Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости на свч в свободном пространстве

 

Ссюа Советских,, т1-,."

: - Сацкейкстических

Республик

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

28l569

Зависимое от авт. свидетельства ¹вЂ”

Заявлено 23Х1.1969 (№ 1339734/26-9) Кл. 21а, 71 с присоединением заявки М—

Коынтет по делам изобретений и открытий ари Совете Министров

СССР

МПК G Olr 27/26

У,1,К 621.317.374 (088.8):

Приоритет—

Опубликовано 14.1Х.1970. Бюллетень ¹ 29

3ата опубликования описания 21Л .1971.

AB i ODüt изобретения

В. Ф. Пасечник и В. Д. Кукуш

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОМПЛЕКСНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

ПРОНИЦАЕМОСТИ НА СВЧ В СВОБОДНОМ ПРОСТРАНСТВЕ

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано в измерительных лабораториях научно-,исследовательских институтов, на производстве для кoHòpoëÿ параметров H310TQBляемых диэлектрических материалов и устройств из них (диэлектрических покрытий, антенных обтекателей и д,р.).

Известные способы измерения комплекгной диэлектрической проницаемости на СВЧ в свободном пространстве обладают тем недостатком, что не позволяют точно определить угол Брюстера из-за наличия потерь в реальных диэлектрических материалах, а поэтому рассчитанная величина диэлектрической проницаемости является приближенной, или не позволяют определить угловое положение максимумов отраженных от двух поверхностей образца сигналов и, следовательно, не позволяют определить рассTîÿние между ними.

С целью повышения точности и быстрого измерения комплексной диэлектрической проницаемости, в предлагаемом устройстве образец диэлектрика облучают при угле падения

45 волной, поляризованной под углом 45 к плоскости падения, и определяют эллиптичность r угол наклона большой оси эллипса поляризации поля отраженной волны.

На фиг. показано усгройство, реализующее предлагаемый способ; на фиг. 2 приведены параметры эллипса.

Процесс измерения заключается в следующем.

Приемную антенну 1 (c». фиг. 1) устанавливают на одной линии с передающей антенной 2. Генератор 8 подключают к передающей антенне 2 и измерительный прибор 4 — к приемной антенне 1. Затем ориентируют передаюlo щую антенну 2 под углом 45 к плоскости пя,сния. Вращая приемную антенну 1 вокруг своей оси, фиксируют по шкале 5 те углы, при которых будет равенство ортогональных составляющих линейно поляризованного под

15 углом 45 сигнала, тем самым выбирают направление системы координат и делят по ес осям линейно поляризованный сигнал на две ортогональные и,равные составляющие. Зятем поворачивают приемную антенну 1 вокруг об20 щей оси 0 на угол, удобный для вычислений (например 45 ), вставляют образец 6 диэлектрика в,держатель, помещенный на общей оси, и измеряют, вращая вокруг, своей оси приемную антенну 1, максимальную а и мини25 мальную 6 амплитуды отраженного сигнала

Q и берут их отношение - r (см. фиг. 2).

Эти амплитуды и являются осями эллипса.

30 Для определения ориентации эллипса по от281569

Предмет изобр етен ия

-11 ) %uz 2

Заказ 7560 Тираня 480 IIO.llluCHOi

1 IIHHI1H комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР москва, Ж-35. Раушская иаб.. д. 4/5

Областная типография Костромского управления по печати ношению к выбранной системе координат измеряют угол Р, заключенный между большой осью эллипса х и осью координат у. Результаты измерения подставляют в формулы и вычисляют диэлектрическую проницаемость: ((1 — r ),cos2 2р — 4r ) sin2q: 1ц <р

4г (1 — r ) cos 2P sin ñð tg q: (I+r2 (1 r2) з!П2Р)2

Предлагаемый метод позволяет точно и относительно быстро определить комплексную диэлектрическую проницаемость материалов, а также может найти широкое применение в пнтроскопии и во всех тех случаях исследования диэлектриков, где возможен только односторонний доступ к ним.

Способ измерения ком,плексной диэлектрической проницаемости на СВЧ в свободном пространстве, отличающийся тем, что, с целью

I0 повышения точности измерений, образец диэлектрика облучают при угле падвния 45 волной, поляризованной под углом 45 к плоскости падения, и определяют эллиптичность и угол наклона большой оси эллипса поляриза15 ции поля отраженной волны.

Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости на свч в свободном пространстве Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости на свч в свободном пространстве 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в приборах для измерения неэлектрических физических величин посредством емкостных, индуктивных или резистивных датчиков

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в приборах для измерения неэлектрических физических величин посредством емкостных, резистивных или индуктивных датчиков

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к технике измерений макроскопических параметров сред и материалов, и, в частности, может использоваться при неразрушающем контроле параметров диэлектрических материалов, из которых выполнены законченные промышленные изделия

Изобретение относится к технике измерений с помощью электромагнитных волн СВЧ диапазона и может использоваться для дефектоскопии строительных материалов различных типов с различной степенью влажности

Изобретение относится к измерительной технике, в частности, может быть использовано для измерения диэлектрических характеристик веществ с помощью емкостного или индуктивного датчика

Изобретение относится к электронному приборостроению и может быть использовано для контроля и измерения диэлектрических параметров различных сред

Изобретение относится к измерению электрических величин, в частности емкости

Изобретение относится к способам и устройству для передачи электромагнитных сигналов в землю через конденсатор

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано при измерении тангенса угла диэлектрических потерь твердых изоляционных материалов, жидких диэлектриков, например, трансформаторного масла
Наверх