Платиновая резистивная паста


H01C7/00 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

Владельцы патента RU 2792330:

Общество с ограниченной ответственностью "С-Компонент" (RU)

Изобретение относится к области электротехники, а именно к платиновой резистивной пасте, которая может использоваться в процессах формирования пленочных элементов микроэлектронных устройств, в частности для изготовления полупроводниковых газовых сенсоров. Повышение поверхностного сопротивления пленочных резисторов до 2-10 Ом/квадрат и снижение температуры вжигания пасты до 850-900°С на алюмооксидной керамике является техническим результатом изобретения, который обеспечивается подобранным составом платиновой резистивной пасты, которая содержит от 60 до 75 мас.% порошка плакированного платиной оксида алюминия, от 8 до 22 мас.% кальций-алюмосиликатного стекла, от 0 до 4 мас.% оксида алюминия и от 16 до 18 мас.% органического связующего. Исследование долговременной стабильности пленочного резистивного микронагревателя газового сенсора из описанной выше пасты показало уход менее 1,5% по току во время непрерывной работы при температуре 450°С в течение 2 лет. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.

 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

Настоящее изобретение относится к электронной промышленности, а именно к платиновой резистивной пасте, которая может использоваться в процессах формирования пленочных элементов микроэлектронных устройств, в частности для изготовления полупроводниковых газовых сенсоров.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Принцип действия полупроводниковых газовых сенсоров основан на изменении проводимости полупроводникового чувствительного слоя (пленочного чувствительного элемента) под действием хемосорбированного газа на межзеренных границах или на поверхности наночастиц металлооксидного полупроводника. Для того чтобы обеспечить время отклика газового сенсора порядка нескольких секунд, чувствительный элемент сенсора должен быть нагрет до высокой температуры, лежащей в интервале от примерно 250°С (например, для детектирования таких газов, как водород и этанол) до примерно 500°С (например, для детектирования метана).

Поэтому одним из важнейших элементов газового сенсора, предназначенного для автономных и беспроводных устройств, являются микронагреватели для нагрева чувствительных элементов, а задача уменьшения размеров чувствительного элемента для упрощения и ускорения нагрева всегда остается актуальной. Для достижения высокой производительности микронагреватели изготавливают по толстопленочной технологии, при температуре вжигания пасты не выше 900°С. В настоящее время выбор паст для изготовления микронагревателя, который должен сохранять стабильность при температуре порядка 450°С, ограничен рутениевыми резистивными патами и платиновыми пастами. При этом рутениевые пасты показали хорошие результаты работы при температурах до 400°С в окислительной атмосфере (содержащей не более нескольких миллионных долей (м.д., ppm) водорода и углеводородов) на керамических подложках [патент RU 2098806 (С1, опубл. 10.12.1997); Heaters for gas sensors from thick conductive or resistive films / A. Dziedzic, L.J. Golonka, B.W. Licznerski, G. Hielscher // Sensors and Actuators B: Chemical - 1994. - Vol. 19. - P.535-539; Non-silicon MEMS platforms for gas sensors / A.A. Vasiliev, A.V. Pisliakov, A.V. Sokolov, N.N. Samotaev, S.A. Soloviev, K. Oblov, V. Guar-nieri, L. Lorenzelli, J. Brunelli, A. Maglione, A.S. Lipilin, A. Mozalev, A.V. Legin // Sensors and Actuators B: Chemical - 2016. - Vol.224. - P.700-713], а для работы в восстановительной среде более предпочтительными показали себя не деградирующие платиновые нагреватели [Non-silicon MEMS platforms for gas sensors / A.A. Vasiliev, A.V. Pisliakov, A.V. Sokolov, N.N. Samotaev, S.A. Soloviev, K. Oblov, V. Guarnieri, L. Lorenzelli, J. Brunelli, A. Maglione, A.S. Lipilin, A. Mozalev, A.V. Legin // Sensors and Actuators B: Chemical - 2016. - Vol.224. - P.700-713].

Для высокопроизводительного микронагревателя оптимальное поверхностное сопротивление резистивного слоя составляет порядка 2-4 Ом/квадрат. Достижение такого поверхностного сопротивления в пленочном элементе, изготовленном с помощью рутениевых (серебро-палладий-рутениевых) резистивных паст возможно. Тогда как известные платиновые пасты [A new photoimageable platinum conductor / S. Achmatowicz, K. Kiełbasin, E. Zwierkowska, I. Wyzkiewicz, M. Jakubowska // Microelectronics Reliability. - 2009. - Vol.49. - P.579-584; B. Jianga, P. Muralta, T. Maeder. Meso-scale ceramic hotplates - a playground for high temperature microsystems // Sensors and Actuators B. - 2015. - Vol.221. - P.823-834; D. K. Kharbanda, N. Suri, P. K. Khanna. Design, fabrication and characterization of laser patterned LTCC microhotplate with stable interconnects for gas sensor platform // Microsystem Technologies. - 2019. - Vol. 25. - P.2197-2204; патентный документ JPH05334911 (A, опубл. 17.12.1993)] имеют меньшее удельное поверхностное сопротивление, порядка 0,04 - 0,1 Ом/квадрат, достигаемое при относительно высоких температурах вжигания, в некоторых случаях, в диапазоне 1000 - 1450°С. Поэтому в известных сенсорах на основе платиновых паст нужное сопротивление получают увеличением числа квадратов резистора, например, изготавливая платиновый резистор в виде вытянутой по форме меандра полоски с минимальной шириной, например, в виде полоски шириной 20-40 мкм из фоторезистивных или полученных струйной печатью паст. Это приводит к значительному увеличению площади чувствительного элемента сенсора и, соответственно, повышению требований к мощности нагревателя. Поэтому в области техники была поставлена задача - увеличить удельное сопротивление платиновой пасты и обеспечить температуру ее вжигания менее 900°С.

Известные платиновые пасты состоят из порошка или порошков платины с частицами микронных и субмикронных размеров, а также порошков стекла и/или оксидов, диспергированных в органическом связующем.

В патентном документе JPH05334911 (A, опубл. 17.12.1993) описана композиция для изготовления резистивного слоя из сферического порошка платины (Pt) с размером частиц 3-4 мкм, порошка Pt с частицами произвольной формы размером менее 2 мкм суммарным весом 50 г, стекла состава: оксид бора (B2O3) 10 мас.%, оксид цинка (ZnO) 25 мас.%, диоксид кремния (SiO2) 30 мас.%, оксид меди (CuO) 20 мас.%, оксид калия (K2O) 5 мас.%, оксид алюминия (Al2O3) 8 мас.%, оксид лития (LiO) 1 мас.%, оксид титана(IV) (TiO2) 1 мас.% - весом 1,5 г, и органического связующего весом 8-18 г. В результате сопротивление резистивного слоя в виде меандра в 200 квадратов, после вжигания при температуре 900°С, составило 3-5 Ом. Недостатком данной композиции является низкое удельное поверхностное сопротивление резистивного слоя.

В патентном документе US2015/0203694 (A1, опубл. 23.07.2015) была предложена паста следующего состава: 87,3 масс.% порошка смеси Платины (90%) с Родием (10%) (Pt90/Rh10) со средним размером частиц 0,88 мкм, 2,2 мас.% порошка стекла состава: 15.57% SiO2, 2.77% оксида циркония (ZrO2), 35.28% B2O3, 6.32% оксида кальция (CaO), 4.59% ZnO, 0.90% CuO, 34.57% оксида бария (BaO) и 10,5 мас.% органического связующего. В результате поверхностное сопротивление резистивного слоя в виде меандра в 200 квадратов с шириной линии 0,5 мм и толщиной 10 мкм после вжигания при температуре 850°С составило 0,042 Ом/квадрат, что недостаточно для изготовления микронагревателя малой площади.

В патентном документе US2022/0013248 (A1, опубл. 13.01.2022) описаны платиновые пасты для использования в нагреваемых сенсорах. В этом случае порошок Pt со средним размером частиц 0,4 - 1,0 мкм в количестве 100-85% смешивался со стеклом состава: 45% BaO, 38% SiO2, 15% Al2O3 и 2% других оксидов, в общем количестве 0-15% от смеси. Данная композиция диспергировалась в 15% органического связующего на основе этилцеллюлозы и тексанола. Пасты такого состава после вжигания при температуре 1200°С обеспечивали высокую адгезию и достаточную проводимость пленки. К недостаткам данных паст можно отнести высокую температуру вжигания.

В патентном документе US2022/0238261 (A1, опубл. 28.07.2022) описаны пасты, которые можно использовать для изготовления нагревателя и термометра сопротивления в газовых сенсорах и других приборах. В этих пастах доля порошков Pt со средним размером частиц 0,3-3,0 мкм составляет 30-70 об.%, и доля порошка оксида алюминия со средним размером частиц 0,05-0,6 мкм составляет 70-30 об.%. Резистивные композиции содержат 2-4 мас.% связующего вещества, 8-16 мас.% органического растворителя и до 5 мас.% дисперсанта, пластификатора и тиксотропного агента. В этом решении нормализованное на толщину в 10 мкм поверхностное сопротивление Pt пленки на алюмооксидной подложке в зависимости от соотношения Pt к Al2O3 составляло от 0,15 до 2 Ом/квадрат при температурах вжигания 1250 - 1500°С. При этом композиция из 96,6 % Pt и 3,4% кальций-боросиликатного стекла позволила получить высокий температурный коэффициент сопротивления (ТКС) - 3893 ppm/°С. Основным недостатком паст указанного решения является высокая температура вжигания.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является решение, описанное в патентном документе WO2004/066319 (A1, опубл. 05.08.2004), где для уменьшения содержания платины и для увеличения удельного поверхностного сопротивления платинового слоя было предложено использовать, вместо порошков чистой платины, порошки плакированного платиной оксида алюминия, полученные по так называемой технологии Core-Shell (C-S, «Ядра в Оболочке»). Однако при использовании C-S порошков с соотношением платина/оксид алюминия от 10/1,0 до 10/1,2 и добавлении порошка оксида алюминия в пасте прототипа была получена проводимость в 0,043 Ом/квадрат при толщине 10 мкм, что ниже требуемого значения. Кроме того, вжигание в прототипе проводилось при температуре в 1450°С, что не позволяет использовать такие пасты при создании микроэлементов по стандартной толстопленочной технологии.

Настоящее изобретение направлено на устранение отмеченных выше недостатков уровня техники и прототипа.

РАСКРЫТИЕ СУЩНОСТИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Техническая проблема, на решение которой направлено настоящее изобретение, заключается в создании платиновой резистивной пасты для изготовления на алюмооксидной керамике пленочных резистивных элементов, в частности микронагревателей, с повышенным поверхностным сопротивлением в 2-10 Ом/квадрат, при пониженной температуре вжигания, в диапазоне 850-900°С.

Для решения указанной проблемы предложена платиновая резистивная паста, содержащая платину, стекло, оксид алюминия и органическое связующее, отличающаяся тем, что содержит от 60 до 75 мас.% порошка плакированного платиной оксида алюминия, от 8 до 22 мас.% кальций-алюмосиликатного стекла, от 0 до 4 мас.% оксида алюминия и от 16 до 18 мас.% органического связующего.

Добавление в пасту композиции из порошка плакированного платиной оксида алюминия, кальций-алюмосиликатного стекла, оксида алюминия и органического связующего в указанных соотношениях обеспечивает увеличение поверхностного сопротивления пленочного резистивного элемента, изготовленного из пасты при температуре вжигания 850-900°С.

В варианте осуществления изобретения отношение платины к оксиду алюминия в порошке плакированного платиной оксида алюминия составляет от 10/1,5 до 10/3. В еще одном варианте осуществления изобретения кальций-алюмосиликатное стекло содержит 37% диоксида кремния, 23% оксида алюминия, 33% солей и оксидов кальция, и 7% других оксидов. Указанные варианты осуществления изобретения обеспечивают дополнительное увеличение поверхностного сопротивления пленочного резистивного элемента, изготовленного на алюмооксидной керамике при температуре вжигания в диапазоне 850-900°С, а также повышают его стабильность.

Каждый из вариантов осуществления изобретения обеспечивает возможность достижения технического результата изобретения, заключающегося в создании платиновой резистивной пасты для изготовления на алюмооксидной керамике пленочных резистивных элементов с повышенным поверхностным сопротивлением в 2-10 Ом/квадрат, при пониженной температуре вжигания, в диапазоне 850-900°С.

ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Проведенные для решения поставленной проблемы изыскания показали, что резистивная паста из платины (Pt), стекла, оксида алюминия и органического связующего, с целью увеличения поверхностного сопротивления изготавливаемого из нее пленочного резистивного элемента и обеспечения температуры вжигания в диапазоне 850-900°С, должна содержать композицию из порошка плакированного платиной оксида алюминия (C-S), кальций-алюмосиликатного стекла (далее для простоты может называться просто стеклом), оксида алюминия (Al2O3) и органического связующего (ОС) в соотношении, находящемся в следующих диапазонах: 60-75 мас.% порошка C-S, 8-22 мас.% стекла, 0-4 мас.% Al2O3 и 16-18 мас.% ОС. При этом весовое отношение Pt к Al2O3 в порошке C-S может составлять от 10/1,5 до 10/3,0 при среднем размере частиц 1,0 - 1,5 мкм.

В состав кальций-алюмосиликатного стекла предпочтительно входят следующие компоненты: 37 мас.% SiO2, 23 мас.% Al2O3, 33 мас.% солей и оксидов кальция (Са), а другие оксиды составляют остальные 7 мас.%. При этом удельная поверхность порошка стекла составляет 6000-8000 см2/г, температура размягчения - 685°С, а температура кристаллизации - 900°С. Средний размер частиц порошка оксида алюминия составляет 1,0 мкм. В качестве органического связующего (ОС) используются растворы этилцеллюлозы в терпинеоле с добавлением фталатов.

В ходе изысканий тестовые пленочные резистивные элементы изготавливались следующим образом. Платиновая резистивная паста описанного выше состава наносилась на подложки из 96% оксида алюминия типа «ВК-96» в виде полосок. После сушки проводилось измерение толщины сухого слоя пасты и вжигание в конвейерной печи при температуре в диапазоне 850-860÷900-920°С в течение 10 мин. Полученные пленочные резистивные элементы имели ширину 0,2 мм и длину 20 мм. Характеристики тестовых резистивных элементов приведены в Таблице 1.

Таблица 1
Характеристики пленочных резистивных элементов, изготовленных из платиновой резистивной пасты согласно вариантам осуществления изобретения.

п/п
Порошок C-S Стекло,
Мас.%
Al2O3
Мас.%
ОС
Мас.%
Толщина сухого слоя, мкм R, Ом/квадрат
Мас.% Pt/Al2O3 850 - 860°С 900 - 920°С
1 74,6 10/1,5 8,5 - 16,9 18 1,3 -
2 70,4 10/1,5 12,4 - 17,2 20 3,1 -
3 59,8 10/1,67 20,5 2,5 17,2 18 4,8 3,2
4 58,1 10/1,67 22,5 3,1 16,3 21 6,6 2,4
5 70,4 10/2,0 12,4 - 17,2 20 4,2 -
6 70,4 10/3 12,4 - 17,2 18 10,0 4,3

В Таблице 1 R представляет собой величину поверхностного сопротивления.

Исследование долговременной стабильности пленочного резистивного микронагревателя газового сенсора из описанной выше пасты показало уход менее 1,5% по току во время непрерывной работы при температуре 450°С в течение 2 лет. Данные результаты показывают достижение увеличенной стабильности для пленочного резистивного элемента из предложенной пасты.

Все описанные варианты осуществления изобретения обеспечивают возможность достижения технического результата, заключающегося в создании платиновой резистивной пасты для изготовления на алюмооксидной керамике пленочных резистивных элементов с повышенным поверхностным сопротивлением в 2-10 Ом/квадрат, при пониженной температуре вжигания, в диапазоне 850-900°С.

После прочтения настоящего описания специалисты в данной области техники могут предложить различные изменения и корректировки параметров, упомянутых в описании вариантов осуществления изобретения, таких как виды используемых материалов, технологий и их характеристики. Необходимо понимать, что все подобные изменения попадают под объем правовой защиты заявленного изобретения, определяемый нижеследующей формулой изобретения.

1. Платиновая резистивная паста, содержащая платину, стекло, оксид алюминия и органическое связующее, отличающаяся тем, что содержит от 60 до 75 мас.% порошка плакированного платиной оксида алюминия, от 8 до 22 мас.% кальций-алюмосиликатного стекла, от 0 до 4 мас.% оксида алюминия и от 16 до 18 мас.% органического связующего.

2. Платиновая резистивная паста по п.1, в которой отношение платины к оксиду алюминия в порошке плакированного платиной оксида алюминия составляет от 10:1,5 до 10:3.

3. Платиновая резистивная паста по п.1 или 2, в которой кальций-алюмосиликатное стекло содержит 37% диоксида кремния, 23% оксида алюминия, 33% солей и оксидов кальция, и 7% других оксидов.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов. Способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и контактов к ним.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с силицидом молибдена с пониженным значением контактного сопротивления. Способ изготовления полевых транзисторов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и электродов к ним, подзатворного диэлектрика и силицида, при этом силицид молибдена - МоSi2 формируют на подложках кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), с удельным сопротивлением 10 Ом⋅см путем осаждения пленки молибдена Мо на пластине кремния при давлении 6,5⋅10-9 Па, температуре подложки 700°С, со скоростью роста 0,1 нм/с и последующим отжигом в форминг-газе при температуре 900°С в течение 60 мин.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с силицидом молибдена с пониженным значением контактного сопротивления. Способ изготовления полевых транзисторов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и электродов к ним, подзатворного диэлектрика и силицида, при этом силицид молибдена - МоSi2 формируют на подложках кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), с удельным сопротивлением 10 Ом⋅см путем осаждения пленки молибдена Мо на пластине кремния при давлении 6,5⋅10-9 Па, температуре подложки 700°С, со скоростью роста 0,1 нм/с и последующим отжигом в форминг-газе при температуре 900°С в течение 60 мин.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для формирования омических контактов в кремниевых приборах, например, приборов, к которым относятся фоточувствительные элементы, работающие в фотовольтаическом режиме, ограничительные диоды, выпрямители, солнечные элементы и др.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления оксинитрида кремния, устойчивого к дефектообразованию и воздействию горячих носителей. Способ изготовления полевых транзисторов включает формирование азотированного оксидного слоя, активных областей полевого транзистора и электродов к ним, согласно изобретению формируют азотированный оксидный слой - оксинитрид кремния путем создания слоя пористого кремния толщиной 280-300 нм, пористостью 74% анодным окислением в электрохимической ячейке с 5 вес.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования силицида включает электронно-лучевое нанесение палладия толщиной 50 нм в вакууме на кремниевую подложку и отжиг, при этом согласно изобретению нанесение осуществляют испарением, которое проводят в вакууме при давлении 1·10-5 Па с последующим воздействием пучка ионов Ar энергией 200 кэВ под углом 7° дозой 3·1016 см-2 и плотностью тока ионного пучка 1,5 мкА/см2 при температуре 50°С со скоростью роста 0,3 нм/с, а отжиг осуществляют при температуре 200°С в вакууме 1·10-3 Па в течение 10 мин.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования силицида включает электронно-лучевое нанесение палладия толщиной 50 нм в вакууме на кремниевую подложку и отжиг, при этом согласно изобретению нанесение осуществляют испарением, которое проводят в вакууме при давлении 1·10-5 Па с последующим воздействием пучка ионов Ar энергией 200 кэВ под углом 7° дозой 3·1016 см-2 и плотностью тока ионного пучка 1,5 мкА/см2 при температуре 50°С со скоростью роста 0,3 нм/с, а отжиг осуществляют при температуре 200°С в вакууме 1·10-3 Па в течение 10 мин.

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к области технологий получения контактов золото-кремний с помощью электрохимических методов осаждения металла. Предлагается способ электрохимического осаждения золота на кремниевые полупроводниковые структуры, включающий химическую обработку кремниевой полупроводниковой пластины в растворах и последующее электрохимическое осаждение золота из электролитов золочения с рН=6÷7, при этом перед электрохимическим осаждением золота проводят химическую обработку в растворе смеси, состоящей из алифатического спирта и плавиковой кислоты в соотношении от 1:0 до 1:8.

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к области технологий получения контактов золото-кремний с помощью электрохимических методов осаждения металла. Предлагается способ электрохимического осаждения золота на кремниевые полупроводниковые структуры, включающий химическую обработку кремниевой полупроводниковой пластины в растворах и последующее электрохимическое осаждение золота из электролитов золочения с рН=6÷7, при этом перед электрохимическим осаждением золота проводят химическую обработку в растворе смеси, состоящей из алифатического спирта и плавиковой кислоты в соотношении от 1:0 до 1:8.

Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых диодных структур с барьером Шоттки. Способ изготовления поверхностно-барьерного детектора на кремнии n-типа проводимости включает химическое травление кремниевой пластины, прогрев на воздухе после травления, защиту края перехода диэлектрическим покрытием, в качестве которого используют кремнийорганический компаунд марки КЭН-2 с добавлением пиридина в весовом соотношении 20-25:1 соответственно и микро- или нанопорошок графита в весовом соотношении 10-15:1 соответственно и термическое напыление выпрямляющего контакта.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству композиционных материалов с медной матрицей, и может быть использовано для изготовления электрических разрывных контактов. Снижение переходного сопротивления и повышение дугостойкости контактов является техническим результатом, который достигается за счет того, что способ получения двухслойного композиционного материала для разрывных электрических контактов включают свободную засыпку порошка дугостойкого компонента в тигель-изложницу, пропитку его расплавом меди при низкочастотной вибрации и последующую кристаллизацию расплава, при этом порошок дугостойкого компонента предварительно сушат до влажности менее 1%, затем на его поверхность размещают медный компонент в виде пластины литой меди, далее проводят уплотнение порошка давлением на пластину 70-400 Н/см2, после чего полученную заготовку нагревают в печи сопротивления до температуры 1250-1350°С в атмосфере аргона, выдерживают при этой температуре в течение 10-15 минут, а обработку полученной композиции низкочастотной вибрацией осуществляют при амплитуде колебаний 0,1-0,2 мм и частоте 50-80 Гц в атмосфере аргона в течение 10-15 минут и охлаждают вместе с печью в той же атмосфере.
Наверх