Ферротранзисторный элемент

 

277840

ОП ИСА Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23.Х||.1968 (¹ 1294401/18-24) Кл, 21а1, 36/18 с присоединением заявки №

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК Н 03k 19/00

УДК 621.375.3(088.8) Приоритет—

Опубликовано 05Х|1!.1970. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания ЗО.Х.1970

Авторы изобретения

В. Л. Волчек, Ю. Ф, Алексеев и Г. А. Еремеев

Заявитель

ФЕРРОТРАНЗИСТОРНЪ|Й ЭЛЕМЕНТ

Это достигается благодаря тому, что между змиттером транзистора и базовой обмоткой трансформатора включен дроссель, а между базой и коллектором включена цепь отрицательной обратной связи, состоящая из последовательно включенных обмотки трансформатора и диода.

Принципиальная схема элемента приведена на чертеже.

1о Элемент содержит элемент памяти I и транзисторный усилитель, собранный на высокочастотном транзисторе 2, охваченный положи тельной (обмотка 8 трансформатора) и нелинейной отрицательной) диод 4 и обмотка 5

1s трансформатора) обратными связями. В эмиттерную цепь транзистора включен дроссель б, а в коллекторную — резистор 7.

При достаточно высоких частотных свойст20 вах транзистора нарастание тока в выходной цепи узла (i,„, практически определяется только индуктивностью дросселя (,р) и величиной перепада потокосцепления (ЛЧ") на

ЛЬ обмотке 8 трансформатора,„„= —, что

Ьдр

Изобретение относится к области вычислительной техники.

В известных ферротранзисторных элементах для цифровых вычислительных машин, как правило, использованы низкочастотные транзисторы, работающие в режиме насыщения.

В этом случае форма выходного сигнала и технические характеристики узла зависят от разброса параметров транзисторов. Допустимый диапазон изменения инерционных свойств транзисторов, характеризующий пригодность его для использования в ферротранзисторном узле, ограничен сверху необходимой скоростью входа транзистора в насыщение, а снизу— помехоустойчивостью узла. Это приводит к необходимости жесткого двустороннего отбора транзисторов.

Изменения формы выходного сигнала и особенно длительности и крутизны его спада, обусловленные разбросом параметров транзистора, существенно осложняют построение логической операции «запрет», уменьшают помехоустойчивость устройства и снижают его надежность.

Предлагаемый ферротранзисторный элемент позволяет применять широкий класс транзисторов, обеспечивает стабильность формы выходного сигнала и практически исключает влияние на нее разброса параметров транзисторов. позволяет, используя различие между перепадами потокосцеплений помехи и сигнала, обеспечивать оптимальное соотношение токов помехи и сигнала на выходе узла.

277840 .др выхлопах

1,„= гбэ

Предмет изобретени я гю

Составитель Л. В, Скобелева

Редактор Л. А. Утехина Техред А, А. Камышннкова Корректор Н. С. Сударенкова

Заказ 3035/15 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7Ê-35, Раушская наб., д 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Величина выходного тока узла ограничена резистором, однако входу транзистора в режим насыщения препятствует нелинейная отрицательная обратная связь.

Известно, что напряжение на переходе база — эмиттер открытого ненасыщенного транзистора (U q,) сохраняется постоянным при значительных изменениях баззвого тока. Следовательно, после того, как сформировался фронт выходного тока и э.д.с. самоиндукции на дросселе стала равной нулю, напряжение, индуцируемое на обмотке 8 трансформатора, оказывается застабилизированным напряжеHHeM U

В соответствии с этим скорость изменения потокосцепления на обмотке 8 постоянна — = Уб, — — const, а время полного переЫф

dt ключения магнитного элемента и, следовательно, длительность выходного сигнала узла определяются полным перепадом потокосцепления в обмотке 8 и напряжением Уб,.

2W S Bг гэбэ где W — число витков обмотки 8;

S — площадь поперечного сечения сердечника;

В, — остаточная индукция магнитного элемента.

Температурные изменения остаточной индукции и напряжения база — эмиттер компенсируют друг друга, что обеспечивает стабилизацию длительности выходного сигнала узла

5 в широком диапазоне температур.

После полного переключения магнитного элемента напряжение, индуцируемое на обмотке 8 трансформатора, становится равным нулю, и дроссель начинает разряжаться через

10 эмиттер транзистора. Напряжение эмиттер— база при этом остается неизменным и равным

Уб, Поэтому выходной ток спадает линейно и длительность спада равна

Ферротр анзисторный элемент, отличающийся тем, что, с целью исключения влияния разброса параметров транзисторов на форму вы25 ходного сигнала и повышения надежности, между эмиттером транзистора и базовой обмоткой трансформатора включен дроссель, а между базой и коллектором включена цепочка, состоящая из последовательно соединен.

30 ньix обмотки трансформатора и диода.

Ферротранзисторный элемент Ферротранзисторный элемент 

 

Наверх