Способ электронно-лучевой наплавки с контролем положения присадочной проволоки относительно электронного луча (варианты)

Изобретение относится к способу электронно-лучевой наплавки с оперативным контролем положения присадочной проволоки относительно электронного луча. Способ содержит этапы, на которых электронно-лучевую наплавку проводят с непрерывной осцилляцией электронного луча по траектории, имеющей пересечение с присадочной проволокой. В процессе наплавки измеряют сигнал тормозного рентгеновского излучения, или вторичных высокоэнергетичных электронов, или световой эмиссии из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой. Проводят обработку сигнала вторичного излучения методом синхронного накопления или методом синхронного детектирования. Выделяют и измеряют величину, характеризующую запаздывание сигнала вторичного излучения относительно сигнала тока в отклоняющих катушках, или величину, характеризующую отклонение присадочной проволоки от требуемого положения. Управляют отклоняющей системы электронного луча и/или системой позиционирования присадочной проволоки, поддерживая значения упомянутых выше величин на уровне, соответствующем требуемому положению присадочной проволоки относительно электронного луча.2 н. и 2 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.

 

Группа изобретений относится к области электронно-лучевой наплавки и может быть использована для осуществления оперативного контроля за положением присадочной проволоки относительно электронного луча при электронно-лучевой наплавке или послойном синтезе изделий проволочными материалами.

При электронно-лучевой наплавке проволочным материалом качество получаемого наплавленного валика зависит от многих факторов, один из наиболее важных — это точность подачи присадочного материала в зону наплавки. Диаметр электронного луча в точке фокусировки составляет доли миллиметра, поэтому во избежание отклонения присадочной проволоки от электронного луча при отсутствии регулирования положения присадочной проволоки относительно электронного луча применяют дополнительные приемы, чаще всего расфокусирование электронного луча. При этом размер электронного луча в плоскости его взаимодействия с присадочной проволокой получают сопоставимым с размером сечения присадочной проволоки. Это приводит к снижению энергетической эффективности процесса, увеличению припусков под механическую обработку, увеличенному тепловложению в изделия со всеми вытекающими последствиями.

Известен способ контроля электронно-лучевой сварки с помощью герметичной видеокамеры и системы подсветки для контроля процесса обработки материала электронным лучом. (патент РФ на изобретение №2510744, В23К 15/066, 2014). Использование видеокамеры и системы подсветки позволяет вести наблюдение и контроль процесса электронно-лучевой наплавки, в том числе при аддитивном производстве. В частности, видеонаблюдение позволяет динамически контролировать положение проволоки относительно электронного луча. Такой контроль повышает качество наплавленных слоев, повышает точность наплавки, снижает припуски на механическую обработку.

Недостатком, известного способа является относительно высокая стоимость применяемого оборудования, сложность использования получаемого видеоизображения в системе автоматического оперативного контроля.

Наиболее близким к первому и второму варианту заявляемого способа по технической сущности и достигаемому техническому результату является способ электронно-лучевого послойного синтеза (патент США на изобретение US8809780, В23К 9/04, 2014), при котором контроль положения присадочной проволоки относительно электронного луча осуществляют посредством наблюдения отраженных электронов, при этом электронный луч периодически осциллируют по растровой траектории с частотой не менее 5 раз в секунду для сканирования зоны наплавки.

Недостатком известного способа является периодическое прерывание процесса для отклонения электронного луча, что отрицательно сказывается на качестве наплавляемого валика и требует сложного управления системой отклонения электронного луча. Кроме того, при использовании такого способа происходит построение двумерного изображения области наплавки с необходимостью его дальнейшей обработки, что требует относительно высоких вычислительных мощностей и снижает быстродействие системы.

Техническим результатом, достигаемым вариантами изобретения, является повышение точности оперативного контроля положения присадочной проволоки относительно электронного луча при проведении наплавки или послойном синтезе изделия непрерывно осциллирующим электронным лучом.

Технический результат по первому варианту достигается тем, что в способе электронно-лучевой наплавки с контролем положения присадочной проволоки относительно электронного луча, заключающемся в том, что электронно-лучевую наплавку ведут с непрерывной осцилляцией электронного луча, а контроль положения проволоки осуществляют по вторичному излучению из зоны электронно-лучевой наплавки, согласно первому варианту изобретения, непрерывную осцилляцию электронного луча ведут по траектории, имеющей пересечение с присадочной проволокой, путем подачи переменного тока определенной величины, формы и частоты в отклоняющей системе электронного луча, в процессе наплавки регистрируют сигнал вторичного излучения из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой, сигнал вторичного излучения обрабатывают методом синхронного накопления и получают функцию, описывающую зависимость усредненных величин сигнала вторичного излучения от сдвига опорного сигнала, зависящего от тока в отклоняющей системе, по положению экстремума функции, описывающей зависимость усредненных величин сигнала вторичного излучения от сдвига опорного сигнала, определяют величину запаздывания функции относительно сигнала тока в отклоняющей системе электронного луча, характеризующую положение присадочной проволоки относительно электронного луча, управляют отклоняющей системой электронного луча и/или системой позиционирования присадочной проволоки, поддерживая величину, характеризующую запаздывание упомянутой функции на уровне, соответствующем требуемому положению присадочной проволоки относительно электронного луча.

Кроме того, в способе по первому варианту в процессе наплавки в качестве сигнала вторичного излучения могут использовать тормозное рентгеновское излучение, или вторичные высокоэнергетичные электроны, или световую эмиссию из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой.

Технический результат по второму варианту достигается тем, что в способе электронно-лучевой наплавки с контролем положения присадочной проволоки относительно электронного луча, заключающемся в том, что электронно-лучевую наплавку ведут с непрерывной осцилляцией электронного луча, а контроль положения проволоки осуществляют по вторичному излучению из зоны электронно-лучевой наплавки, согласно второму варианту изобретения, непрерывную осцилляцию электронного луча ведут по траектории, имеющей пересечение с присадочной проволокой, путем подачи переменного тока определенной величины, формы и частоты в отклоняющей системе электронного луча, в процессе наплавки регистрируют сигнал вторичного излучения из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой, сигнал вторичного излучения обрабатывают методом синхронного детектирования, для этого обрабатывают сигнал тока с отклоняющей системы электронного луча, выделяя переменную составляющую, перемножают значения сигналов вторичного излучения и сигнала переменной составляющей тока с отклоняющей системы, а результат умножения усредняют по времени, получают величину, характеризующую отклонение присадочной проволоки от требуемого положения, управляют отклоняющей системой электронного луча и/или системой позиционирования присадочной проволоки, поддерживая величину, определяющую отклонение присадочной проволоки на уровне, соответствующем требуемому положению присадочной проволоки относительно электронного луча.

Кроме того, в способе, согласно второму варианту изобретения, в процессе наплавки в качестве сигнала вторичного излучения используют тормозное рентгеновское излучение, вторичные высокоэнергетичные электроны, или световую эмиссию из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой.

Технический результат по первому варианту изобретения обеспечивается за счет использования дополнительного информационного параметра в виде величины, характеризующей запаздывание функции относительно сигнала тока в отклоняющей системе электронного луча, соответствующего требуемому положению присадочной проволоки, определенной методом синхронного накопления.

Технический результат по второму варианту изобретения обеспечивается за счет использования дополнительного информационного параметра в виде величины, характеризующей отклонение присадочной проволоки от требуемого положения, полученной методом синхронного детектирования.

Знак и значение указанных величин, зависят от отклонения присадочной проволоки в ту или иную сторону относительно центра осцилляции электронного луча. Благодаря использованию указанных дополнительных информационных параметров заявляемый способ позволяет с высокой точностью осуществлять оперативный контроль и управление положением присадочной проволоки относительно электронного луча без прерываний процесса наплавки или использования дорогостоящей системы видеонаблюдения. Применяемая при этом непрерывная осцилляция электронного луча может дополнительно улучшать качество формирования наплавляемого слоя.

На фиг. 1 представлена структурная схема устройства, предназначенного для осуществления заявляемого способа.

На фиг. 2 изображена диаграмма опорного сигнала для реализации синхронного накопления, сформированного из сигнала в отклоняющих катушках, представляющего собой прямоугольные колебания малой скважности, где: Osc(t) - осциллограмма тока отклоняющей по оси X катушки; g(t+τ) – сформированный опорный сигнал; τ – сдвиг опорного сигнала относительно сигнала отклоняющих катушек.

На фиг. 3 представлена функция S(τ), являющаяся результатом обработки вторичного сигнала методом синхронного накопления в зависимости от сигнала в отклоняющей катушке Osc(τ).

На фиг. 4 представлена функция S(τ), являющаяся результатом обработки вторичного сигнала методом синхронного накопления в зависимости от положения электронного луча.

На фиг. 5 представлена относительная величина запаздывания Δτ0 функции S(τ) в зависимости от смещения оси присадочной проволоки ∆L относительно центра осцилляции электронного луча, полученная в результате многофакторного эксперимента.

Для осуществления заявляемого способа, как по первому, так и по второму варианту, используют установку для электронно-лучевой наплавки, представленную на фиг.1. Установка содержит электронно-лучевую пушку 1 для подачи электронного луча 2 на изделие 3 для наплавки присадочной проволоки 4, отклоняющие катушки 5, датчик вторичного сигнала 6, блок обработки 7 вторичного сигнала, устройство управления 8, блок управления 9 токами отклоняющих катушек 5, устройство визуализации 10.

Способ по обоим вариантам осуществляют следующим образом.

В установке для электронно-лучевой наплавки в процессе наплавки проволоки 4 на изделие 3 осуществляют непрерывную осцилляцию электронного луча 2, например, по кольцевой траектории, путем введения в ток отклоняющих катушек 5 синусоидальных колебаний посредством блока управления 9 токами Iоткл отклоняющих катушек 5. Рекомендуемая частота осцилляции от 50 Гц и более. Осцилляция электронного луча 2 с меньшей частотой оказывает сильное гидродинамическое воздействие на расплавленный металл, что может снизить качество наплавки. В процессе наплавки регистрируют вторичное излучение из зоны наплавки, посредством датчика вторичного сигнала 6, и ток отклоняющих катушек 5.

В настоящем примере по обоим вариантам осуществления способа для контроля за процессом наплавки в качестве вторичного излучения используют тормозное рентгеновское излучение. Однако, это могут быть вторичные высокоэнергетичные электроны, или световая эмиссия, или другие вторичные сигналы из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой.

В качестве датчика тормозного рентгеновского излучения 6 может быть применен сцинтилляционный детектор на основе монокристалла активированного йодистого цезия и кремниевый фотоэлектронный умножитель (фиг. 1).

В качестве датчика вторичных высокоэнергетичных электронов может быть использован электрод коллектор, устанавливаемый над зоной наплавки.

В качестве датчика световой эмиссии может быть использован фотодиодный датчик, устанавливаемый над зоной наплавки.

Сигнал с датчика тормозного рентгеновского излучения 6 подвергают фильтрации и выпрямлению в блоке обработки 7. В этом же блоке 7, совместно с сигналами токов отклоняющих катушек Iоткл, отфильтрованный и выпрямленный сигнал вторичного тормозного рентгеновского излучения из зоны наплавки обрабатывают методом синхронного накопления по первому варианту заявляемого способа, или методом синхронного детектирования по второму варианту заявляемого способа. Для удобства определения отклонения присадочной проволоки от требуемого положения систему отклонения электронного луча настраивают так, что одна из осей отклоняющей системы должна совпадать с осью присадочной проволоки. Или перед выполнением наплавки проводят тарировку системы для учета угла подачи присадочной проволоки.

В результате обработки вторичного рентгеновского сигнала методом синхронного накопления по первому варианту изобретения получают функцию S(τ), график которой изображен на фиг.3, и величину Δτ0, определяющую отклонение экстремума функции S(τ) от сигнала тока Osc(τ) в отклоняющих катушках 5, соответствующего требуемому положению присадочной проволоки, то есть величину, характеризующую запаздывание функции S(τ) относительно сигнала тока в отклоняющих катушках 5. Величина Δτ0 зависит от положения присадочной проволоки 4 относительно центра осцилляции электронного луча 2 (фиг. 5) и принимает значения, равные нулю, при прохождении присадочной проволоки через центр осцилляции электронного луча. На примере, отображенном на фиг.3 и фиг.4, показано отклонение присадочной проволоки от требуемого положения на величину Δτ0. В месте пересечения электронного луча 2 с присадочной проволокой 4 присутствует экстремум функции S(τ), который указывает на реальное положение проволоки 4. Величину Δτ0 определяют по положению экстремума функции S(τ) относительно сигнала тока Osc(τ) в отклоняющей системе 5 электронного луча 2.

В результате обработки вторичного рентгеновского сигнала методом синхронного детектирования по второму варианту изобретения измеряют величину b, характеризующую отклонение присадочной проволоки от требуемого положения. Данная величина зависит от положения присадочной проволоки 4 относительно центра осцилляции электронного луча 2 и принимает значения, равные нулю, при прохождении присадочной проволоки через центр осцилляции электронного луча.

Далее устройство управления 8 совместно с блоком управления 9 током отклоняющих катушек 5 осуществляет регулирование постоянной составляющей тока отклонения электронного луча 2, поддерживая величину Δτ0, или величину b на постоянном уровне, соответствующем требуемому положению присадочной проволоки относительно центра осцилляции электронного луча. В частности, поддержание указанных величин равными нулю обеспечивает прохождение подаваемой присадочной проволоки через центр осцилляции электронного луча. Функция S(τ) и величина Δτ0, характеризующая запаздывание функции, и/или величина b, характеризующая отклонение присадочной проволоки от требуемого положения отображаются на устройстве визуализации 10.

Осцилляция электронного луча 2, согласно обоим вариантам заявляемого способа, предпочтительно осуществляется по кольцевой траектории. Однако также могут использоваться другие типы осцилляции: по двумерной и даже одномерной траекториям, имеющим пересечение с присадочной проволокой.

Экспериментальная апробация способа осуществлялась на образцах из стали 12Х18Н10Т и присадочной проволоке 308LSi диаметром 0,8 мм на электронно-лучевой сварочной установке с инверторным источником питания с ускоряющим напряжением 60 кВ и максимальной выходной мощностью 6 кВт. Осцилляция электронного луча 2 осуществлялась по кольцевой траектории путем введения в ток отклоняющих катушек Iоткл периодических колебаний по синусоидальному закону. Расстояние от среза электронной пушки 1 до изделия 3 составляло 100 мм. Применялось активное планирование эксперимента. Варьировались четыре фактора: скорость подачи присадочной проволоки – Vп; частота осцилляции электронного луча – f; радиальный размер кольцевой осцилляции электронного луча R; смещение проволоки относительно центра осцилляции электронного луча – ΔL, представляющее из себя расстояние от оси присадочной проволоки до центра осцилляции электронного луча в плоскости, перпендикулярной оси электронного луча. Скорость перемещения изделия составляла 5 мм/с. Мощность электронного луча была равна 0,75 кВт. Глубина проплавления при отсутствии осцилляции электронного луча составляла 1,5…2 мм. Пределы варьирования факторов для каждой серии представлены в табл. 1.

Таблица 1.

Факторы ΔL мм f, Гц R,
мм
Vп,
мм/сек
Нижний предел варьирования -1,4 100 0.8 2
Верхний предел варьирования 1,4 1200 1,6 4

Во время выполнения наплавки, с помощью компьютерной информационно-измерительной системы, оснащенной многоканальным аналого-цифровым интерфейсом, регистрировался относительный уровень сигнала тормозного рентгеновского излучения из зоны наплавки. Одновременно регистрировались сигналы, пропорциональные току в отклоняющих катушках 5. Результаты регистрации записывались в файл для дальнейшей обработки. Частота дискретизации при аналого-цифровом преобразовании в проведенных экспериментах составляла 400 кГц на каждый измерительный канал. Часть экспериментов проводилась с частотой дискретизации 2МГц.

Сигнал тормозного рентгеновского излучения, регистрируемый датчиком Data(t) из зоны наплавки и сигнал тока в отклоняющих катушках обрабатывают с помощью компьютерной информационно-измерительной системы, оснащенной многоканальным аналого-цифровым интерфейсом.

Согласно первому варианту изобретения обработку вторичного сигнала производят методом синхронного накопления.

Из сигнала в отклоняющих катушках формируется опорный сигнал, который представляет собой прямоугольные колебания малой скважности той же частоты, что и сигнал тока отклоняющих катушек (Фиг.2). Опорный сигнал g(t+τ), сдвинутый на время τ (0<τ<T, где T - период сигнала в отклоняющих катушках), умножается на соответствующий ему сигнал тормозного рентгеновского излучения Data(t). Затем полученные значения произведений g(t+τ)∙Data(t) интегрируется (суммируется или усредняется) по времени t.

Результатом данных преобразований является функция S(τ), график которой изображен на фиг.3, описывающая изменение результата синхронного накопления в зависимости от сдвига опорного сигнала.

,

где t0 – время выборки, которое составляло 100 мс.

Далее по положению экстремума функции S(τ) находят величину Δτ0., т.е. величину, характеризующую запаздывание функции S(τ) относительно сигнала тока в отклоняющих катушках 5 (фиг.3).

Согласно построенной модели для величины Δτ0, характеризующей запаздывание функции S(τ) относительно сигнала тока в отклоняющих катушках 5, в зависимости от факторов из табл. 1, коэффициент корреляции составляет 0.92, что говорит о наличии прямой зависимости между результирующей функцией и наблюдаемыми параметрами.

Зависимость величины Δτ0, характеризующей запаздывание функции S(τ) относительно сигнала тока в отклоняющих катушках 5, от величины смещения ΔL проволоки 4 относительно центра осцилляции электронного луча, приведена на Фиг. 5

Знак и значение величины Δτ0, характеризующей запаздывание функции S(τ) относительно сигнала тока в отклоняющих катушках 5, зависят от смещения проволоки ΔL относительно центра осцилляции электронного луча 2. Значение величины Δτ0 уменьшается от положительных значений на режиме с отклонением оси присадочной проволоки 4 в одну сторону, к отрицательным значениям на режиме с отклонением оси присадочной проволоки 4 в другую сторону, и принимает нулевое значение при прохождении оси присадочной проволоки 4 через центр осцилляции электронного луча (Фиг. 5).

Согласно второму варианту изобретения обработку вторичного сигнала производят методом синхронного детектирования.

Из сигнала тока отклоняющих катушек 5 выделяют переменную составляющую Ifm(ωt). При необходимости, в зависимости от требуемого положения проволоки 4, осуществляют сдвиг фазы этой составляющей для обеспечения смещения центра осцилляции электронного луча относительно присадочной проволоки. Измеряют сигнал тормозного рентгеновского излучения Data(t) в соответствии с полученным сигналом Ifm(ωt+φ). Умножают полученный сигнал Ifm(ωt+φ) на соответствующий ему сигнал тормозного рентгеновского излучения, полученные результаты умножения интегрируют и усредняют по времени:

В результате получают величину b, характеризующую отклонение положения присадочной проволоки 4 относительно электронного луча.

Указанные информационные параметры позволяют идентифицировать положение присадочной проволоки относительно электронного луча при электронно-лучевой наплавке без применения дополнительных сканирований области наплавки и, следовательно, без прерывания основного процесса.

Таким образом, заявляемое изобретение позволяет повысить качество электронно-лучевой наплавки проволочным материалом за счет увеличения точности оперативного контроля положения присадочной проволоки относительно электронного луча при проведении наплавки или послойном синтезе изделия непрерывно осциллирующим электронным лучом.

1. Способ электронно-лучевой наплавки, включающий контроль положения присадочной проволоки относительно электронного луча, при этом электронно-лучевую наплавку ведут с непрерывной осцилляцией электронного луча, причем контроль положения проволоки осуществляют по вторичному излучению из зоны электронно-лучевой наплавки, отличающийся тем, что непрерывную осцилляцию электронного луча ведут по траектории, имеющей пересечение с присадочной проволокой, путем создания переменного тока в отклоняющей системе электронного луча, а в процессе наплавки регистрируют сигнал вторичного излучения из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой, причем сигнал вторичного излучения обрабатывают методом синхронного накопления с получением функции, описывающей зависимость усредненных величин сигнала вторичного излучения от фазы сигнала тока в отклоняющей системе электронного луча, при этом по положению экстремума функции, описывающей зависимость усредненных величин сигнала вторичного излучения от фазы сигнала тока в отклоняющей системе электронного луча, определяют величину запаздывания функции относительно сигнала тока в отклоняющей системе электронного луча, характеризующего положение присадочной проволоки относительно электронного луча, и управляют отклоняющей системой электронного луча и/или системой позиционирования присадочной проволоки, поддерживая величину, характеризующую запаздывание упомянутой функции, на уровне, соответствующем требуемому положению присадочной проволоки относительно электронного луча.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в процессе наплавки в качестве сигнала вторичного излучения используют тормозное рентгеновское излучение, вторичные высокоэнергетичные электроны или световую эмиссию из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой.

3. Способ электронно-лучевой наплавки ,включающий контроль положения присадочной проволоки относительно электронного луча, при этом электронно-лучевую наплавку ведут с непрерывной осцилляцией электронного луча, а контроль положения проволоки осуществляют по вторичному излучению из зоны электронно-лучевой наплавки, отличающийся тем, что непрерывную осцилляцию электронного луча ведут по траектории, имеющей пересечение с присадочной проволокой, путем создания переменного тока в отклоняющей системе электронного луча, при этом в процессе наплавки регистрируют сигнал вторичного излучения из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой, сигнал вторичного излучения обрабатывают методом синхронного детектирования, при этом обрабатывают сигнал тока с отклоняющей системы электронного луча, выделяя переменную составляющую, перемножают значения сигналов вторичного излучения и сигнала переменной составляющей тока в отклоняющей системе, полученный результат умножения усредняют по времени, получают величину, характеризующую отклонение присадочной проволоки от требуемого положения, управляют отклоняющей системой электронного луча и/или системой позиционирования присадочной проволоки, поддерживая величину, определяющую отклонение присадочной проволоки, на уровне, соответствующем требуемому положению присадочной проволоки относительно электронного луча.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в процессе наплавки в качестве сигнала вторичного излучения используют тормозное рентгеновское излучение, вторичные высокоэнергетичные электроны или световую эмиссию из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой.



 

Похожие патенты:

Способ определения изменения положения точки падения непрерывного или импульсного энергетического пучка на ограниченной поверхности, который периодически перемещается по поверхности с помощью отклоняющего устройства, включает операции определения поверхности с помощью камеры, имеющей множество отдельно вычисляемых пикселей в плоскости изображения, при этом каждая точка поверхности ассоциируется с пикселем, оценки определяемых камерой характеристик изображения с помощью узла анализа изображений.

Изобретение относится к мишени для электродугового источника (ARC) с первым телом (3) из подлежащего испарению материала, которое содержит по существу в одной плоскости предусмотренную для испарения поверхность, при этом поверхность в этой плоскости окружает центральную зону.

Изобретение относится к установке для нанесения покрытий на подложки путем электронно-лучевого физического осаждения из паровой фазы. Установка содержит тигельное устройство, содержащее по меньшей мере два тигля, расположенных со смещением друг относительно друга в горизонтальной плоскости.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к нанесению вакуумных покрытий, а именно к способам и устройствам для генерации плазмы электропроводящих материалов, предназначенных для нанесения покрытий в вакууме осаждением конденсата из плазменной фазы, и может быть использовано в машино- и приборостроении, в инструментальном производстве, в электронной технике и других областях народного хозяйства.

Изобретение относится к области технологии, связанной с тепловой обработкой, плавлением материалов. .

Изобретение относится к изготовлению прецизионных поверхностей изделий и позволяет повысить точность обработки изделий. .
Изобретение относится к ионно-лучевой обработке крупногабаритных оптических деталей. Технический результат – повышение точности обработки поверхности деталей.

Изобретение относится к электротехнике. .

Изобретение относится к способу многослойной лучевой сварки. Осуществляют создание непосредственно в узком зазоре между свариваемыми деталями над сварочной ванной переменного отклоняющего магнитного поля электромагнитной системой, с катушкой индуктивности и разомкнутым магнитопроводом, имеющим магнитные наконечники со сквозными каналами.

Изобретение относится к способу электронно-лучевой сварки (ЭЛС) кольцевых швов в вакууме титановых сплавов. Способ включает подготовку кромок под сварку, сборку их встык, плавление электронным лучом свариваемого стыка.

Изобретение относится к устройству для определения распределения плотности энергии для контроля фокусировки электронного пучка при электронно-лучевой сварке. Устройство содержит контроллер 1 и преобразователь 2 поперечного распределения энергии электронного пучка в аналоговый сигнал.

Изобретение относится к способу электронно-лучевой сварки. Периодически осуществляют регистрацию рентгеновского излучения из корневой части канала проплавления в плоскостях, поперечных каналу проплавления между плоскостями, расположенными с разных сторон и на равных расстояниях относительно ядра плазмы.

Изобретение относится к области электронно-лучевой сварки металлов. Осуществляют синфазную осцилляцию фокуса электронного луча и осцилляцию продольных отклонений луча в частотном диапазоне от 300 до 2000 Гц по синусоидальному или линейному закону.

Изобретение предназначено для осуществления процесса электронно-лучевой сварки в условиях действия магнитных полей, наводимых в свариваемом изделии. Устройство содержит электронно-лучевую пушку, фокусирующую систему, отклоняющие катушки, генератор сканирования электронного пучка поперек стыка и вдоль него, блок наведения электронного пучка на стык соединения, электропривод перемещения электронно-лучевой пушки, источник компенсирующего магнитного поля, рентгеновский датчик с щелевым коллиматором, установленный на электронно-лучевой пушке таким образом, что проекция коллимационной щели на поверхности свариваемого изделия совпадает с оптической осью электронно-лучевой пушки и расположена параллельно стыку соединения.

Изобретение относится к способу электронно-лучевой сварки. Сварку осуществляют со сквозным проплавлением и регулированием мощности электронного пучка.

Изобретение относится к области электронно-лучевой сварки. Способ электронно-лучевой сварки осуществляется с оперативным контролем удельной мощности и степени фокусировки электронного луча, причем сварку проводят с осцилляцией электронного луча в частотном диапазоне от 300 до 2000 Гц по синусоидальному или линейному закону, в процессе сварки измеряют и подвергают фильтрации и выпрямлению сигнал вторичного тока в цепи коллектора электронов, затем проводят обработку отфильтрованного и выпрямленного или исходного сигнала вторичного тока методом синхронного накопления и измеряют величину запаздывания этого сигнала относительно сигнала тока в отклоняющих катушках.

Изобретение относится к способу электронно-лучевой наплавки с оперативным контролем положения присадочной проволоки относительно электронного луча. Способ содержит этапы, на которых электронно-лучевую наплавку проводят с непрерывной осцилляцией электронного луча по траектории, имеющей пересечение с присадочной проволокой. В процессе наплавки измеряют сигнал тормозного рентгеновского излучения, или вторичных высокоэнергетичных электронов, или световой эмиссии из зоны взаимодействия электронного луча с материалом изделия и присадочной проволокой. Проводят обработку сигнала вторичного излучения методом синхронного накопления или методом синхронного детектирования. Выделяют и измеряют величину, характеризующую запаздывание сигнала вторичного излучения относительно сигнала тока в отклоняющих катушках, или величину, характеризующую отклонение присадочной проволоки от требуемого положения. Управляют отклоняющей системы электронного луча иили системой позиционирования присадочной проволоки, поддерживая значения упомянутых выше величин на уровне, соответствующем требуемому положению присадочной проволоки относительно электронного луча.2 н. и 2 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.

Наверх