяются частоты колебания обоих сенсоров, фиксируют частоту колебаний сенсора с массой пленки 4,0 мкг через 30 с после инжекции паров QUOTE (Гц) и для сенсора с массой пленки 1,0 мкг через 60 с после инжекции QUOTE (Гц), по полученным данным рассчитывают для каждого сенсора изменение частот колебаний относительно исходной и, если соотношение изменений частот колебаний сенсоров с массой пленок соответственно 4,0 и 1,0 мкг составляет 1,2 ± 0,3, то делают вывод о присутствии в газовой смеси паров моноэтаноламина. Достигается возможность определения наличия паров моноэтаноламина в газовых смесях, равновесных парах над твердыми, жидкими пробами с высокими экспрессностью и селективностью в минимальном объеме пробы. 1 пр.

Полупроводниковый газовый датчик микропримесей аммиака // 2607733

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки антимонида индия, легированного теллуридом кадмия - (InSb)0,98(CdTe)0,02, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Заявляемый датчик при существенном упрощении технологии его изготовления позволяет определять содержание аммиака с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. 3 ил.

Полупроводниковый газовый датчик микропримесей кислорода // 2610349

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей кислорода. Изобретение может быть использовано для экологического мониторинга. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки твердого раствора теллурида кадмия, легированного селенидом кадмия состава (CdSe)0,5(CdTe)0,5, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Заявляемый датчик при существенном упрощении технологии его изготовления позволяет определять содержание кислорода с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. 3 ил.

Электрохимический способ измерения концентрации метана в азоте // 2613328

Использование: для получения возможности измерения содержания метана в азоте в широком диапазоне температур и концентраций при одновременном контроле работоспособности электрохимической ячейки в процессе измерений. Сущность изобретения заключается в том, что в поток анализируемого газа, находящегося при температуре от 450 до 700°С, помещают электрохимическую ячейку с полостью, образованной двумя дисками из кислородпроводящего твердого электролита, на противоположных поверхностях дисков расположены по паре электродов, к электродам одного из дисков подают напряжение постоянного тока в пределах 600-1500 мВ с подачей положительного полюса на внутренний электрод, посредством чего осуществляют электролиз паров воды и накачку полученного в результате электролиза кислорода из потока анализируемого газа в полость ячейки по электрохимической цепи: наружный электрод - твердый электролит - внутренний электрод, в процессе достижения стационарного состояния, когда диффузионный поток продуктов окисления метана из полости ячейки станет равным поступающему потоку анализируемого газа, поступающего в ячейку, измеряют протекающий через ячейку предельный ток и по величине предельного тока, соответствующего содержанию кислорода, потраченного на окисление метана, определяют концентрацию метана в азоте. Технический результат: обеспечение возможности просто и надежно измерять содержание метана в азоте. 4 ил.

Полупроводниковый датчик аммиака // 2613482

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака, и может быть использовано для экологического мониторинга. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки твердого раствора состава (CdTe)0,5(CdS)0,5, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Датчик согласно изобретению при существенном упрощении технологии его изготовления позволяет определять содержание аммиака с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. 3 ил.

Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка // 2613488

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении газовых сенсоров. Предложен способ изготовления газовых сенсоров, содержащих корпус, установленную в нем на основании двухслойную наноструктуру ZnO-ZnO:Cu, точечные контакты, соединенные с выводами корпуса, помещенными в изолятор и штуцер, обеспечивающий контакт детектируемого газа с чувствительным элементом. Двухслойную наноструктуру ZnO-ZnO:Cu, в которой наблюдается термовольтаический эффект, синтезируют в рамках золь-гель технологии из золя путем растворения неорганической соли цинка в спирте и добавления поверхностно-активного вещества, после чего проводится перемешивание с последующим созреванием золя. Нижний слой наноструктуры формируют из чистого оксида цинка путем погружения подложки на ⅔ длины в золь и сушки. Верхний слой оксида цинка, легированного медью, формируют двумя или тремя погружениями другого конца подложки на ⅔ длины с последующей сушкой и отжигом. Изобретение позволяет изготавливать газовый сенсор на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка, который имеет повышенную чувствительность к газам-восстановителям. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ экспрессной оценки качества сухих пекарных дрожжей // 2614667

Изобретение относится к пищевой промышленности хлебобулочных и кондитерских изделий. Способ предусматривает использование детектирующего устройства «электронный нос» на основе массива из 8 пьезосенсоров с базовой частотой колебаний 10-15 МГц, электроды которых модифицируют покрытиями, чувствительными к спиртам, углекислому газу, для чего на электроды наносят пленки из ацетоновых и толуольных растворов, а также из хлороформной суспензии углеродных нанотрубок с общей массой каждого покрытия после удаления растворителя 4–10 мкг; регистрируют в режиме реального времени сигналы массива пьезосенсоров в виде площади «визуального отпечатка» (S(τ)); для этого взвешивают 2 пробы сухих пекарных дрожжей, переносят анализируемые пробы в пробоотборники, добавляют предварительно нагретую до 37 °С дистиллированную воду и перемешивают получившиеся растворы, далее измерения проводят следующим образом: через 5 мин газовым шприцем отбирают равновесную газовую фазу над одной пробой водной суспензии дрожжей, вкалывают в ячейку детектирования и фиксируют в течение 1 мин сигналы пьезосенсоров и S1(5), после очистки ячейки детектирования и пьезосенсоров в течение 1-2 мин повторно через 5, 10 и 15 мин отбирают по 1 см3 РГФ и фиксируют S1(10), S1(15), S1(20), через 10 минут от момента перемешивания проб во второй пробоотборник с водной суспензией дрожжей вводят раствор сахарозы, через 5 и 10 мин отбирают 1 см3 РГФ над пробой, фиксируют сигналы массива сенсоров и S2(15), S2(20) и рассчитывают изменения площадей «визуальных отпечатков» сигналов массива сенсоров для 15-й и 20-й минуты измерения (∆S(15) = S2(15) – S1(15), ∆S(20) = S2(20) – S1(20)), отражающие различия в общем содержании летучих веществ в РГФ над пробами при активации сухих дрожжей водой и сахарозой; для оценки качества сухих дрожжей рассчитывают показатель качества дрожжей (ПКД) как разность площадей «визуальных отпечатков» на 20-й и 15-й минуте измерения (ПКД = ∆S(20) - ∆S(15)), отражающий изменение содержания легколетучих веществ в РГФ над пробой дрожжей в процессе активации их сахарозой, если ПКД меньше 0 ± 50, делают вывод о низком качестве дрожжей. Достигается упрощение определения качества сухих дрожжей по сравнению с известными методиками при значительном снижении временных и материальных затрат. 1 пр., 2 табл., 1 ил.

Экспрессный способ установления фальсификации молока разбавлением его водой по сигналам массива пьезосенсоров // 2620343

Изобретение относится к аналитической химии пищевых продуктов и может быть использовано для установления фальсификации молока водой. Способ предусматривает использование детектирующего устройства типа «электронный нос», матрицу которого формируют на основе четырех пьезосенсоров резонансного типа. На обезжиренные электроды пьезосенсоров с частотой колебаний 8-10 МГц наносят пленку определенного сорбента массой 10-15 мкг: родамин 6G (Род6Ж), полиэтиленгликольадипинат (ПЭГА), дициклогексан 18 Краун-6N (18-К-6), пчелиный клей (ПчК). Пьезосенсоры выдерживают до установления стабильной частоты колебания, затем отбирают образцы проб, помещают в стеклянные герметичные сосуды с полимерной мягкой мембраной и выдерживают в течение 10-15 мин при температуре 18-22°С. С помощью одноразового шприца отбирают 2 см3 равновесной газовой фазы и вводят в статическую ячейку детектирующего устройства, регистрируют отклики пьезосенсоров в течение 60 с, выбирают наибольший аналитический сигнал ΔFc, рассчитывают отношения сигналов: и , где ΔFРод6Ж - аналитический сигнал пьезосенсора с сорбентом Род6Ж; ΔF18-K-6 - аналитический сигнал пьезосенсора с сорбентом 18-К-6; ΔFПЭГА - аналитический сигнал пьезосенсора с сорбентом ПЭГА; ΔFПчК - аналитический сигнал пьезосенсора с сорбентом ПчК, и сопоставляют с аналогичными показателями для стандартной пробы, при этом одновременно увеличение отношения сигналов по сравнению со стандартом более чем на 30% и уменьшение отношения сигналов более чем на 10% характеризует завышенное содержание воды в молоке, что свидетельствует о фальсификации молока разбавлением его водой. Достигается высокая экспрессность, точность, объективность измерения и надежность определения факта фальсификации молока водой. 1 пр., 2 табл., 2 ил.

Полупроводниковый датчик метана // 2623658

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания довзрывных концентраций метана в атмосферном воздухе, и может быть использовано в угольной, металлургической, коксохимической и атомной промышленности, а также в автомобильной промышленности. Полупроводниковый датчик метана содержит диэлектрическую подложку (1) и чувствительный слой (2) с нанесенными на его поверхность металлическими электродами (3) толщиной до 0,2 мкм. Чувствительный слой (2) выполнен на основе сульфида европия, модифицированного добавкой сульфида самария. Концентрация добавки не превышает 25 мол.%. Датчик имеет пониженную рабочую температуру детектирования метана в атмосферном воздухе. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Способ получения чувствительного материала для газового датчика на сапфировой подложке // 2625096

Изобретение относится к способу изготовления газовых датчиков и применяется для получения газочувствительного материала, который выполнен на основе диоксида титана, нанесенного на сапфировую подложку, и предназначен для регистрации содержания микропримесей оксида углерода и кислорода. Способ получения газочувствительного материала на сапфировой подложке, заключающийся в том, что из пленкообразующего раствора тетраизопропоксида титана получают газочувствительный материал на сапфировой подложке методом центрифугирования, который затем подвергают сушке и отжигу. Газочувствительный материал подвергают лазерному отжигу с использованием излучения импульсного твердотельного Nd:YAG-лазера с длиной волны 1064 нм, длительностью импульса 50-100 нс и средней мощностью 80-100 Вт. Изобретение обеспечивает возможность повышения качества кристаллической структуры и стабильности газочувствительных характеристик пленки газочувствительного материала за счет модификации ее кристаллической и дефектной структуры в процессе лазерного отжига. 2 ил.