Лютеций-марганцевый сульфид с гигантским продольным эффектом нернста - эттингсгаузена



C01P2002/72 - Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B 35/00; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P 3/00; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)

Владельцы патента RU 2787206:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф. Решетнева) (RU)

Изобретение относится к разработке сульфидных соединений лютеция и марганца, которые могут быть использованы в качестве составляющих компонентов сенсорной техники, магнитной памяти и для создания охлаждающих устройств на основе эффекта Эттингсгаузена. Лютеций-марганцевый сульфид с гигантским продольным эффектом Нернста-Эттинсгаузена включает компоненты в следующем соотношении, в мас. %: лютеций 5÷20, марганец 45÷30, сера 50. Техническим результатом является получение соединений лютеций-марганцевых сульфидов с гранецентрированной кубической решеткой NaCl-типа, обладающих гигантским изменением термоэдс в широкой области температур и магнитных полей. 3 ил., 2 табл.

 

Изобретение относится к разработке новых сульфидных соединений, содержащих лютеций, марганец и серу с эффектом гигантского продольного эффекта Нернста-Эттингсгаузена, которые могут быть использованы в качестве составляющих компонент сенсорной техники, термоэлектрических источников электроэнергии, магнитной памяти и для создания охлаждающих устройств. Материалы, обладающие эффектом гигантского эффекта Нернста-Эттингсгаузена, на порядок меняют величину термоэдс во внешнем магнитном поле. Продольный эффект Нернста-Эттингсгаузена (НЭ) заключается в изменении термоэдс полупроводников под действием магнитного поля. В отсутствие магнитного поля термоэдс в электронном полупроводнике определяется разностью компонент скоростей быстрых электронов (движущихся с горячей стороны) и медленных электронов (движущихся с холодной стороны) вдоль градиента температуры. При наличии магнитного поля продольные (вдоль градиента температуры) и поперечные (поперек градиента температуры) компоненты скоростей электронов изменяются в зависимости от угла поворота скорости электронов в магнитном поле, определяемого временем свободного пробега электронов. В электронных полупроводниках термоэдс в магнитном поле увеличивается при рассеянии на акустических фононах и уменьшается при рассеянии на ионизированных атомах примеси.

Эффект НЭ обнаруживают халькогениды со структурой сфалерита. Это полуметаллы с топологической изоляцией. К ним относится теллурид ртути. Концентрационная зависимость продольного эффекта НЭ в HgTe определена в интервале 50-200 К и меняется по величине от 5 до 20 мкВ/К в сильном магнитном поле [Алиев Т.А., Гашимзаде Ф.М., и др ФТП, 2, 323, 1971]. Магнитотермоэдс обусловлен в основном неупругим рассеянием на полярных примесях. Замещение ртути кадмием приводит к росту коэффициента НЭ. Зависимость общей термоэдс Cd0,2Hg0,8Te при различных значениях магнитных полей в интервале 5÷200 К исследована в [Алиев С.А. Явления переноса заряда и тепла в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках. Баку: Элм, 2008]. Определены температурные зависимости продольного эффекта Нернста-Эттинсгаузена (Δα(Т, В)) при различных значениях магнитного поля. Обнаружено два максимума Δα(Т, В)=0,8 мВ/К в области Т ≈ 10÷12 К и Δα(Т, В)=0,3 мВ/К при 70 К. Сопоставление этих кривых с теоретическими значениями позволяет заключить, что первый максимум Δα обусловлен эффектом увлечения фононов, а второй, более высокотемпературный экстремум обусловлен диффузионной термоэдс. Сдвиг этих максимумов в сторону более высоких температур обусловлен постепенным подавлением высокоподвижных электронов магнитным полем.

Недостатком указанных веществ является использование токсичных элементов при синтезе материалов, низкие температуры и невысокие значения коэффициентов НЭ. Соединения легко разлагаются слабыми кислотами и относятся к токсически опасным соединениям

Сплавы индия, сурьмы и никеля являются ферромагнитными полупроводниками и имеют кристаллическую структуру типа цинковой обманки. В работе [Aliev M.I., Abdinova S.G., Phys. Stat. Solidi (a), v. 9, K57, 1972] проведено комплексное исследование поперечного и продольного эффектов Нернста-Эттинсгаузена эвтектического сплава InSb-NiSb в температурном интервале 77-200К и магнитных полей до 6 кЭ. Магнитотермоэдс растет с ростом поля и достигает 100 мкВ/К.

Недостатком указанных веществ является высокая нестабильность: характеристики, как правило, дрейфуют во времени. Из-за узости запрещенной зоны, они могут работать только при криогенных температурах, коэффициент Нернста-Эттинсгаузена незначителен.

Пленки MnSi(y) обладают ферромагнитными свойствами при комнатной температуре. Это открывает возможности для дополнительного повышения коэффициентов Зеебека [Т.Т. Lan Anh, Y.E. Ihm, et. al. Thin Solid Films 518, 309 (2009). V.N. Men'shov, V.V. Tugushev, et. al. Phys. Rev. В 83, 035201 (2011).], основанные на использовании эффекта Нернста-Эттинсгаузена (Н-Э) порядка 1÷4 мкВ/К [М. Ikhlas, Т. Tomita, et. al. Nature Physics. 13, 1085 (2017)]. За счет остаточной намагниченности материала ЭДС сохраняется и при снятии магнитного поля.

В двумерном графене коэффициент НЭ при Т=10 К находится в диапазоне 10÷20 мкВ/К, а в графите в том же диапазоне температур на порядок больше и приближается к 1 мВ/К. Эта разница связана с большей электронной подвижностью графита, которая может превышать на два порядка подвижность имеющихся образцов графена. [Zuev, Y.М., Chang, W. Kim, P. Phys. Rev. Lett. 102, 096807 (2009), Checkelsky, J.G., Ong, N.P. Phys. Rev. В 80, 081413(R) (2009)]. В пленках висмута Δα(T, В)=0.5 мВ/К при низких температурах [Behnia, K., et al. Phys. Rev. Lett. 98, 166602 (2007)].

Итак, полуметаллы с большой подвижностью носителей заряда при определенных параметрах достигают значений магнитотермоэдс одного мВ/К. Полупроводники на основе увлечения электронов фононами при низких температурах имеют коэффициент НЭ такого же порядка.

Недостатком полуметаллов типа графена, графита является сложная технология роста тонких пленок и низкие температуры, требующие для охлаждения дорогой гелий.

Отметим манганиты La1-xAxMnO3 (A=Sr, Ва), в которых наблюдается переход металл-диэлектрик, гигантское магнитосопротивление и эффект НЭ [М. Jaime, et al., Appl. Phys. Lett. 68, 1576 (1996), V. Crespi, et al., Phys. Rev. В 53, 14303 (1996), H.Г. Бебенин и др. ЖЭТФ, 2000. том 117. вып. 6. стр. 1181-1189, 2000 г]. В монокристалле La0.8Ba0.2MnO3 магнитотермоэдс при низких температурах отрицателен и уменьшается по модулю при повышении температуры достигает минимума при Т ≈ 210 К, быстро растет по мере увеличения температуры и достигает максимума 12 мкВ/К в поле 10 кЭ при Т ≈ 270 К, после чего начинает плавно уменьшаться.

Недостатком манганитов является сложность приготовления соединений со стехиометричным составом и высокими температурами синтеза 1800-2000 К, узкая область температур реализации эффекта НЭ.

Физический механизм продольного эффекта НЭ и магнитосопротивления является одинаковым. В случае НЭ создается поток электронов за счет градиента температур, а в магнитосопротивлении за счет внешнего электрического поля, на который действует сила Лоренца в парамагнитном состоянии. Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению являются соединения LuxMn1-xS с содержанием лютеция в количестве от более 0, но менее 20 масс. % [Бегишева О.Б. и др. Магнитосопротивление и магнитоипеданс в парамагнитной области в твердых растворах LuxMn1-xS, «Решетневские чтения», 2019, стр. 540-541]..

Магнитосопротивление, определенное как где R(H) - электросопротивление в магнитном поле, a R(0)- без поля, достигает максимальной величины в интервале температур 350-500 К и стремится асимптотически к нулю при 300 и 500 К. Магнитосопротивление меняет знак с отрицательного на положительный при нагревании выше 400 К для х=0.2.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является получение магнитных соединений лютеций-марганцевых сульфидов с гранецентрированной кубической решеткой NaCl, обладающих стабильным поведением, устойчивым и повторяющимся эффектом гигантского продольного эффекта Нернста-Эттинсгаузена в широкой области температур и магнитных полей.

Технический результат достигается тем, что синтезировано соединение лютеций-марганцевый сульфид с гигантским эффектом НЭ, включающий серу, марганец и лютеций при следующем соотношении компонентов, в масс. %:

Лютеций 5÷20
Марганец 45÷30
Сера 50

Данное соединение относится к классу халькогенидов.

Сравнение заявляемого технического решения с прототипом позволило установить соответствие его критерию «новизна». При изучении других известных технических решений в данной области техники признаки, отличающие заявляемое изобретение от прототипа, не были выявлены и потому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

На Фиг. 1 представлена рентгенограмма соединения LuxMn1-xS для состава II (Фиг. 1а), для состава III (Фиг. 1b). На Фиг. 2 представлены температурные зависимости коэффициента Зеебека без магнитного поля и в магнитном поле Н=8 кЭ для состава I (Фиг. 2а), II (Фиг. 2b) и состава III (Фиг. 2с). Коэффициент НЭ ΔαH (Т) для трех составов для I (Фиг. 3а), II (Фиг. 3b) и состава III (Фиг. 3с) в зависимости от температуры.

Для экспериментальной проверки заявляемого вещества были подготовлены три состава, которые приведены в таблице №1 в масс. %.

Кристаллы LuxMn1-xS выращены кристаллизацией из расплава полученных порошковых сульфидов чистотой не ниже 99,9%, в стеклоуглеродных тиглях и кварцевом реакторе в атмосфере аргона, в качестве сульфидирующих реагентов - NH4CNS. Рассчитанная смесь оксидов в стеклоуглеродной лодочке помещалась в кварцевую трубу. После вытеснения воздуха аргоном и продуктами разложения роданида аммония из отдельного реактора включалась печь. Синтез выполнялся в два этапа: нагрев смеси до 773 К с выдержкой при этой температуре в течение 1 часа; после перетирания - повторное сульфидирование в течение 3-х часов при 1023-1073 К. Для полноты сульфидирования и гомогенизации получаемого порошкового сульфида проводился отжиг в течение 30 часов в сульфидирующей атмосфере при 1073 К, с неоднократным измельчением сульфидов. Полнота сульфидирования контролировалась методом рентгенофазового анализа и весовым контролем.

Для кристаллизации из расплава был использован высокочастотный нагрев графитового тигля диаметром 10 мм, заполненного 6÷7 г порошком сульфида. Кварцевый реактор с тиглем протягивался со скоростью от 0,5 до 1 см/час через одновитковый индуктор. Инертная атмосфера в реакторе поддерживалась аргоном. Для получения расплава лютеций марганцевого сульфида экспериментально определялись необходимые параметры мощности, подаваемой на индуктор. В результате синтеза получались вещества в виде плотных слитков. Полученные образцы были однородными по составу и использовались для физических измерений.

Согласно результатам рентгеноструктурного анализа лютеций марганцевые сульфиды LuxMn1-xS имеют ГЦК структуру типа NaCl. Сопутствующих примесных фаз в синтезированных образцах обнаружено не было (Фиг. 1).

В Таблице №2 представлены основные физические характеристики соединения лютеций марганцевого сульфида LuxMn1-xS.

Парамагнитные температуры Кюри LuxMn1-xS для трех концентраций представлена в Таблице 2. С ростом концентрации диэлектрическая проницаемость увеличивается в несколько раз. В таблице 2 приведены диэлектрические константы при комнатной температуре на частоте 1 кГц. Коэффициент Зеебека на два порядка больше, чем в манганитах при температуре Т=125 К. Эффект НЭ обладает гигантскими значениями при 125 К и при температурах выше комнатной на порядок больше, по сравнению с манганитами.

Знаки коэффициента термоэдс положительны для двух составов I и II, кроме интервала температур 325÷490 К для х=0,1, и становится отрицательными ниже 170 К для х=0,2 (Фиг. 2). В антиферромагнитной фазе с понижением температуры коэффициент Зеебека растет и обнаруживает ряд максимумов при Т=95 К, 124 К и 168 К для х=0,05 (Фиг. 2а), которые совпадают с температурами максимумов коэффициента теплового расширения решетки Ts=125 К и 165 К в MnS [Heikens HHSol. St. Com. 24, p205 (1977)]. При 125 К сжатие решетки сопровождается ромбоэдрическим искажением решетки. Градиент температур ΔT=8 К по образцу индуцирует градиент деформации и изменение химпотенциала по длине образца. Поток энергии от горячего к холодному сопровождается потоком заряженных частиц:

где v скорость, которая выражается через время релаксации т как v=μE=eτ/mefE. Если заряженные частицы увлекаются магнонами, то плотность магнонов Nm в АФМ зависит от температуры Nm ~ Т2. Температура Дебая в MnS ϑ=250 К и закон Дебая Nph ~ Т3 выполняется при Т<30 K. Любой из этих механизмов дает гиперболическую зависимость 1/NdN/dx ~1/N (dN/dT) (dT/dx) ~ 1/Т. Время релаксации в окрестности фазового перехода определяется степенной функцией τ ~ 1/Tc-T), где z и υ - критические индексы. В неупорядоченном магнетике фазовые переходы размыты в пределах ΔT. Температурное поведение α(Т) аппроксимируется функцией:

которая удовлетворительно описывает экспериментальные результаты с параметром ΔТ=8 K для х=0.05, 0.1. Коэффициент Зеебека в образце с концентрацией х=0,2 имеет два вклада от свободных дырок αе=AT и от увлечения электронов фононами. Взаимодействие электронов с длинноволновыми акустическими фононами приводит к степенной зависимости α(Т) ~ 1/Т3.5 [Алиев С.А. Явления переноса заряда и тепла в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках. Баку: Элм, 2008], которая проявляется в полупроводниках в области низких температур (50-100 K).

Функция α=AT-В/Т3 хорошо описывает эксперимент ниже 220 К. Продольный коэффициент Нернста-Эттинсгаузена определим как

где α(Н=0) - термоэдс в нулевом магнитном поле, α(Н=8) - термоэдс в магнитном поле Н=8 кЭ. Для состава с х=0,05 термоэдс выше 200 К уменьшается в магнитном поле, для х=0,1 коэффициент Нернста-Эттинсгаузена отрицательный в интервале температур 325÷490 К и для х=0.2 положительный на всем интервале температур за исключением 170÷240 К. Увеличение термоэдс в магнитном поле и достижение максимальной величины коэффициента НЭ 0,7÷0,8 В/К в интервале 150÷200 К для х=0.1 и коэффициента НЭ 0,15 В/К при 110 К для х=0,2 для больших концентраций замещения ионами лютеция связано с образованием орбитального стекла. В магнитном поле орбитальные магнитные моменты упорядочиваются, что приводит к деформации образцов и к структурным искажениям. Усиление термоэдс в магнитном поле вызвано усилением увлечения электронов фононами, так как уменьшается их рассеяние на структурных неоднородностях.

Представленные в заявке результаты подтверждаются экспериментально на Фиг. 1, 2 и 3 и в таблице 2.

где ε - диэлектрическая проницаемость; К - парамагнитная температура Кюри; αмВ/К - коэффициент термоэдс при Т=125 К без магнитного поля; ΔαH - продольный коэффициент Нернста-Эттинсгаузена.

Использование заявляемого изобретения позволит:

- разрабатывать элементы магнитной памяти и охлаждающих устройств, сенсоров на основе эффекта НЭ для широкой области температур и магнитных полей;

- сократить финансовые затраты на изготовление материалов с эффектом НЭ, не требуются для охлаждения жидкий гелий;

- предлагаемое соединение является не токсичным, стабильными во времени, может работать от азотных температур до высоких температур. Требуется меньше энергозатрат для синтеза соединений.

Лютеций-марганцевый сульфид с гигантским продольным эффектом Нернста-Эттинсгаузена, включающий компоненты в следующем соотношении, в мас. %:

Лютеций 5÷20
Марганец 45÷30
Сера 50



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу изготовления сердечника двигателя. Способ включает этап изготовления сердечника двигателя посредством выполнения резки плавлением электротехнической листовой стали, используя тепло, подводимое от поверхности, причем электротехническая листовая сталь имеет такую среднюю теплопроводность, которая в положениях по глубине от поверхности до одной третьей глубины по толщине листа меньше теплопроводности в среднем положении в направлении толщины листа на 30% или более.

Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727÷9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8÷10 мм.

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к способам получения анизотропных спеченных постоянных магнитов из сплавов Sm-Co. Может использоваться в машиностроении, приборостроении, электротехнической и электронной промышленности.

Изобретение относится к области металлургии, а именно к способу изготовления листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, используемого в качестве материала железных сердечников трансформаторов. Способ включает получение материала кремнистой стали, содержащего в мас.%: Si: от 0,8 до 7,0, С: 0,085 или менее, кислоторастворимый Al: от 0,010 до 0,065, N: от 0,004 до 0,012, Mn: 1,00 или менее, S: 0,050 или менее, один или оба из Sn и Sb: суммарно от 0,01 до 0,20, при необходимости, по меньшей мере один элемент из следующей группы, состоящей из: Cr: от 0,02 до 0,50, Cu: 0,4 или менее, Р: 0,5 или менее, Ni: 1,0 или менее, В: 0,008 или менее, V: 0,15 или менее, Nb: 0,20 или менее, Мо: 0,10 или менее, Ti: 0,015 или менее, Bi: 0,010 или менее, остальное - Fe и примеси.
Группа изобретений относится к водной композиции для нанесения покрытия на анизотропную сталь, способу нанесения покрытия на анизотропную сталь и анизотропной стали, содержащей покрытие, полученное путем нанесения упомянутой композиции. Водная композиция содержит катионы алюминия, катионы марганца, дигидрофосфат-, гидрофосфат- и/или фосфат-анионы, коллоидный диоксид кремния и необязательные катионы железа.

Изобретение относится к способам получения композиционных материалов, в частности магнитных эластичных композиций, обладающих повышенными демпфирующими свойствами, для использования в виброзащитной технике, а также в нано- и космических технологиях, где необходимо контролировать и поддерживать минимальный уровень вибраций.

Изобретение относится к металлургии, а именно к листу из анизотропной электротехнической стали и может быть использовано для изготовления сердечника трансформатора. Лист анизотропной электротехнической стали содержит стальной лист и изоляционное покрытие, сформированное на стальном листе и состоящее из оксидов, содержащих алюминий и бор, причем оксиды содержат кристаллические оксиды и максимальное значение отношения интенсивностей эмиссии бора к алюминию на границе раздела между изоляционным покрытием и стальным листом, проанализированное оптической эмиссионной спектрометрией тлеющего разряда, в 2,5-4,0 раза больше отношения интенсивностей эмиссии бора к алюминию в изоляционном покрытии.

Изобретение относится к металлургии, а именно к листу анизотропной электротехнической стали. Лист анизотропной электротехнической стали содержит основной стальной лист, первичную пленку на основе форстерита, расположенную на поверхности основного стального листа, и придающую натяжение пленку на фосфатной основе, не содержащую хрома, которая расположена на поверхности первичной пленки.

Изобретение относится к области металлургии, а именно к изготовлению листа анизотропной электротехнической стали, используемого в качестве материала для железных сердечников трансформаторов. Для изготовления основного листа кремнистой стали стальной сляб нагревают до температуры 1280°C или ниже и осуществляют горячую прокатку с получением горячекатаного стального листа, который подвергают отжигу в горячем состоянии.

Изобретение относится к области металлургии, а именно к производству листа анизотропной электротехнической стали, используемого в качестве материала для железных сердечников трансформаторов. Лист анизотропной электротехнической стали, содержащий основной стальной лист, промежуточный слой, который не является форстеритом и который расположен в контакте с основным стальным листом, и изоляционное покрытие, расположенное в контакте с промежуточным слоем, подвергают процессу формирования на поверхности основного стального листа области деформации, простирающейся в направлении, пересекающем направление прокатки основного стального листа, путем облучения электронным лучом.

Изобретение относится к синтезу монокристаллического оксоселенида железа α- и β-кристаллических модификаций. Способ синтеза кристаллов оксоселенида железа α-Fe2SeO и β-Fe2SeO кристаллических модификаций включает рост кристаллов путем нагрева герметичной ампулы с размещенной в одном ее конце шихтой, содержащей селен, железо и оксид селена, заполненной солью хлорида щелочного металла, при этом оксид селена размещают отдельно от смеси железа и селена, нагрев ампулы осуществляют при градиенте температур 740-680°С со стороны размещения шихты до температуры, уменьшенной на 30-100°С с противоположной стороны, в качестве соли хлорида щелочного металла используют солевой расплав чистого хлорида цезия или его смеси эвтектического состава с KCI, и/или NaCl, и/или RbCl, а рост кристаллов ведут в течение 15-20 дней.
Наверх