Способ приема оптических сигналов

Изобретение относится к приему оптических сигналов, в частности, к технике приема сигналов с помощью лавинных фотодиодов. Способ приема оптических сигналов с помощью лавинного фотодиода включает пороговую обработку сигналов и формирование выходных импульсов с помощью порогового устройства при превышении сигналом с выхода фотодиода заданного порога срабатывания, при этом напряжение смещения фотодиода увеличивают от начального уровня Uсм1 до рабочего уровня UсмМ со скоростью где ΔUсм - ступень регулирования напряжения смещения за один цикл контроля; ΔT=KΔt - длительность цикла контроля наличия микроплазм; - количество тактов контроля в одном цикле; рв - доверительная граница оценки вероятности генерации микроплазмы; t - надежность определения рв; Δt - длительность такта проверки наличия микроплазмы; при этом в процессе регулирования порог срабатывания непрерывно корректируют в режиме шумовой автоматической регулировки порога, поддерживая заданное отношение порог/шум, и проверяют наличие импульсов, превышающих уровень, соответствующий амплитуде микроплазм, при регистрации первого такого импульса в момент tM устанавливают достигнутый к этому моменту коэффициент лавинного умножения М путем фиксации напряжения смещения фотодиода UсмМ(tM), одновременно фиксируют уровень порога, после чего приступают к приему оптических сигналов. Технический результат заключается в достижении предельной чувствительности во всех условиях эксплуатации с учетом микроплазменных пробоев и нормального шума при минимальном времени выхода на оптимальный лавинный режим. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

 

Предлагаемое изобретение относится к приему оптических сигналов, в частности, к технике приема сигналов с помощью лавинных фотодиодов, и может быть использовано в локации, связи и других фотоэлектронных системах.

Известен способ приема оптических сигналов с помощью лавинных фотодиодов [1]. Известны также способы стабилизации лавинного режима фотодиода, например, путем термокомпенсации рабочей точки напряжения смещения [2].

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является способ приема импульсных оптических сигналов с помощью лавинного фотодиода, напряжение смещения которого поддерживают путем стабилизации частоты шумовых импульсов, возникающих в фотодиоде в процессе лавинного умножения [3].

Недостатком этого способа является возможность введения фотодиода в режим микроплазменного пробоя [4]. Микроплазменные импульсы тока имеют прямоугольную форму и постоянную амплитуду, которая возрастает по мере увеличения обратного напряжения. Увеличение амплитуды сопровождается увеличением длительности импульсов и уменьшением скважности [5]. В таком режиме шум лавинного фотодиода состоит из двух независимых составляющих - нормального шума [6] и «телеграфного» шума микроплазм. Микроплазменная составляющая шума фотодиода не сопоставима по статистическим характеристикам с нормальной составляющей, и ее участие в процессе регулирования смещения фотодиода непредсказуемо [7]. При некоторых температурных условиях регулировка лавинного режима по частоте шумовых выбросов фотодиода включая микроплазмы, может привести к выходу системы на неоптимальный режим лавинного умножения, т.е. к ухудшению пороговой чувствительности фотоприемного устройства или к недопустимой вероятности ложных срабатываний, вызванных микроплазмами.

Задачей изобретения является достижение предельной чувствительности во всех условиях эксплуатации с учетом микроплазм и нормального шума при минимальном времени выхода на оптимальный лавинный режим.

Указанная задача решается за счет того, что в известном способе приема оптических сигналов с помощью лавинного фотодиода, включающем пороговую обработку сигналов и формирование выходных импульсов с помощью порогового устройства при превышении сигналом с выхода фотодиода заданного порога срабатывания, напряжение смещения фотодиода увеличивают от начального уровня Uсм1 до рабочего уровня ϕ со скоростью Sсм=ΔUсм/ΔТ, где ΔUсм - ступень регулирования напряжения смещения за один цикл контроля; ΔT=KΔt - длительность цикла контроля наличия микроплазм; - количество тактов контроля в одном цикле; рв - доверительная граница оценки вероятности генерации микроплазмы; t - надежность определения рв; Δt - длительность такта проверки наличия микроплазмы; при этом в процессе регулирования порог срабатывания непрерывно корректируют в режиме шумовой автоматической регулировки порога, поддерживая заданное отношение порог/шум, и проверяют наличие импульсов, превышающих уровень, соответствующий амплитуде микроплазм, при регистрации первого такого импульса в момент tM устанавливают достигнутый к этому моменту коэффициент лавинного умножения М путем фиксации напряжения смещения фотодиода UсмМ(tM), одновременно фиксируют уровень порога, после чего приступают к приему оптических сигналов.

Перед началом приема сигналов порог может быть увеличен в раз, где f0 - частота пересечения шумом нулевого уровня; fп - установившаяся частота шумовых превышений порога в подготовительном режиме; fp - заданная частота ложных тревог в рабочем режиме.

На фиг. 1 представлена схема фотоприемного устройства, реализующего данный способ. На фиг. 2а), б) - примеры реализации шума на входе порогового устройства. На фиг. 3 показаны графики зависимости отношения сигнал/шум ηМ) для германиевого (фиг. 3а) и кремниевого (фиг. 3б) лавинных фотодиодов.

Реализующее способ фотоприемное устройство содержит последовательно включенные лавинный фотодиод 1, усилитель 2 и пороговое устройство 3. Напряжение смещения подается на фотодиод 1 от последовательно соединенных источника питания 4 и схемы повышения смещения 5. Пороговое устройство 3 охвачено цепью обратной связи в виде схемы шумовой автоматической регулировки порога (ШАРП) 6, включенной между выходом порогового устройства и его управляющим входом. Схема повышения смещения 5 управляется вторым пороговым устройством 7, подключенным к выходу усилителя 2. Синхронизация режима осуществляется блоком управления 8, связанным с блоками 6 и 7.

Способ осуществляется следующим образом.

По команде от блока управления 8 включаются схема повышения смещения 5 и схема ШАРП 6. Схема повышения смещения обеспечивает постепенное повышение напряжения смещения со скоростью Sсм В/с. Порог срабатывания порогового устройства отрабатывает увеличение среднеквадратического значения нормального шума где

Kу - коэффициент передачи тракта от фотодиода до входа порогового устройства;

- квадрат неумножаемого шумового тока;

е - заряд электрона;

I1 - первичный обратный ток фотодиода;

Δf - полоса пропускания линейного тракта до входа порогового устройства;

М - коэффициент лавинного умножения;

Мα - шум-фактор лавинного умножения;

α - коэффициент, определяемый материалом фотодиода [6].

Быстродействие (постоянная времени) схемы ШАРП должно обеспечивать постоянное отношение порог/шум при заданной скорости изменения

По мере роста напряжения смещения фотодиода увеличивается не только нормальная составляющая умножаемого шума Iм2, но и вероятность возникновения микроплазменных пробоев [7]. После регистрации первой микроплазмы с помощью второго порогового устройства 7 сигналом с выхода этого устройства останавливают повышение напряжения смещения, осуществляемое схемой повышения смещения 5, и процесс стабилизации порога, осуществляемый схемой ШАРП 6.

Требуемую скорость нарастания напряжения смещения определяют следующим образом.

При оценке вероятности р ложного события (генерации микроплазмы) путем подсчета относительной частоты ложных событий [10, с. 226] как отношения w количества m ложных событий и полного объема k испытаний существует доверительная граница рв оценки вероятности р при m=1.

где w=1/k;

t - доверительный коэффициент (надежность оценки); например, доверительной вероятности 0,95 соответствует надежность t=1,96 [10, с. 226].

Из (3) следует необходимый объем испытаний k=K при m=1 для обеспечения заданной вероятности рв с надежностью t.

Пример 1

р=0,0001; t=2.

В соответствии с (4) K=3 ⋅ 104.

Статистический объем K необходим для каждой ступени ΔUсм регулирования напряжения смещения.

Длительность T1 цикла контроля на каждой ступени ΔUсм

где Δt - длительность такта проверки наличия микроплазмы, соответствующая дискретности измерения задержки принимаемого импульса.

Пример 2

K=104; Δt=10-8 с.

T1=104⋅10-8=10-4 c.

Количество Q ступеней регулирования напряжения смещения

где Ucм1 - начальный уровень напряжения смещения;

UcмM - максимальный конечный уровень напряжения смещения.

Пример 3

Ucм0-UcмМ=20B: ΔUсм=1 В.

Q=20/1=20.

Максимальное время выхода на рабочий режим смещения

Пример 4

В условиях примеров 2-3

Т=20⋅10-4=2⋅10-3 с.

Если процесс стабилизации отношения порог/шум происходит при частоте fп шумовых превышений порога, превышающей частоту fp таких событий в рабочем режиме, то перед переходом к приему сигналов порог увеличивают в раз [9], где f0 - частота пересечения шумом нулевого уровня. Такой процесс стабилизации режима порогового устройства также занимает время не более 10-3 с [9].

Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает время выхода на режим порядка Т=1 мс и работу с максимальной частотой повторения 1/Т=1 кГц. Существующие технические решения [8] обеспечивают выход на режим за 1-6 с. Выигрыш предлагаемого способа по быстродействию составляет 1000-6000 раз.

Микроплазмы могут возникать при коэффициенте лавинного умножения М, меньшем оптимального Мопт [6]. На фиг 2а) показана реализация шума при М=Мопт, а на фиг. 2б) - при удовлетворяющем требованиям по частоте микроплазм. При этом отношение сигнал/шум практически не ухудшается.

Пример 5 (Фиг. 3а).

Германиевый фотодиод. I1=10-7 A. Iм2=3,2⋅10-19 А2. α=1. Область микроплазм начинается с М=3,5. Рабочую точку фотодиода поддерживают при М=2,5…3,5. При этом максимальное отношение сигнал/шум, обеспечиваемое способом, отличается от максимального значения, обеспечиваемого при М=Мопт = 3, не более, чем на 2%.

Пример 6 (Фиг. 3б).

Кремниевый фотодиод. I1=10-9 A. Iм2=3,2⋅10-21 А2. α=0,5. Область микроплазм начинается с М=25. Рабочую точку фотодиода поддерживают при коэффициенте М=25, соответствующем появлению отдельных микроплазм. При этом максимальное отношение сигнал/шум, обеспечиваемое способом, отличается от максимального значения, обеспечиваемого при М=Мопт = 30, не более, чем на 2%.

Следует отметить, что дискретность Δt в операциях способа непосредственно не участвует, а определяет лишь длительность Т1 Благодаря этому способ отличается простотой реализации - плавным увеличением Uсм и ожиданием первой микроплазмы, по которой подготовительный режим переключается на рабочий.

Таким образом, обеспечивается задача изобретения - достижение предельной чувствительности во всех условиях эксплуатации с учетом микроплазменных пробоев и нормального шума при минимальном времени выхода на оптимальный лавинный режим.

Источники информации

1. Росс М. Лазерные приемники. - «Мир», М., 1969 г.

2. Патент РФ №2 248670. Устройство включения лавинного фотодиода в приемнике оптического излучения. 2005 г.

3. US pat. 4,077,718. Receiver for optical radar. 1978. - прототип.

4. Филачев A.M., Таубкин И.И., Тришенков M.A. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы. Москва, Физматгиз. 2007.

5. Вишневский А.И., Руденко В.С., Платонов А.П. Силовые ионные и полупроводниковые приборы. Учебное пособие для вузов. Под редакцией B.C. Руденко. Москва, Высшая школа, 1975.

6. Вильнер В.Г., Лейченко Ю.А., Мотенко Б.Н. Анализ входной цепи фотоприемного устройства с лавинным фотодиодом и противошумовой коррекцией. Оптико-механическая промышленность, 1981, №9, - с. 59.

7. Шашкина А.С. и др. Лавинный пробой p-n-перехода в задачах радиотехники. - Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, 2016, том 16, №5, с. 864-871.

8. Вильнер В.Г. Проектирование пороговых устройств с шумовой стабилизацией порога. - Оптико-механическая промышленность, 1984, №5, с. 39-41.

9. Патент РФ №2718856. Способ автоматической стабилизации частоты пересечения порогового уровня выбросами шумового процесса, 2020 г.

10. Гмурман В.Е. Теория вероятностей и математическая статистика. Москва, Высшая школа, 1977, - 480 С.

1. Способ приема оптических сигналов с помощью лавинного фотодиода, включающий пороговую обработку сигналов и формирование выходных импульсов с помощью порогового устройства при превышении сигналом с выхода фотодиода заданного порога срабатывания, отличающийся тем, что напряжение смещения фотодиода увеличивают от начального уровня Uсм1 до рабочего уровня UсмМ со скоростью где ΔUсм - ступень регулирования напряжения смещения за один цикл контроля; ΔТ=KΔt - длительность цикла контроля наличия микроплазм; - количество тактов контроля в одном цикле; рв - доверительная граница оценки вероятности генерации микроплазмы; t - надежность определения рв; Δt - длительность такта проверки наличия микроплазмы; при этом в процессе регулирования порог срабатывания непрерывно корректируют в режиме шумовой автоматической регулировки порога, поддерживая заданное отношение порог/шум, и проверяют наличие импульсов, превышающих уровень, соответствующий амплитуде микроплазм, при регистрации первого такого импульса в момент tM устанавливают достигнутый к этому моменту коэффициент лавинного умножения М путем фиксации напряжения смещения фотодиода UсмM(tM), одновременно фиксируют уровень порога, после чего приступают к приему оптических сигналов.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом приема сигналов порог увеличивают в раз, где f0 - частота пересечения шумом нулевого уровня; fп - установившаяся частота шумовых превышений порога в подготовительном режиме; fp - заданная частота ложных тревог в рабочем режиме.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к приему оптических сигналов с помощью лавинных фотодиодов и может быть использовано в локации, связи и других фотоэлектронных системах. Способ приема оптических импульсов с помощью лавинного фотодиода включает пороговую обработку сигналов и формирование выходных импульсов с помощью порогового устройства при превышении сигналом с выхода фотодиода заданного порога срабатывания, настройку лавинного режима производят в температурной точке Т=Т0, наиболее критичной к заданным условиям эксплуатации, а ход температурной зависимости напряжения смещения образуют так, чтобы коэффициент лавинного умножения фотодиода удовлетворял заданным требованиям по коэффициенту усиления приемного тракта с учетом допустимой частоты микроплазменных пробоев во всем рабочем температурном диапазоне, включая точку Т=Т0, при этом коэффициент лавинного умножения М в температурной точке Т=Т0 должен быть как можно ближе к оптимальному значению где Q - постоянный коэффициент, не зависящий от температуры и устанавливаемый при регулировке.

Микропиксельный лавинный фотодиод может быть использован для регистрации слабых потоков световых и гамма-квантов, а также заряженных частиц в составе устройств медицинской гамма-томографии, радиационного мониторинга и ядерно-физических экспериментов. Техническим результатом изобретения является улучшение стабильности работы и увеличение чувствительности лавинного фотодиода.

Изобретение может быть использовано в оптических системах связи, в системах измерения в качестве оптоэлектронного датчика, в том числе при регистрации одиночных фотонов в системах квантовой криптографии, в интегральной оптоэлектронике и системах тестирования интегральных схем, а также в других областях, предполагающих регистрацию оптического сигнала.

ИИзобретение относится к технике выделения сигналов из шума с помощью лавинных фотодиодов. Технический результат изобретения заключается в обеспечении максимального отношения сигнал/шум.

Изобретение относится к приему сигналов, в частности к технике выделения сигналов из шума с помощью лавинных фотодиодов. Технический результат изобретения заключается в обеспечении максимального отношения сигнал/шум во всех условиях эксплуатации.

Изобретения относятся к лавинным фотодетекторам (ЛФД) - быстродействующим, высокочувствительным приборам, широко используемым в лидарах, системах связи, технического зрения, робототехнике, в медицине и биологии в мониторинге окружающей среды и т.д. Предложен способ изготовления лавинного фотодетектора, включающий следующие операции: на всей поверхности полупроводниковой подложки формируют слой умножения; на поверхности слоя умножения вытравливают замкнутую канавку на глубину, равную или большую толщины слоя умножения, но меньшую суммарной толщины подложки и слоя умножения, для формирования внутри нее фотодетектора; заполняют замкнутую канавку сильнолегированным поликристаллическим кремнием с таким же типом проводимости, как у слоя умножения; на части верхней поверхности слоя умножения, ограниченной вышеупомянутой замкнутой канавкой, формируют контактный слой по меньшей мере одного лавинного усилителя, образуя за пределами этого контактного слоя область фотопреобразователя; на контактном слое формируют первый прозрачный электрод; на нижней поверхности полупроводниковой подложки формируют второй электрод.

Изобретения относятся к лавинным фотодетекторам (ЛФД) - быстродействующим, высокочувствительным приборам, широко используемым в лидарах, системах связи, технического зрения, робототехнике, в медицине и биологии в мониторинге окружающей среды и т.д. Предложен способ изготовления лавинного фотодетектора, включающий следующие операции: на всей верхней поверхности полупроводниковой подложки формируют слой умножения; на части верхней поверхности слоя умножения формируют, по меньшей мере, один лавинный усилитель, для чего по границе этой части слоя умножения вытравливают кольцевую канавку глубиной, меньшей, чем толщина слоя умножения, заполняют ее диэлектриком, а внутри области, ограниченной канавкой, наносят контактный слой упомянутого лавинного усилителя, образуя слой фотопреобразователя за пределами области, ограниченной канавкой; на верхнюю поверхность фотопреобразователя наносят слой диэлектрика; на поверхность контактного и диэлектрического слоев наносят первый электрод из прозрачного материала; на нижней поверхности полупроводниковой подложки формируют второй электрод.

Изобретения относятся к лавинным фотодетекторам (ЛФД) - быстродействующим, высокочувствительным приборам, широко используемым в лидарах, системах связи, технического зрения, робототехнике, в медицине и биологии в мониторинге окружающей среды и т.д. Предложен способ изготовления лавинного фотодетектора, включающий следующие операции: на всей поверхности полупроводниковой подложки формируют слой умножения; на всю поверхность слоя умножения наносят слой диэлектрика; на части верхней поверхности слоя умножения и слоя диэлектрика формируют по меньшей мере один лавинный усилитель, для чего в слое диэлектрика и слое умножения вытравливают выемку, боковые стенки которой покрывают слоем диэлектрика, формируют контактный слой упомянутого лавинного усилителя путем заполнения выемки сильнолегированным поликристаллическим кремнием с типом проводимости, противоположным проводимости слоя умножения, с последующей диффузией из области поликристаллического кремния в слой умножения, и фотопреобразователь, образующийся вне выемки; на поверхность контактного слоя и слоя диэлектрика наносят первый электрод из прозрачного материала; на нижней поверхности полупроводниковой подложки формируют второй электрод.

Предложено устройство фотодетектирования, в котором на виде сверху первая полупроводниковая область первого типа проводимости перекрывает по меньшей мере часть третьей полупроводниковой области, вторая полупроводниковая область перекрывает по меньшей мере часть четвертой полупроводниковой области второго типа проводимости, значение потенциала третьей полупроводниковой области в отношении электрического заряда первого типа проводимости меньше значения потенциала четвертой полупроводниковой области, а разность между значением потенциала первой полупроводниковой области и значением потенциала третьей полупроводниковой области больше разности между значением потенциала второй полупроводниковой области и значением потенциала четвертой полупроводниковой области.

Использование: для изготовления фоточувствительных приборов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления планарного лавинного фотодиода включает последовательное эпитаксиальное наращивание на подложку InP n-типа InP буферного слоя n-типа, поглощающего слоя InGaAs n-типа, разделительного слоя InGaAsP, зарядового слоя InP n-типа и слоя умножения InP n-типа; формирование защитного слоя на слое умножения InP; 1-ю ФЛГ: селективное травление светопоглощающей области в защитном слое и слое умножения InP; включающее травление светопоглощающей области защитного слоя и слоя умножения InP на заданную глубину для обеспечения заданного профиля травления с положительным наклоном боковой стенки для уменьшения кривизны области пространственного заряда (создание эффекта охранного кольца) и предотвращение раннего краевого пробоя; 2-ю ФЛГ: селективное травление защитного слоя в области охранного кольца до слоя умножения; диффузию из твердого источника в слой умножения при заданной температуре; формирование светоотражающего слоя на диффузионном слое; 3-ю ФЛГ: локальное травление через маску фоторезиста светоотражающего слоя для формирования контактного окна на светопоглощающей области; 4-ю ФЛГ: формирование слоя верхнего электрода на диффузионной области, образованной на светопоглащающей области; образование нижнего электродного слой на обратной стороне подложки, при этом селективное травление углубления в светопоглощающей области умножающего слоя InP осуществляется методом жидкостного химического травления, которое за счет подбора травителя, время травления и ориентации фотошаблона относительно кристаллографического направления на пластине, обозначенного базовым срезом, обеспечивает воспроизводимую глубину и профиль травления в указанном слое InP; диффузия Zn3P2 осуществляется в откаченной и запаянной кварцевой ампуле при заданной температуре.

Изобретение относится к приему оптических сигналов с помощью лавинных фотодиодов и может быть использовано в локации, связи и других фотоэлектронных системах. Способ приема оптических импульсов с помощью лавинного фотодиода включает пороговую обработку сигналов и формирование выходных импульсов с помощью порогового устройства при превышении сигналом с выхода фотодиода заданного порога срабатывания, настройку лавинного режима производят в температурной точке Т=Т0, наиболее критичной к заданным условиям эксплуатации, а ход температурной зависимости напряжения смещения образуют так, чтобы коэффициент лавинного умножения фотодиода удовлетворял заданным требованиям по коэффициенту усиления приемного тракта с учетом допустимой частоты микроплазменных пробоев во всем рабочем температурном диапазоне, включая точку Т=Т0, при этом коэффициент лавинного умножения М в температурной точке Т=Т0 должен быть как можно ближе к оптимальному значению где Q - постоянный коэффициент, не зависящий от температуры и устанавливаемый при регулировке.
Наверх