Магнетронное распылительное устройство

Изобретение относится к устройствам ионно-плазменного распыления в скрещенных магнитном и электрических полях и может быть использовано в качестве базового распылительного оборудования. Технический результат изобретения - повышение эффективности использования оборудования в составе системы вакуумного распыления в магнетронах и установках катодного осаждения за счет повышения общего эксплуатационного ресурса мишени, а также упрощение конструкции устройства и повышение надежности при эксплуатации. В магнетронном распылительном устройстве, содержащем мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, связанную с мишенью магнитную систему, вакуумную камеру, являющуюся анодом тлеющего разряда, и источник питания тлеющего разряда, соединенный отрицательным полюсом с мишенью, а положительным полюсом - с вакуумной камерой, магнитная система выполнена в виде прилегающего к мишени кольцевого магнита. 2 ил.

 

Изобретение относится устройствам ионно-плазменного распыления в скрещенных магнитном и электрических полях, и может быть использовано в качестве базового распылительного оборудования.

Известно магнетронное распылительное устройство, содержащее плоскую круглую мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, магнитную систему, один из полюсов которой прилегает к центру внешней поверхности мишени, а второй ее полюс прилегает к периферии внешней поверхности мишени. (Патент США №3,878,085). Оно обеспечивает высокую скорость напыления за счет поддержания тлеющего разряда высокой плотности в скрещенных магнитном и электрическом полях. Однако площадь участка, распыляемого ионами, не превышает 25% от общей площади мишени.

Наиболее близким решением по технической сущности к изобретению является магнетронное распылительное устройство, содержащее плоскую круглую мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, магнитную систему, один из полюсов которой прилегает к центру внешней поверхности мишени, вакуумную камеру, являющуюся анодом тлеющего разряда, и источник питания тлеющего разряда, соединенный отрицательным полюсом с мишенью, а положительным полюсом - с вакуумной камерой, при этом оно снабжено охватывающим мишень и соединенным с ней электрически цилиндрическим электродом, к внешней поверхности которого прилегает второй полюс магнитной системы. (Патент РФ №2726223).

К недостаткам такой конструкции относится необходимость использования дополнительного цилиндрического электрода и прилегающей к нему магнитной системы, что приводит к усложнению и увеличению общих размеров устройства.

Технический результат изобретения заключается в повышении эффективности использования оборудования в составе системы вакуумного распыления в магнетронах и установках катодного осаждения за счет повышения общего эксплуатационного ресурса мишени, а также в упрощении конструкции устройства и повышении надежности при эксплуатации.

Указанный технический результат достигается тем, что в магнетронном распылительном устройстве, содержащем мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, связанную с мишенью магнитную систему, вакуумную камеру, являющуюся анодом тлеющего разряда, и источник питания тлеющего разряда, соединенный отрицательным полюсом с мишенью, а положительным полюсом - с вакуумной камерой, магнитная система выполнена в виде прилегающего к мишени кольцевого магнита

На фиг. 1 представлена схема магнетронного распылительного устройства, где (1) - магнитная система, выполненная в виде кольцевого магнита, (2) - мишень, (5) - вакуумная камера, (6) - источник питания тлеющего разряда, (7) - подложка. При этом конфигурация силовых линий создаваемого магнитного поля над распыляемой мишенью (2) такова, что существуют две кольцевых области, в который вектор магнитного поля (3) перпендикулярен вектору электрического поля (4).

В магнетронных системах используются скрещенные магнитные и электрические поля. Распыление мишени происходит за счет бомбардировки поверхности мишени ионами рабочего газа, образующимися в плазме аномального тлеющего разряда. В сильном магнитном поле достигается локализация плазмы вблизи поверхности распыляемой мишени и увеличивается плотность ионного тока.

Устройство работает следующим образом.

Вакуумную камеру с установленным внутри устройством откачивают до давления 1 мПа. затем подают в нее рабочий газ (например, аргон) и увеличивают давление в вакуумной камере до 0,5-1 Па. Далее от источника питания (6) подают отрицательный потенциал до 500 В на мишень (2), являющуюся катодом разряда. В результате зажигается плазма в виде тлеющего разряда. При бомбардировке мишени (2) ионами рабочего газа она эмитирует электроны, которые ускоряются в слое объемного заряда в области мишени (2) до энергии eU, где U - катодное падение потенциала разряда между плазмой и мишенью (2). Каждый эмитированный электрон, вылетевший из катода, движется по отрезку окружности в плоскости, перпендикулярной силовым линиям (3) магнитного поля, возвращается обратно в сторону катода. Образуется магнитная ловушка, в которой электроны проходят по замкнутым круговым траекториям вблизи мишени (2) путь, превышающий ее размеры во много раз. Высокая плотность электронов в прикатодной области позволяет им эффективно ионизировать молекулы рабочего газа, которые, в свою очередь, ускоряются в электрическом поле (4) и бомбардируют поверхность мишени, выбивая из нее молекулы распыляемого вещества, осаждаемого на подложку (7).

Таким образом, в предлагаемой конструкции магнетронного распылительного устройства область разряда представляет собой два концентрических кольца (Фиг. 2). А объект, воплощающий заявленное техническое решение, при его осуществлении способен обеспечить достижение заявленного технического результата - расширения эксплуатационных возможностей за счет повышения эффективности использования распыляемой мишени при упрощении конструкции и уменьшении общих габаритов системы.

Магнетронное распылительное устройство, содержащее плоскую мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, магнитную систему, связанную с мишенью, вакуумную камеру, являющуюся анодом тлеющего разряда, и источник питания тлеющего разряда, соединенный отрицательным полюсом с мишенью, а положительным полюсом - с вакуумной камерой, отличающееся тем, что магнитная система выполнена в виде прилегающего к мишени кольцевого магнита.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области обработки диэлектрических изделий ускоренными ионами или быстрыми атомами и предназначено для травления канавок с высоким аспектным отношением и получения изделий с повышенными механическими и электрофизическими характеристиками поверхности за счет имплантации в нее легирующих элементов.

Изобретение относится к газоразрядному распылительному устройству для нанесения композитных покрытий путем проведения неравновесных плазмохимических процессов, объединяющих ионное распыление в магнетронном разряде и распыление ионным пучком. Устройство содержит планарный магнетрон с центральным анодом, плазменный источник ионов, кольцевые магниты, высоковольтные выпрямители, источники газового питания разрядов.

Изобретение относится к магнетронному распылительному устройству обращенного закрытого типа. В вакуумной камере с рабочим газом размещены по меньшей мере один анод, два распыляемых полых катода с расположенными внутри на держателе объектами для напыления, магнитную систему, создающую над поверхностью катодов магнитное поле.

Изобретение относится к способу нанесения покрытия по меньшей мере из одного слоя TiCN на поверхность покрываемой подложки способом HiPIMS. Для осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя используют по меньшей мере одну Ti-содержащую мишень в качестве источника Ti для создания TiCN-слоя, которую распыляют в реакционной атмосфере HiPIMS-способом в камере для нанесения покрытий.

Изобретение относится к компоновочной схеме ионно-плазменного распыления, вакуумной установке для нанесения покрытий и способу для осуществления способов нанесения покрытий магнетронным распылением импульсами большой мощности. Компоновочная схема ионно-плазменного распыления содержит распыляемые или частично распыляемые катоды и генераторы Gj мощности ионно-плазменного распыления, переключатели Sbj на мостовой схеме для коммутации отбора мощности Pj соответствующего генератора Gj мощности ионно-плазменного распыления и импульсные переключатели Spi для распределения соответствующих отборов мощности Pj на соответствующие распыляемые катоды Ti.

Изобретение относится к машиностроению, в частности к устройствам для обработки поверхности изделий быстрыми атомами с целью получения изделий с повышенными механическими и электрофизическими характеристиками поверхности за счет имплантации в нее легирующих элементов и формирования в ней субмикрокристаллической структуры.

Группа изобретений относится к изготовлению распыляемой мишени. Предложен способ изготовления распыляемой мишени, в котором формируют расплавленную смесь, состоящую из соединений, выбранных из группы, включающей СоВ, FeB и CoFeB, заливают расплавленную смесь в форму для образования направленного литого слитка, выполняют отжиг и нарезают слиток для мишени, которая имеет чистоту выше 99,99%, содержание кислорода 40 мд или менее и сформированную боридами столбчатую микроструктуру.

Данное изобретение относится к мишени, в частности к распыляемой мишени, способу ее получения и способу вакуумного напыления с использованием упомянутой мишени. Мишень содержит пластину, состоящую из хрупкого материала, и монтажную пластину, которая скреплена по поверхности с пластиной мишени.

Изобретение относится к концевому блоку для вращающейся распыляемой мишени, такой как вращающаяся мишень для магнетронного распыления. Установка для распыления включает в себя один или более таких концевых блоков, предусматривает расположение электрического контакта (контактов), например, щетки (щеток) между токосъемником и ротором в концевом блоке (блоках) в области под вакуумом.

Изобретение относится к распределителю мощности, который в состоянии последовательно и без перерыва отдачи мощности генератором постоянного тока DC распределить большую мощность генератора постоянного тока DC на более чем две мишени. Распределитель мощности выполнен с возможностью последовательно и без перерыва отдачи мощности распределять по существу постоянную мощность генератора постоянного тока на более чем две мишени (A, B, C, …, X) установки для нанесения покрытий, причем распределитель мощности содержит схему, соединяющую выход генератора постоянного тока со всеми более чем двумя мишенями (A, B, C, …, X), а другой выход генератора постоянного тока после первого омического резистора (RТ) в точке разветвления разветвляется в соответствии с количеством мишеней.

Устройство относится к области плазменной техники и может быть применено при разработке электронно-лучевых устройств, а также использовано в электроннолучевой технологии, экспериментальной физике, плазмохимической технологии. Технический результат - увеличение площади теплового рассеяния, уменьшение теплопередачи от наиболее нагретой части катодного узла к капролоновому изолятору, повышение надежности работы эмиттера.
Наверх