Изолятор терагерцового излучения



Изолятор терагерцового излучения
Изолятор терагерцового излучения
Изолятор терагерцового излучения
Изолятор терагерцового излучения
Изолятор терагерцового излучения
Изолятор терагерцового излучения
G02F1/093 - Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика (термометры с использованием изменения цвета или прозрачности G01K 11/12; с использованием изменения параметров флуоресценцией G01K 11/32; световоды G02B 6/00; оптические устройства или приспособления с использованием подвижных или деформируемых элементов для управления светом от независимого источника G02B 26/00; управление светом вообще G05D 25/00; системы визуальной сигнализации G08B 5/00; устройства для индикации меняющейся информации путем выбора или комбинации отдельных элементов G09F 9/00; схемы и устройства управления для приборов

Владельцы патента RU 2769483:

Общество с ограниченной ответственностью «ТИДЕКС» (RU)

Изобретение относится к области оптической техники, в частности к устройству одностороннего пропускания терагерцового излучения на основе эффекта Фарадея, и может быть использовано в качестве элемента оптической развязки. Устройство на основе эффекта Фарадея для одностороннего пропускания терагерцового излучения в диапазоне частот от 0,1 до 0,65 ТГц, содержащее входной поляризатор, элемент, вращающий плоскость поляризации, и выходной поляризатор, закреплённые вдоль оптической оси с помощью держателя из немагнитного материала. Вращающий плоскость поляризации элемент представляет собой высокоплотный намагниченный до насыщения гексаферрит бария-алюминия М-типа. Достигается снижение пропускания ТГц излучения в нежелательном, обратном направлении до уровня не более 1% при одновременно высоком пропускании. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Изобретение относится к области оптической техники, в частности к устройству одностороннего пропускания терагерцового (ТГц) излучения (ν=0,1÷10 ТГц или λ=30÷3000 мкм) на основе эффекта Фарадея, и может быть использовано в качестве элемента оптической развязки.

Уровень техники

Одними из наиболее перспективных областей применения ТГц излучения являются системы связи и радиолокации. Развитие таких областей требует реализации невзаимных устройств, таких как оптический вентиль, также называемый оптическим изолятором, которые будут способны обеспечить как защиту источника ТГц излучения, так и оптическую развязку, а также снижение уровня шумов и подавление помех.

Некоторые источники ТГц излучения очень чувствительны к воздействию переотражённого излучения. В частности, отраженное назад ТГц излучение сказывается на стабильности источника этого излучения. Поэтому, чтобы предотвратить попадание переотражённого ТГц излучения на источник, и, тем самым, гарантировать его стабильную работу, необходимо блокировать отражённое назад излучение с минимальным воздействием на полезный ТГц сигнал, распространяющийся в прямом направлении от источника.

Существует целый ряд оптических изоляторов, которые работают в видимом и ближнем инфракрасном излучении, в том числе, за счёт эффекта Фарадея. Распространённый способ достижения изоляции ТГц излучения заключается в использовании магнитооптических материалов, например, керамики на основе оксидов редкоземельных металлов. Так, из патентной публикации WO 2013/085040 A1, МПК G02B27/28, опубл. 13.06.2013, известен оптический изолятор для полупроводникового лазера, содержащий вращатель Фарадея, выполненный, в частности, из керамики на основе оксида иттербия. Из патентной публикации JP 2015-125375 A, МПК G02B27/28, опубл. 06.07.2015, известен оптический изолятор для полупроводникового лазера, содержащий вращатель Фарадея, полученный из керамики на основе оксида тербия с примесью скандия, иттрия или лютеция.

Кроме того, из патентной публикации WO 2020/250936 A1, МПК G02B27/28; G02F1/09, опубл. 30.04.2020, известен оптический изолятор для волоконного лазера, содержащий вращатель Фарадея, состоящий из монокристалла типа, выбранного из группы: тербий-галлиевый гранат, тербий-алюминиевый гранат, тербий-скандий-алюминиевый гранат и т.п.

Тем не менее, к настоящему моменту отсутствуют материалы, способные вращать плоскость поляризации ТГц излучения в широком диапазоне частот, не внося при этом значительных потерь.

Среди предлагаемых решений для ТГц диапазона частот можно отметить изолятор на основе графена, работающий в схеме на отражение, см. статью (Tamagnone M. et al. Near optimal graphene terahertz non-reciprocal isolator //Nature communications. – 2016. – Т. 7. – №. 1. – С. 1-6). Однако такой тип изолятора обладает рядом недостатков. В частности, он вносит существенные потери и способен работать только в сильном внешнем магнитном поле с магнитной индукцией до 7 Тл.

Кроме того, известен тип изоляторов ТГц излучения на основе полупроводника, антимонида индия, см. статью (Lin S. et al. A One-Way Mirror: High-Performance Terahertz Optical Isolator Based on Magnetoplasmonics //Advanced Optical Materials. – 2018. – Т. 6. – №. 19. – С. 1800572). Несмотря на невысокие внешние магнитные поля, требующиеся для работы такого типа изолятора, он характеризуется узким рабочим спектральным диапазоном.

Из статьи (Shalaby M. et al. A magnetic non-reciprocal isolator for broadband terahertz operation //Nature communications. – 2013. – Т. 4. – №. 1. – С. 1-7) известен изолятор ТГц излучения, основанный на эффекте Фарадея в объёмном постоянном стронций ферритовом магните. Основным недостатком данного решения являются высокие потери в гексаферрите стронция, которые значительно снижают уровень полезного сигнала и диапазон рабочих частот изолятора.

Таким образом, в настоящее время актуальной задачей является разработка широкополосного изолятора ТГц излучения с низкими потерями.

Раскрытие сущности изобретения

Задачей настоящего изобретения является разработка компактного устройства, которое пропускает ТГц излучение в диапазоне частот от 0,1 до 0,65 ТГц только в одном направлении, по существу блокируя распространение отражённого ТГц излучения в обратном направлении, и при этом не требует использования внешнего магнитного поля.

Технический результат, достигаемый заявленным изобретением, состоит в снижении пропускания ТГц излучения, распространяющегося в обратном, т.е. нежелательном, направлении до уровня не более 1% при одновременно высоком пропускании в прямом направлении на уровне не менее 20% в диапазоне частот от 0,1 до 0,65 ТГц.

Основными элементами устройства являются вращатель Фарадея, выполненный из высокоплотного намагниченного до насыщения гексаферрита бария-алюминия с химической формулой BaAl1.4Fe10.6O19, и два плёночных поляризатора, расположенных по обе стороны от указанного вращателя.

Устройство функционирует следующим образом: сгенерированное источником ТГц излучение, проходя через первый поляризатор, преобразуется в линейно поляризованное. Затем указанное линейно поляризованное ТГц излучение проходит через вращатель Фарадея, и за счёт эффекта Фарадея происходит вращение угла плоскости поляризации этого излучения на 45°. Далее указанное ТГц излучение проходит через выходной поляризатор, ориентированный под углом 45° относительно входного поляризатора таким образом, чтобы направление поляризации на выходе из вращателя Фарадея совпадало с направлением оси выходного поляризатора. Следовательно, на выходе из устройства плоскость поляризации выходного излучения оказывается повёрнутой на угол 45° относительно плоскости поляризации излучения на входе в устройство. При этом, при прохождении отражённого ТГц излучения в обратном направлении также происходит вращение угла плоскости поляризации на 45°, в связи с чем отражённое назад ТГц излучение становится поляризованным в ортогональном направлении к оси входного поляризатора. Однако как известно, в случае, когда плоскость поляризации излучения перпендикулярна плоскости пропускания поляризатора, излучение не может пройти сквозь него. Таким образом, достигается блокировка распространения ТГц излучения в обратном направлении.

Вышеуказанный технический результат достигается тем, что в качестве материала основного функционального элемента – вращателя Фарадея – используется материал с высокой остаточной намагниченностью и низким поглощением в ТГц диапазоне частот. В качестве такого материала предлагается использовать диск из высокоплотного намагниченного до насыщения гексаферрита бария-алюминия с химической формулой BaAl1.4Fe10.6O19, имеющий плотность ρ (г/см3), которая определяется из соотношения:

.

Указанный диск может иметь следующие геометрические размеры: диаметр 30 мм и толщину H (мм), которая определяется с помощью соотношения:

.

Апертура используемых в составе устройства плёночных поляризаторов составляет 25 мм. При этом коэффициент экстинкции поляризаторов устройства имеет величину 105 и более во всем рабочем диапазоне частот от 0,1 до 0,65 ТГц.

Краткое описание чертежей

Ниже только в качестве примера раскрыт предпочтительный вариант осуществления изобретения со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых:

на Фиг. 1 схематически показан общий вид устройства в сборе согласно изобретению;

на Фиг. 2 схематически показано устройство с Фиг. 1 в разрезе;

на Фиг. 3 показана схема, поясняющая принцип работы устройства согласно изобретению;

на Фиг. 4 представлена спектральная характеристика угла вращения плоскости поляризации при прохождении ТГц излучения через один из вариантов осуществления вращателя Фарадея согласно изобретению;

на Фиг. 5 показан спектр пропускания одного из вариантов осуществления вращателя Фарадея согласно изобретению.

Осуществление изобретения

На Фиг. 1 показан общий вид устройства 1 одностороннего пропускания ТГц излучения на основе эффекта Фарадея. Как показано на Фиг. 2, устройство 1 содержит входной поляризатор 2, вращатель 3 Фарадея и выходной поляризатор 4, расположенные на одной оптической оси 5 и закреплённые в держателе 6.

Держатель 6 выполнен из немагнитного материала, например, дюралюминия, и содержит в себе следующие элементы: основной корпус 7, крепление 8 для вращателя 3 Фарадея и прижимное кольцо 9 для него, крепление 10 для входного поляризатора 2 и прижимное кольцо 11 для него, крепление 12 для выходного поляризатора 4 и прижимное кольцо 13 для него.

При использовании устройства 1 ТГц излучение проходит через входной поляризатор 2, который далее пропускает только линейно поляризованное излучение, затем проходит через вращатель 3 Фарадея, где плоскость поляризации линейно поляризованного излучения поворачивается на угол 45°, и далее попадает на выходной поляризатор 4, ось которого расположена под углом в 45° по отношению к оси входного поляризатора 2. Таким образом, плоскость поляризации ТГц излучения на выходе из устройства оказывается повёрнута на угол 45° относительно плоскости поляризации ТГц излучения на входе в устройство. Для отражённого назад излучения справедливо то, что через выходной поляризатор 4 проходит только та часть излучения, поляризация которого совпадает с осью выходного поляризатора 4. Плоскость поляризации для прошедшего назад излучения при прохождении через вращатель 3 Фарадея ещё раз поворачивается на угол 45° таким образом, что распространяющееся назад излучение при попадании на входной поляризатор 2 имеет плоскость поляризации, расположенную под углом 90° по отношению к оси входного поляризатора 2. Таким образом, отражённое назад излучение не проходит через всё устройство в обратном направлении.

Для реализации заявленного изобретения необходимо было решить задачу по обеспечению вращения плоскости поляризации на угол 45° в широком диапазоне частот при прохождении излучения через вращатель Фарадея. Авторы изобретения выявили, что в качестве вращателя Фарадея можно использовать диск гексаферрита М-типа (с химической формулой BaAl1.4Fe10.6O19) плотностью 4,91 г/см3, толщиной 2,8 мм и диаметром 30 мм. Соответствующий спектр вращения плоскости поляризации показан на Фиг. 3, из которой видно, что вращатель 3 Фарадея поворачивает плоскость поляризации излучения примерно на угол 45° по существу в диапазоне частот от 0,1 до 1 ТГц, предпочтительно в диапазоне частот от 0,1 до 0,65 ТГц, ещё более предпочтительно в диапазоне частот от 0,45 до 0,65 ТГц.

При помощи импульсной ТГц спектроскопии и, в частности, пространственно-временного ТГц спектрометра Menlo Systems TERA K8 (спектральный диапазон до 3,5 ТГц, частотное разрешение 3 ГГц, динамический диапазон 65 дБ) был измерен спектр пропускания излучения в прямом и обратном направлении. В последнем случае заявленное устройство поворачивалось на 180° относительно направления распространения ТГц излучения. Как показано на Фиг. 5, из полученных результатов следует, что устройство согласно изобретению обеспечивает пропускание излучения в диапазоне частот от 0,1 до 0,65 ТГц в прямом направлении на уровне не менее 20% и при этом снижает пропускание в обратном направлении до уровня не более 1% в диапазоне от 0,3 до 1 ТГц.

Проведённый информационный поиск подтвердил мировую новизну и изобретательский уровень изобретения.

Испытания опытного образца устройства одностороннего пропускания ТГц излучения на основе эффекта Фарадея в диапазоне частот от 0,1 до 0,65 ТГц, изготовленного в соответствии с раскрытыми в настоящем описании признаками, подтвердили промышленную применимость изобретения и его соответствие заявленным техническим результатам.

1. Устройство на основе эффекта Фарадея для одностороннего пропускания терагерцового излучения в диапазоне частот от 0,1 до 0,65 ТГц, содержащее входной поляризатор, элемент, вращающий плоскость поляризации, и выходной поляризатор, закреплённые вдоль оптической оси с помощью держателя из немагнитного материала, отличающееся тем, что вращающий плоскость поляризации элемент представляет собой высокоплотный намагниченный до насыщения гексаферрит бария-алюминия М-типа.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что гексаферрит бария-алюминия имеет химическую формулу BaAl1.4Fe10.6O19.

3. Устройство по п. 1 или 2, отличающееся тем, что гексаферрит бария-алюминия имеет плотность ρ (г/см3) согласно соотношению .

4. Устройство по любому из пп. 1-3, отличающееся тем, что вращающий плоскость поляризации элемент имеет форму диска.

5. Устройство по п. 4, отличающееся тем, диск имеет диаметр 30 мм и толщину H согласно соотношению .

6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что поляризаторы выполнены из полипропиленовой плёнки с алюминиевой решёткой.

7. Устройство по п. 6, отличающееся тем, что частота алюминиевой решётки в используемых поляризаторах составляет 1200 мм-1.

8. Устройство по п. 6, отличающееся тем, что входная апертура входного и выходного поляризаторов составляет 25 мм.

9. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что служит для одностороннего пропускания терагерцового излучения в диапазоне частот от 0,45 до 0,65 ТГц.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитно-адресуемым дисплеям. Способ стирания в магнитоэлектрофоретической среде, содержащей частицы, предусматривает подачу неэлектрического стимула в магнитоэлектрофоретическую среду и одновременную подачу подпорогового напряжения в магнитоэлектрофоретическую среду, инициируя тем самым переключение магнитоэлектрофоретической среды из первого состояния во второе состояние.

Изобретение относится к электрооптическим дисплеям, содержащим инкапсулированные электрооптические среды. Электрооптическая среда содержит сплошную фазу, содержащую связующее вещество, и дисперсную фазу, содержащую электрооптический материал.

Подсветка для жидкокристаллического устройства отображения состоит из гибкого теплопроводящего листа, на котором расположен массив светодиодных лент и/или линеек, разделенный по меньшей мере на две группы светодиодных лент и/или линеек. Каждая группа управляется с помощью драйвера, расположенного на тыльной стороне теплопроводящего листа и содержащего в себе логический вход, логический выход, многоканальный контроллер широтно-импульсной модуляции, по меньшей мере два контроллера силовых ключей и по меньшей мере один силовой ключ.

Изобретение относится к области электрохромных материалов нейтральных для человеческого глаза цветов. Согласно изобретению предложен электрохромный материал, имеющий формулу WO2,4-2,9:M1:E1:E2, где М1 - легирующая добавка, выбранная из Mo, Ti, Ni, Zr, V, Cr, Al, Nb, Ta, Co, Mn, Е1 - легирующая добавка, выбранная из H, N, C, Si, Ge, P, B, а Е2 - легирующая добавка, выбранная из H, N, C, Si, Ge, P, B, при этом E1≠E2.

Изобретение относится к оптико-электронным приборам для наведения и прицеливания, в частности к малогабаритным лазерным источникам света, и может быть использовано, например, в качестве юстировочного источника излучения в системах с автоматической юстировкой. Лазерный модуль содержит корпус, источник коллимированного лазерного излучения с элементами его фиксации в корпусе, элементы юстировки, элементы питания и управления, выполненные встроенными и/или внешними с выходящим жгутом.

Группа изобретений относится к измерительной технике, в частности, для контроля магнитных полей. Способ визуализации магнитного поля кольцевых постоянных магнитов содержит этапы, на которых в качестве чувствительного элемента используется стабильная нанодисперсная магнитная жидкость, которая заливается в ячейку Хеле-Шоу, осуществляется послойное сканирование с компьютерной обработкой полученных изображений и последующим построением замкнутых изолиний модуля напряженности магнитного поля кольцевых постоянных магнитов, при этом в зависимости от параметров исследуемого магнита в качестве чувствительного элемента подбираются магнитные жидкости с различной концентрацией магнитной фазы.

Изобретение относится к области лазерной техники и касается способа получения последовательности идентичных фемтосекундных импульсов для излучения с произвольной шириной спектра. Способ заключается в том, что излучение лазера делят зеркалом на две части, выделяют сигнал с частотой повторения импульсов, который смешивают с сигналом синтезатора опорной частоты повторения импульсов и подают на блок фазовой привязки.

Изобретение относится к способам возбуждения электрооптических устройств отображения. Способ возбуждения пикселей электрофоретического дисплея, содержащего частицы четырех типов, где частицы первого типа и частицы третьего типа заряжены положительно, а частицы второго типа и частицы четвертого типа заряжены отрицательно, включает следующие стадии: (i) подачу первого возбуждающего напряжения на пиксель электрофоретического дисплея в течение первого отрезка времени с первой амплитудой для возбуждения пикселя с его переводом в состояние цвета частиц четвертого типа на наблюдаемой стороне; и (ii) подачу второго возбуждающего напряжения, противоположного первому возбуждающему напряжению, и со второй амплитудой, меньшей первой амплитуды, на пиксель электрофоретического дисплея в течение второго отрезка времени для возбуждения частиц второго типа с их смещением в направлении ненаблюдаемой стороны.

Изобретение относится к радиолокационной технике и технике радиосвязи на основе радиофотоники. Радиофотонное устройство сканирования антенных решеток основано на широкополосном источнике оптического сигнала, многоспектральных демультиплексорах и полупроводниковых оптических усилителях (SOA), применяемых в качестве усилителей с программируемым усилением и одновременно быстродействующих переключателей оптических линий задержки.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа отражения лазерного коллимированного пучка. При осуществлении способа лазерный пучок падает под острым углом α на плоский полированный участок поверхности двулучепреломляющего кристалла с ориентацией кристаллофизических осей такой, чтобы зависящие от α коэффициенты энергетического отражения Френеля Rs и Rp ортогонально поляризованных s- и р-компонент излучения оказались бы равными для данного кристалла и данной ориентации.

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров с высокой средней мощностью излучения. Сущность изобретения заключается в том, что изолятор Фарадея на постоянных магнитах с высокой напряженностью магнитного поля содержит последовательно расположенные на оптической оси поляризатор, магнитооптический элемент, установленный в магнитной системе, и анализатор, при этом магнитопроводы размещены таким образом, что между ними и центральным постоянным магнитом расположены области боковых постоянных магнитов.
Наверх