Способ временного закрепления подложек на технологическом основании

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано, например, при изготовлении гибридных интегральных схем, высокоплотных электронных модулей, а также при корпусировании многокристальных электронных компонентов, содержащих утоненные полупроводниковые кристаллы в составе единого электронного компонента или подложки. Сущность способа временного закрепления подложек на технологическом основании заключается в том, что на технологическое основание наносят материал адгезива либо путем вакуумного напыления, либо путем аппликации тонкого листа этого материала в атмосфере, осуществляют монтаж заготовки на адгезионную поверхность технологического носителя, полученный пакет подвергают воздействию температуры, необходимой для присоединения заготовки к технологической пластине, причем при необходимости прикладывают усилие прессования в среде вакуума или в атмосфере, в результате получают единую систему заготовка-основание, пронизанную каналами вдоль плоскости закрепления, над которой выполняют обычные технологические операции, после этого каналы системы заготовка-основание соединяют с патрубками, через которые осуществляют прокачку жидкого вещества, быстро растворяющего материал адгезива, и после полного отделения заготовки удаляют с нее остатки адгезива. Технический результат изобретения - расширение арсенала способов временного закрепления подложек на технологическом основании. 8 ил.

 

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано, например, при изготовлении гибридных интегральных схем, высокоплотных электронных модулей, а также при корпусировании многокристальных электронных компонентов, содержащих утоненные полупроводниковые кристаллы в составе единого электронного компонента или подложки. Изобретение может быть использовано и в других отраслях промышленности.

Известны следующие способы временного закрепления заготовок на технологическом носителе для предотвращения их изгибов и коробления при выполнении механических, химико-термических, фотолитографических, вакуумно-плазменных и других операций.

1. Крепление на магнитный или электромагнитный стол - подходит для крепления заготовок из ферромагнитных материалов. Использование этого способа широко известно в машиностроении (см., например, US 3336551 А, US 20100308519 А1, ЕР 2497599 В1). Использование прижимов при креплении на магнитный или электромагнитный стол из магнитных материалов способствует удержанию материалов, не обладающих ферромагнитными свойствами. Недостаток использования прижимов - снижение эффективности использования технологического поля и обострение проблемы коробления тонкостенных заготовок. Кроме того, вышеозначенный способ не может быть использован при магнетронном напылении материала на заготовку ввиду привнесения искажений в магнитное поле магнетрона.

2. Равномерное крепление тонкостенной заготовки, без коробления - крепление на вакуумный стол (один из известных типовых способов крепления описан в американском патенте US 20100013169 А1). Недостаток вакуумного закрепления - невозможность выполнения технологических процессов в вакуумной среде.

3. Еще один способ - широко известный способ закрепления с помощью электростатического захвата (один из известных типовых способов крепления описан в европейском патенте ЕР 0609504 А1). Основной недостаток - при использовании этого способа необходимо использование высокого напряжения, требующего особых мер предохранения от его воздействия.

4. Крепление на клеевую основу (viam.ru/public/files/2005/2005-204336.pdf) подходит для большинства технологических воздействий, однако клеевой состав характеризуется повышенным газовыделением в вакууме. Использование клеевых составов нарушает геометрию плоскостности и параллельности в системе «обрабатываемая плоскость - установочная поверхность». Кроме того, затруднено последующее отделение заготовки с установочной поверхности.

5. Один из известных способов закрепления заготовок и свободный от вышеперечисленных недостатков, при этом позволяющий производить закрепление при широком спектре технологических воздействий - временное закрепление на технологической плоскости с помощью материалов, меняющих адгезионные свойства под воздействием ультрафиолетового излучения (см., например, американский патент US 20130244400 А1). Данный способ может быть использован в случае проницаемого для ультрафиолетового излучения материала закрепляемой подложки или технологического носителя, что сужает возможности его использования.

Технический результат изобретения - расширение арсенала способов временного закрепления подложек на технологическом основании.

Для достижения этого технического результата делают следующее (пример иллюстрируется фиг. 1-8).

1. На технологическое основание наносят материал адгезива либо путем распыления шликера, вакуумным или газодинамическим напылением, например, легкоплавкого минерального стекла SiO2 с эвтктоидной добавкой (фиг. 1, 2), либо путем аппликации тонкого листа этого материала (фиг. 3).

2. Осуществляют монтаж заготовки на адгезионную поверхность технологического носителя (фиг. 4).

3. Полученный пакет подвергают воздействию температуры, необходимой для присоединения заготовки к технологической пластине; при необходимости прикладывают усилие прессования в среде вакуума или в атмосфере (фиг. 5). В результате заготовка и технологическое основание представляют собой единую систему, пронизанную каналами вдоль плоскости соединения.

4. Над системой заготовка-основание выполняют обычные технологические операции.

5. После выполнения всех технологических операций заготовку отделяют от технологического основания. Для этого каналы системы заготовка-основание соединяют с патрубками, через которые осуществляют прокачку жидкого вещества, быстро растворяющего материал адгезива, например раствор солей плавиковой кислоты (фиг. 6); на фиг. 6 1 - впускной патрубок растворителя адгезива, 2 - технологическое основание, 3 - микроканалы в технологическом основании для растворителя, 4 - заготовка, 5 - выпускной патрубок растворителя адгезива, 6 - элементы герметизации системы для предотвращения утечки растворителя. При растворении материала связки происходит освобождение от адгезионных сил (фиг. 7, 8).

6. Для восстановления геометрии и целостности заготовки после ее отделения от основания с нее удаляют остатки адгезива. Для этого ее, например, устанавливают на вакуумный стол и шлифуют сторону с остатками адгезива.

Способ временного закрепления подложек на технологическом основании, заключающийся в том, что на технологическое основание наносят материал адгезива либо путем вакуумного напыления, либо путем аппликации тонкого листа этого материала в атмосфере, осуществляют монтаж заготовки на адгезионную поверхность технологического носителя, полученный пакет подвергают воздействию температуры, необходимой для присоединения заготовки к технологической пластине, причем при необходимости прикладывают усилие прессования в среде вакуума или в атмосфере; в результате получают единую систему заготовка-основание, пронизанную каналами вдоль плоскости закрепления, над которой выполняют обычные технологические операции; после этого каналы системы заготовка-основание соединяют с патрубками, через которые осуществляют прокачку жидкого вещества, быстро растворяющего материал адгезива, и после полного отделения заготовки удаляют с нее остатки адгезива.



 

Похожие патенты:

Предложено устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик включает в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на промежуточной подложке и выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона через диэлектрик, антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом, два корпусированных полупроводниковых прибора, включающих литой блок полимерного компаунда, выполненный так, чтобы закрыть полупроводниковый кристалл и антенную структуру, и диэлектрический тракт передачи сигналов, расположенный между двумя корпусированными полупроводниковыми приборами передачи сигналов миллиметрового диапазона.

Изобретение относится к полупроводниковым микроэлектронным устройствам и к процессам их сборки. Устройство с многослойной укладкой кристаллов включает в себя подложку корпуса и промежуточный блок с укладкой микросхем, расположенной в зазоре, который соответствует промежуточному блоку.

Изобретение относится к модулю полупроводникового элемента и способу его изготовления. .

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к печатным платам с высокой плотностью размещения компонентов, которые используются, например, в устройствах для определения местоположения и азимута.

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике. .

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок, в которых используются внутренние согласующие LC-цепи.

Изобретение относится к области изготовления электронной аппаратуры с применением многослойных печатных плат (МПП). Технический результат - создание конструкции печатной платы (ПП) с встроенными активными и пассивными бескорпусными электро-радиоизделиями (ЭРИ), не подвергающимися воздействию высоких температур и давления, позволяющей устанавливать ЭРИ высотой в сотни микрон и, как следствие, повышенной емкости и мощности. Достигается тем, что конструкция ПП включает одно- или многослойное основание и трассировочный набор (ТН), изготовленные из стеклотекстолита фольгированного и препрега, при этом высота слоев ТН превышает высоту наибольшего бескорпусного ЭРИ не менее чем на 0,2 мм. В МПП имеются одна или несколько полостей, внутри которых на топологии установлены и герметизированы безусадочным компаундом бескорпусные ЭРИ, которые сопрягаются металлизированными отверстиями с корпусированными ЭРИ на обороте основания и верхнем слое ТН. При изготовлении ПП в ТН создаются технологические окна. При сборке МПП последовательно выкладываются сначала слои основания, а затем слои ТН с последующим прессованием, после которого создаются металлизированные отверстия. Корпусированные ЭРИ устанавливаются с одной или двух сторон МПП после полного отверждения безусадочного компаунда. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: для создания интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы содержит подложку и гибкий кристалл интегральной схемы, соединенный с подложкой по существу в вертикальной ориентации относительно поверхности подложки. Технический результат: обеспечение возможности улучшенного теплоотведения и сохранения компактности. 4 н. и 21 з.п. ф-лы, 8 ил.
Наверх