Избирательный усилитель

 

ОПИСЛНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

273290

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 27.Ill.1969 (№ 1314030/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 15.V1.1970. Бюллетень ¹ 20

Дата опубликования описания 24.Л11.1970

Кл. 21аз, 18i08

МПК Н 031 3/04

УД К 621.375.124 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Б<.1;С :1.>.: : ! ! т т,т! -; .

1 .Л>с1т1 .1.

H. Н, Русяев и P. Х. Абдрахманов

Заявитель

D i > >»

ИЗБИРАТЕЛЪНЬ1Й УСИЛИТЕЛЬ

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к избирательному усилителю, например усилителю промежуточной частоты.

Известны избирательные усилители, выполненные на транзисторах, включенных по схеме с общей базой, в которых согласование между каскадами осуществляется при помощи контуров.

В подобных усилителях при замене траизи- 10 сторов приходится произво <ить перестройку контуров вследствие значительного разброса параметров резисторов, кроче того, эти усилители имеют малый коэффициент устойчивости вследствие наличия илрязитных связей 15 между кяскядлми.

С целью повышения коэффициента. устойчивости, до 1уска1<ицего зямснх транзисторов без последующей перестоойкн контуров, в предлагаемом устройстве коллектор каждого 20 предыдущего транзистора соедш!ен с эмиттером последующего через индуктивность, а с базой — через емкость, при х1ом tlepe o>t база — -коллектор каждого из транзисторов усилителя зашуитироваи последовательной индуктивно-емкостной цепоч«ой, большая часть контурного тока проходит через емкость, MHиуя блокиру!ощпе емкост 1, чем достигается существенное ослабление паразитной связи между соседними каскадами. 30

На черте>не изображена схема предлагаемого усилителя.

Усилитель выполнен иа тра!:зисторах 1, которые пo постоянному току включены по схеме с общим эмиттером, а 10 персмеииому— ио схеме с общей базой. Резисторы > определяют величину напряжения мещепия ил базах транзисторов 1, резисгор,> задаст ток эмиттеров транзисторов 1. Конденсаторы используются в качестве блокирующих емкостей. Коллекторы транзисторов прсдыдущи. каскадов через катушки 5 индхктивности соединены с эмиттерами, а через конденсаторы

6 — с базами транзисторов последующих каскадов.

Параллельно емкостям коллектор — ба".ë транзисторов 1 вк,.почеиы послсдовлтел1п1ые ! t< 110 I НН, СОСТО>1ЩI1Е ИЗ P<1 3ÄÅ ° Ill Е.it>tt t>IХ ЕМ!<О стей 7 и иейтрализу1ощих: ..ду <тивиостей 8, нагрузкой последнего кясклдл усилителя моI<0:leáHTe, tt>Iti>1tt 1,0kll уp 9.

Уcиливаемь1й cIII пал подается нт! эмиттер первого каскада. Выделение alt! ttaлл в этом и последующих каскадах происходит на коллекторных нагрузках — ко, !еб1ательиы ; I<онтурах, выполняюгцих волизи резонансной 13стоты функции трансформатора тока и образованных катушками 5 и конденсаторами 6.

Большая часть тока в кол< бательиых контурах замыкается по цепи: катушка 5, кон273290

Предмет изобретения

Составитель Э. Фридонина

1>сдактор T. И. Морозова Техрсд 3. 11, Тараненко

I(оррскто;> Л. В. Юшина

Заказ 2280/15 Тираж 480 Подписное

Ц1И1!11ПИ 1(оа>итета по делам изобретений и открь>>ли1 прн Совете Министров СССР

Москва, OK-З5, Раушскаи наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 дсисатор б и эмиттериый переход транзистора следующего каскада. а остав>иаяся часть, ответвляясь через емкость коллектор — база предыдущего транзистора проходит через блокирующие конденсаторы 4 и создает на иих падения напряжения, вызыва>ощие иаразитИЪ IO СВЯЗЬ Al((Æ Ji>, КаСКаДаМИ.

Для более полного устранения ответвления тока колебательного контура ьо вие>ииие цсии черсз емкость коллектор — база, параллельный колебатсльиый контур, образоващ>ый этой емкостью и нейтрал::1зующей иидуктивиостью 8, настраивается на частоту сигнала.

Усиленный сигнал снимается с. контура 9.

Избирательный усилитель, например, для промежуточной частоты, выполненный на

5 транзисторах, включенных llo схеме с общей базой, отлпчп>ощиасл тем, ч o, с целью иоBI iIiIcIIII5I > оэч>чи исита, стой ч1>вости щccTB;ILIIII>l возможности зам llbl транзисторов без последу>ощей подстройки контуров, 10 коллектор каждого иредыдуи;его транзистора подключен к эмиттеру последу>ощего через иидукт:>ьиость, и к базе — >е;>ез емкость, ири

6 l1 3 I — Ko. I I 8 ic o р к а ж до cо транзисторов усилителя зашуитирован после15 довательиой индуктивио-смкостиои цепочкой.