Способ химико-механической полировки толстых слоев кобальтсодержащих сплавов

Изобретение относится к химико-механической полировке толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов и может применяться при изготовлении элементов приборов и устройств в микро- и наноэлектронике. Способ химико-механической полировки толстого слоя ферромагнитного кобальтсодержащего сплава на поверхности пластины из оксида кремния с вытравленной канавкой включает обработку пластины полировальником в присутствии суспензии в два этапа, обеспечивающую равномерный съем материала и получение заданной толщины сплава в упомянутой канавке. На первом этапе полирование проводят со скоростью 400-600 нм/мин при давлении 6,9-10,3 кПа и при скорости подачи суспензии 150 мл/мин, при этом используют полирующую кислотную суспензию, содержащую оксид алюминия, диоксид кремния аморфный, азотную кислоту и воду, в которую добавляют Н2О2 до достижения концентрации Н2О2 0,6-1,8 мас. % и рН 2-3. На втором этапе полирование проводят при давлении 15,9-19,3 кПа и при скорости подачи суспензии 300 мл/мин, при этом используют полирующую щелочную суспензию, содержащую диоксид кремния, неорганический гидроксид и воду, в которую добавляют Н2О2 до достижения концентрации 0,8-1,2 мас. % и рН 9,5-11,2. 9 з.п. ф-лы, 3 ил.

 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

Способ химико-механической полировки толстых слоев ферро-магнитных кобальтсодержащих сплавов относится к полированию структур, включающих толстый слой ферро-магнитного кобальтсодержащего сплава на поверхности оксида кремния с канавкой, вытравленной в его объеме. Способ может быть использован для изготовления элементов приборов и устройств в микроэлектронике и наноэлектронике, работающих за счет использования металлических слоев с магнитными свойствами, в частности, слоев ферро-магнитных кобальтосодержащих сплавов.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

При изготовлении элементов нано- и микроэлектронных приборов и устройств, в которых используются относительно толстые металлические слои, содержащие кобальт, используют процесс химико-механической полировки (chemical–mechanical polishing (ХМП), позволяющий получить удаление и выравнивание (планаризацию) составных (оксид кремния-металл) плоских элементов с высокой чистотой и точностью толщины металла и оксида кремния получаемых поверхностей.

Известны способы химико-механической полировки (ХМП) получения тонких (толщиной порядка 1 мкм и менее) слоев металлов, в том числе, с содержанием кобальта, в которых используют стандартные суспензии, такие как суспензия компании Фуджифилм (FujiFilm) для полировки кобальта (представлена в 2014 г. на международной конференции «Planarization/CMP Technology (ICPT)», см. http://ieeexplore.ieee.org/document/7017287/).

Поскольку кобальт в настоящее время рассматривается как один из наиболее перспективных материалов для создания барьерных слоев при производстве свербольших интегральных схем следующего поколения, важно чтобы скорость ХМП была достаточно высокой. Однако большинство суспензий для процесса ХМП дают низкую скорость полировки кобальта в известных способах ХМП и не подходят для удаления достаточно толстых слоев толщиной 10 мкм, используемых для изготовления, например, сердечников микротрансформаторов, интегральных пассивных устройств (Integration passive devices IPD), в МЭМС, использующих в своей структуре магнитные и ферро-магнитные вещества.

Известны способы ХМП кобальтсодержащих слоев путем медленного травления с использованием обычных суспензий. В частности, известен способ полировки кобальтсодержащих слоев за счет синергетического эффекта составляющих, сходящих в полирующую суспензию, при котором скорость полировки составляет порядка 100 нм/мин (см. статью «Синергетическое влияние пероксида водорода и глицина ХМП кобальта в слабо щелочной среде» (Liang Jiang etc. Synergetic effect of H2O2 and glycine on cobalt CMP in weakly alkaline slurry//Microelectronic Engineering 122 (2014), рр. 82–86 - http://fulltext.study/preview/pdf/539478.pdf). Данная скорость низка для полировки толстых кобальтсодержащих слоев, т.к. сильно тормозит технологический процесс.

В других известных способах ХМП кобальтсодержащих слоев с более быстрой скоростью травления возникает коррозия металла. Например, известна композиция для ускорения полирования кобальта и способ с ее использованием по заявке на изобретение «Ускоритель полирования кобальта» США № US20160115353 A1 от 21.10.2015 https://patents.google.com/?q=slurry&q=corroding&q=material&q=cmp&q=cobalt&before=20151021(компании Cabot Microelectronics Corp.http://www.google.com/search?tbo=p&tbm=pts&hl=en&q=inassignee:%22Icp+Electronics+Inc.%22, заявленный приоритет 21.10.2014). Композиция включает в себя композицию из абразивных частиц, набора трех составляющих из водорода, карбоксиалкила, замещенный карбоксиалкил, гидроксиалкил, замещенный гидроксиалкил и аминокарбонилалкил с особенностью выбора этих составляющих, ингибитор коррозии кобальта, окислитель кобальта, и воду, причем рН композиции порядка 3- 8,5. Предложенные в указанной заявке композиция и способ, в отличие от патентуемого вызывают коррозию, что нежелательно. В частности, в заявке описаны композиции (суспензии), разработанные специально для полировки подложки, содержащей кобальт. Для уменьшения коррозии в композиции добавляют специальные добавки, подавляющие коррозию (suppressor). В тоже время для увеличения скорости полировки в суспензии добавляют ускорители (accelerator). Однако, для полировки сплавов, содержащих кобальт, эти суспензии не очень подходят, т.к. дают или слишком маленькую скорость полировки или вообще не полируют.

В отдельных случаях для ликвидации неровностей поверхности в процессе ХМП, образовавшихся после осаждения различных слоев, или для достижения планарности поверхности обходятся без ХМП и используют способ известный как lift-off (обратной (взрывной) фотолитографии) (https://snf.stanford.edu/SNF/processes/process-modules/photolithography/lift-off-lol-procedures/liftoff), однако этот метод применим лишь для тонких пленок.

Иногда в качестве альтернативы ХМП используют плазменное травление магнитных слоев, например, при формировании магнитных туннельных переходов в производстве MRAM. https://users.ece.cmu.edu/~jzhu/publications/mram_fab.pdf). Минус этого способа заключается в том, что травление происходит по всей поверхности с одинаковой скоростью. Этот способ не подходит для формирования канавок с кобальтосодержащими сплавами. Как видно на Фиг. 1, первоначальная толщина магнитного слоя по всей поверхности одинаковая, как в канавке, так и вне ее. Скорость плазменного травления по всей поверхности так же одинаковая. Соответственно, если в процессе травления с поверхности оксида магнитный слой (сплав кобальта) будет удален, то и в канавке его не останется - он будет удален на ту же толщину. Поэтому указанный способ не пригоден для случая, когда требуется, чтобы с поверхности оксида магнитный слой был удален, а в канавке остался.

Наиболее близким к патентуемому способу является двухступенчатый способ полировки Pt, описаннный в статье http://www.ece.ucdavis.edu/~saif/pub/papers/Ultraflat_Pt_APA_05.pdf. Однако он не подходит для полировки кобальтсодержащих сплавов, т.к. в известном способе речь идет о металле с другими физическими свойствами и для другого диапазона толщин слоев (способ предлагается для очень тонких пленок с толщиной порядка 500А), а заявленный способ по заявке – это способ полировки толстых слоев.

Таким образом, видно, что известные способы, используемые для аналогичных целей, не позволяют достигнуть требуемого технического результата - получить планарную поверхность с требуемой толщиной ферромагнитного слоя в канавке.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Задачей заявленного изобретения является преодоления указанных недостатков известных технических решений. Технический результат предложенного изобретения заключается в усовершенствовании процесса ХМП толстых слоев ферро-магнитных кобальтсодержащих сплавов в составе структур, включающих такой толстый слой ферро-магнитного кобальтсодержащего сплава на поверхности оксида кремния с канавкой, вытравленной в его объеме. Процесс ХМП делится на два этапа, благодаря чему за счет эмпирически подобранного состава компонентов полирующих композиций снижается время полировки и повышается пропускная способность оборудования. Обеспечивая более равномерный съем материла и получение заданной толщины сплава в канавке.

Задача решается, а технический результат обеспечивается тем, что процесс ХМП для полирования толстых слоев ферро-магнитных кобальт содержащих сплавов осуществляют как двухступенчатый, что позволяет в итоге избежать коррозии ферро-магнитного кобальтосодержащего сплава, ухудшающей его магнитные свойства, т.к. возникновение коррозии является причиной изменения свойств магнитного материала, и, как следствие, влечет изменение коэрцитивной силы ферромагнетика.

В отличие от одноступенчатых известных способов, изобретение позволяет не только достигнуть желаемой толщины кобальт содержащего сплава на первом этапе (которым, как правило, ограничиваются в известных способах), но и избавиться от коррозии на втором этапе за достаточно короткое время по сравнению с известными обычными способами ХМП, применяемыми для тонких пленок, а также преодолеть эффект искажения профиля полирования, что также очень важно, т.к. чем дольше процесс полировки, тем сложнее контролировать равномерность съема материала.

Для осуществления заявленного двухступенчатого ХМП на первом этапе используют кислотную суспензию (композицию) F7810 от производителя Cabot (или аналогичную ей), содержащую в своем составе оксид алюминия, диоксид кремния аморфный, которые обеспечивают механический эффект в процессе ХМП, азотную кислоту отвечающий за уровень pH раствора и деионизованная вода. Так же в состав входят другие химические компоненты, которые не разглашаются производителем.

В целом, заявленный состав представляет собой дисперсную систему, где вода - это дисперсная среда, в которой распределены оксид алюминия и диоксид кремния аморфный (дисперсная фаза). Процесс ХМП осуществляется за счет химической компоненты и абразивных частиц суспензии, приводящим к окислительно-восстановительным реакциям и механическому удалению продуктов реакции из зоны обработки. В результате мы получаем планарную поверхность с заданной толщиной сплава в канавке с отсутствие дефектов на поверхности (царапин, остатков суспензии, не до конца удаленный сплав с поверхности оксида и т.д.). Эта суспензия дает высокую скорость полировки 400 – 600нм/мин, процесс проводится при низких давлениях.

На втором этапе для удаления всего коррозийного слоя, образовавшегося на первом этапе ХМП, используют щелочную суспензию (композицию) Cu4545 от компании Versum, не дающую коррозии, а наоборот, удаляющую этот коррозийный слой. Эта композиция включает в себя диоксид кремния, обеспечивающий механический эффект в процессе ХМП, неорганический гидроксид, отвечающий за уровень pH раствора, деионизованную воду и другие компоненты, которые производителем не разглашаются. Указанная композиция, используемая на втором этапе ХМП характеризуется низкой скоростью полировки, что позволяет легко контролировать весь процесс ХМП и вовремя остановиться при достижении желаемой толщины слоя толстой пленки в диапазоне 600-800 нм. Скорость полировки с композицией от компании Versum составляет 15-20 нм/мин.

ПЕРЕЧЕНЬ ЧЕРТЕЖЕЙ

Фиг. 1. Схематическое изображение структуры перед началом процесса химико-механической полировки с канавкой, вытравленной в оксиде кремния глубиной 1 мкм, и осажденной пленкой CoFeB толщиной 2 мкм.

Фиг. 2. Схематическое изображение структуры после первого этапа химико-химической полировки при достижении толщины слоя CoFeB равной 1100-1200 нм.

Фиг. 3. Схематическое изображение структуры после окончания процесса химико-механической полировки при достижении толщины CoFeB в канавке 600-800 нм.

ПРИМЕРЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Процесс ХМП осуществляется на установке от американского производителя Applied materials на установке Reflexion LK. Процесс химико-механической полировки осуществляется с помощью полировальника от компании DOW марки VP3500 (полировальник крепиться к вращающемуся столику). Во время процесса ХМП суспензия подается на полировальник. Пластина крепится к держателю лицевой стороной вниз. Обрабатываемая пластина и полировальник находятся во вращательном движении относительно друг друга под давлением в присутствии суспензии. Вращающийся столик оснащен системой водяного охлаждения. После каждого этапа, пластина промывается - деионизованной водой в модуле ультрозвуковой очистки и затем ополаскивателем - химическим раствором Planar Clean от производителя ATMI GmbH (с разбавленнием деионизованной водой в соотношении 1:50). В состав этого раствора входят: этаноламин,

гидроксид тетраметиламония, аденозин. Также в состав композиции входят другие химические элементы, которые производителем не разглашаются.

Реализацию способа двухступенчатой химико-механической полировки толстых слоев ферро-магнитных кобальт содержащих сплавов для канавок со вставкой из кобальт содержащего сплава рассмотрим на примере толстой пленки CoFeB с начальной толщиной 2 мкм (аналогично он осуществляется и для других заявленных сплавов) с использованием установки от американской компании Applied materials марки Reflexion LK на первом этапе используют кислотную суспензию, содержащую в своем составе оксид алюминия, диоксид кремния аморфный, азотную кислоту, все вместе не более 15 мас. %. Так же в состав композиции входят другие компоненты, которые производителем не разглашаются. При этом для снижения высокой скорости полировки при использовании данной суспензии, процесс проводят при низком давлении (усилии прижатия).

Для подготовки композиции, все компоненты смешиваются в определенном порядке и пропорциях в предназначенной для этого емкости. Т.к. кислотная суспензия F7810 от производителя Cabot имеет высокую концентрацию, ее сначала разбавляют с водой в соотношении 1:5, после чего добавляют Н2О2 в качестве окислителя. Добавление компонентов производят в следующей последовательности: вода, суспензия, перекись водорода. Когда все компоненты загружены, композиция тщательно перемешивается в течение 10 минут. Концентрация Н2О2 в готовом растворе может составлять 0,6-1,8 мас. %, при этом уровень рН раствора может быть порядка 2-3. Данная суспензия достаточно агрессивна по отношению ферро-магнитному кобальтосодержащему сплаву, что приводит к возникновению коррозии

на поверхности металлического слоя. Было замечено, что наилучший результат достигается для концентрации Н2О2 равной 0,6-0,8 мас. % готового раствора и при рН раствора равной 2.1-2.3, в этом случае коррозия на поверхности меньше, а скорость полировки остается достаточно высокой 400-600 нм/мин при низком давлении порядка 6,9-10,3 кПа (1-1.5 psi), позволяющем снизить скорость полировки. Процесс останавливается, когда толщина CoFeB достигает значений порядка 1100-1200 нм.

На втором этапе ХМП используют ту же установку что и на первом этапе, удаляют образовавшийся на первом этапе коррозийный слой с использованием композиции на основе щелочной суспензии, не дающей коррозии. Щелочная суспензия включает в свой состав - диоксид кремния, неорганический гидроксид. Также в состав композиции входят другие компоненты, которые производителем не раскрываются. При этом скорость полировки данной суспензией является очень низкой порядка 15-20 нм/мин, ее осуществляют при более высоком давлении по сравнению с первым этапом 15,9-19,3 кПа (2.3-2.8 psi). Величина скорости полировки предварительно определяется на тестовых пластинах и по результатам этого теста, определяется время полировки. Концентрация Н2О2 составляет при этом 0,8-1,2%, при этом рН готового раствора равна 9.5-11.2. Данная суспензия не вызывает коррозии металлического сплава, а низкая скорость полировки позволяет легко контролировать процесс с использованием оптического микроскопа, в частности, неоднократно, например, 2 раза в течение 2-го этапа можно убедиться в том, что с поверхности оксида удален весь ферро-магнитный кобальтосодержащий сплав. Если в момент контроля обнаруживаются остатки ферро-магнитного материала, то пластину полируют дополнительно в том же составе. Т.к. скорость полировки

низкая, это позволяет своевременно остановиться в конце второго этапа при достижении толщины слоя CoFeB в канавке равной 600-800 нм, т.е. в момент, когда с поверхности оксида будет удален весь металлический слой ферро-магнитного кобальтосодержащего сплава, а останется он только в канавке.

Для осуществления способа имеет значение скорости потоков композиций, содержащих суспензии, которые устанавливаются для первого этапа - 150 мл/мин, а для второго 300 мл/мин.

Осуществление способа проверялось также для ХМП слоев CoFe. Принимая во внимание, что сплавы CoFeB, CoFe имеют физико-химические свойства аналогичные физико-химическим свойствам сплавов Со, CoxFeyBz (x+y+z=1), CoxFeyBzTakZrl (x+y+z+k+l=1), CoxZryTaz (x+y+z=1), CoxFeySiOz (x+y+z=1), заявленный способ может быть также использован для ХМП слоев всех перечисленных кобальтсодержащих сплавов.

Способ ХМП для слоев указанных сплавов ферромагнитных материалов названных толщин может быть использован для изготовления сердечников микротрансформаторов при формировании магнитного кольца, интегральных пассивных устройств (IPD - Integration passive devices), в МЭМС, использующих в своей структуре магнитные и ферро-магнитные вещества. Он пригоден также для получения планарных структур (выравнивания рельефа полупроводниковых структур).

1. Способ химико-механической полировки толстого слоя ферромагнитного кобальтсодержащего сплава на поверхности пластины из оксида кремния с вытравленной канавкой, включающий обработку пластины полировальником в присутствии суспензии в два этапа, при которых обрабатываемая пластина и полировальник находятся во вращательном движении относительно друг друга под давлением с возможностью осуществления на любом этапе визуального контроля толщины оставшегося слоя, причем на первом этапе полирование проводят со скоростью 400-600 нм/мин при давлении 6,9-10,3 кПа и при скорости подачи суспензии 150 мл/мин, при этом используют полирующую кислотную суспензию, содержащую оксид алюминия, диоксид кремния аморфный, азотную кислоту и воду, в которую добавляют Н2О2 до достижения концентрации Н2О2 0,6-1,8 мас. % и рН 2-3, а на втором этапе полирование проводят при давлении 15,9-19,3 кПа и при скорости подачи суспензии 300 мл/мин, при этом используют полирующую щелочную суспензию, содержащую диоксид кремния, неорганический гидроксид и воду, в которую добавляют Н2О2 до достижения концентрации 0,8-1,2 мас. % и рН 9,5-11,2, причем каждый из этапов завершают промывкой полируемой поверхности деионизированной водой с последующей промывкой ополаскивателем, содержащим этаноламин, гидроксид тетраметиламмония, аденозин, а полирование завершают после удаления с поверхности обрабатываемой пластины из оксида кремния всего слоя ферромагнитного кобальтсодержащего сплава и достижения желаемой толщины слоя в упомянутой канавке.

2. Способ химико-механической полировки толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов по п. 1, отличающийся тем, что в качестве кобальтсодержащего сплава используют CoFeB.

3. Способ химико-механической полировки толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов по п. 1, отличающийся тем, что в качестве кобальтсодержащего сплава используют CoFe.

4. Способ химико-механической полировки толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов по п. 1, отличающийся тем, что в качестве кобальтсодержащего сплава используют сплав CoxFeyBz, где x+y+z=1.

5. Способ химико-механической полировки толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов по п. 1, отличающийся тем, что в качестве кобальтсодержащего сплава используют сплав CoxFeyBzTakZrl, где x+y+z+k+l=1.

6. Способ химико-механической полировки толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов по п. 1, отличающийся тем, что в качестве кобальтсодержащего сплава используют сплав CoxZryTaz, где x+y+z=1.

7. Способ химико-механической полировки толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов по п. 1, отличающийся тем, что в качестве кобальтсодержащего сплава используют сплав CoxFeySiOz, где x+y+z=1.

8. Способ химико-механической полировки толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов по п. 1, отличающийся тем, что в качестве ополаскивателя используют деионизованную воду и химический раствор Planar Clean.

9. Способ химико-механической полировки толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов по п. 1, отличающийся тем, что для оптического контроля толщины оставшегося слоя используют оптический микроскоп.

10. Способ химико-механической полировки толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов по п. 1, отличающийся тем, что в качестве ополаскивателя используют химический раствор Planar Clean, разбавленный деионизованной водой раствором в соотношении 1:50.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой.

Изобретение относится к устройству для нанесения жидкой среды, подвергаемой ультрафиолетовому облучению, на подложку. Устройство содержит: кожух, имеющий продолговатую камеру, по меньшей мере одно впускное отверстие, которое открыто в камеру, и по меньшей мере одно щелевое выпускное отверстие, противоположное впускному отверстию, которое проходит по длине камеры.

Изобретение относится к изготовлению распыляемой композитной мишени, содержащей фазу сплава Гейслера Co2MnSi, которая может быть использована при производстве микроэлектроники.

Изобретение относится к изготовлению распыляемых композитных мишеней сплава Гейслера Co2MnSi, которые могут найти применение при производстве микроэлектроники. Способ включает механическое смешивание порошков компонентов сплава с получением однородной порошковой смеси и ее спекание.

Изобретение относится к композиции для химико-механической полировки. Описана композиция для химико-механичекой полировки, содержащая(А) одно или более соединений формулы (1) где пары пунктирных линий в формуле (1) либо каждая обозначает двойную связь, либо обозначает одинарную связь, где (i) когда каждая пара пунктирных линий в формуле (1) обозначает двойную связь, один из R1 и R2 представляет собой водород и другой из R1 и R2 выбирается из группы, включающей хлор, бром, алкил, содержащий от трех до шести атомов углерода, бензоил и -COOR3, где R3 выбирается из группы, включающей алкилы, содержащие от трех до шести атомов углерода, или R3 представляет собой заместитель, содержащий структурную единицу, выбранную из группы, включающей -(СН2-СН2-O)n-Н и -(CH2-CH2-O)n-CH3, где n, в каждом случае, представляет собой целое число в интервале от 1 до 15, или R1 и R2 оба независимо выбираются из группы, включающей бром и хлор, и (ii) когда каждая пара пунктирных линий в формуле (1) обозначает одинарную связь, R1 и R2 представляют собой водород, или один из R1 и R2 представляет собой водород, и другой из R1 и R2 выбирается из группы, включающей хлор, бром, алкил, содержащий от трех до шести атомов углерода, бензоил и -COOR3, где R3 выбирается из группы, включающей алкилы, содержащие от трех до шести атомов углерода, или R3 представляет собой заместитель, содержащий структурную единицу, выбранную из группы, включающей -(СН2-СН2-O)n-Н и -(СН2-СН2-O)n-СН3, где n, в каждом случае, представляет собой целое число в интервале от 1 до 15, или R1 и R2 оба независимо выбираются из группы, включающей бром и хлор, причем общее количество одного или нескольких соединений формулы (1) лежит в диапазоне от 0,0001 до 1 мас.% на основе общей массы соответствующей композиции для химико-механической полировки,(В) неорганические частицы, органические частицы, или их композит, или смесь, которые находятся в форме кокона, где общее количество катионов, выбранных из группы, включающей магний и кальций, составляет менее 1 части на миллион на основе общей массы соответствующей композиции.

Использование: для изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что массив чувствительных элементов формируется в процессе селективного травления однородной сетки УНТ с использованием литографической маски в виде массива прямоугольников размером 8*4 мкм2, сформированной в процессе фотолитографии.

Задачей настоящего изобретения является расширение способов изменения кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок.

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку.

Изобретение относится к композиции химического механического полирования для обработки наружной сапфировой поверхности и способу полирования сапфировой подложки.
Изобретение относится к области химико-механической обработки металлических поверхностей, а именно к полированию металлических деталей в растворе органических веществ с применением абразива.
Изобретение относится к способу изготовления реторты для печи для азотирования, в которой металлические детали подвергаются термической обработке в предварительно заданной атмосфере, а также к реторте для печи для азотирования и к печи для азотирования с соответствующей изобретению ретортой.
Изобретение относится к области борьбы с коррозионными отложениями. Предложен состав, содержащий, мас.% : соляная кислота - 20,0-35,0, гексаметилентетрамин - 3,0-8,0, ПАВ - 0,5-4,0, изопропиловый спирт - 5,0-10,0, олеиновая кислота - 0,5-2,0, водный разбавитель – остальное.

Изобретение относится к обработке электротехнической стали, покрытой фабричным стеклом и имеющей дефекты в виде железных бугров. В способе осуществляют обработку, по меньшей мере, части поверхности электротехнической стали, покрытой фабричной стеклом, кислым раствором, в течение времени, достаточного для уменьшения средней высоты дефектов железа на поверхности до средней высоты в диапазоне от 0% до 150% толщины фабричного покрытия стеклом без удаления фабричного стеклянного покрытия.

Изобретение относится к области атомной технологии и может быть использовано при проведении работ по дезактивации в процессе эксплуатации и при выводе из эксплуатации атомных станций и других радиационноопасных объектов.

Изобретение относится к области химической обработки металлов и может быть использовано для очистки металлических изделий разнообразной конфигурации, преимущественно, для осуществления очистных промывочных операций при ремонте или эксплуатации теплоэнергетического оборудования.

Изобретение относится к области химической обработки металлов. Способ очистки металлических поверхностей от коррозионных отложений на основе оксидов и гидроксидов железа различного происхождения включает травление отложений раствором и последующую промывку поверхности проточной водой, при этом травление осуществляют в растворе, содержащем, г/л: этиленгликоль 90-150, хлороводородная кислота 15-25, 1-гидроксиэтилидендифосфоновая кислота (ОЭДФ) 10-15, щавелевая кислота 15-25, вода - остальное, при температуре 50-80°С и pH 2-3.

Изобретение относится к химико-механической полировке толстых слоев ферромагнитных кобальтсодержащих сплавов и может применяться при изготовлении элементов приборов и устройств в микро- и наноэлектронике. Способ химико-механической полировки толстого слоя ферромагнитного кобальтсодержащего сплава на поверхности пластины из оксида кремния с вытравленной канавкой включает обработку пластины полировальником в присутствии суспензии в два этапа, обеспечивающую равномерный съем материала и получение заданной толщины сплава в упомянутой канавке. На первом этапе полирование проводят со скоростью 400-600 нммин при давлении 6,9-10,3 кПа и при скорости подачи суспензии 150 млмин, при этом используют полирующую кислотную суспензию, содержащую оксид алюминия, диоксид кремния аморфный, азотную кислоту и воду, в которую добавляют Н2О2 до достижения концентрации Н2О2 0,6-1,8 мас. и рН 2-3. На втором этапе полирование проводят при давлении 15,9-19,3 кПа и при скорости подачи суспензии 300 млмин, при этом используют полирующую щелочную суспензию, содержащую диоксид кремния, неорганический гидроксид и воду, в которую добавляют Н2О2 до достижения концентрации 0,8-1,2 мас. и рН 9,5-11,2. 9 з.п. ф-лы, 3 ил.

Наверх