Плазменный импульсный источник заряженных частиц
с
О П И С А Н И Е 28680б
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимсе от авт. свидетельства ¹ 243063
Заявлено 12.II.1969 (№ 1307910/26-25) М. Kë. Н 05h 7 00 с присоединением заявкн ¹вЂ”
Государственный комитет
Соввтв Министров СССР о делам изобретений и открытий
Приоритет—
Опубликовано 05.XI.1973. Бюллетень ¹ 45
Дата опубликования описания 05Л 11.1974
УДК 6 1.384.6(088.8) Авторы изобретения
С. П. Бугаев, Ф. Я. Загулов, Б. М. Ковальчук и Г. А. Месяц
Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики при Томском политехническом институте
Зая во|тели
ПЛАЗМЕННЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ ИСТОЧ Н ИК
ЗАРЯ®ЕННЫХ ЧАСТИЦ
Изобретение относится к технике ускорения .и производства потоков заряженных частиц.
Известен импульсный плазменный источник заряженных частиц, содержащий два электрода, диэлектрическую пластину, расположенную между сплошным электродом .и,кольцевым электродом, и электрод, вытягивающий частицы.
Однако в,известном, источнике, разряды распространяются по диэлектрику на ограниченную ллину,,и центральная часть диэлектрической пластины не,используется лля образования плазмы, поэтому структура пучка получается трубчатой.
Цель предлагаемого изобретения — увеличение амплитуды выходного тока источника ,и его плотности.
Предлагаемое изобретение является у»0вершенствованием известногp плазменного импульсного источника. Диэлектрическая пластина выполнена с переменной толщиной, убывающей от периферии к центру. Это,позволяет получать сплошной пучок частиц.
На фиг. 1 .изображена электродная система источника; на фиг. 2 — схема замещения указанной электродной системы.
Диэлектрическая пластина I титана бария ,имеет величину диэлектрической проницаемости = — 1400. С одной стороны керамики с помощью вжигания серебра наносится электрод 2. К другой стороне пластины посрелством оправки 8 прижимается плоский кольцеобразный электрол 4. Керамика с электродами помещается в .изолятор 5,пз оргстекла.
Для устранения, перекрытий по боковой поверхности керамики используется резиновая прокладка б, которая с помощью винтов 7 .и
1О оправки 8 плотно прижимается к керамике. В изолятор 5 помещается также и отбирающий электрод 8, с помощью, которого производится вытягивание заряженных частиц. 11змер»í <е тока в цепи отбирающего электрола осу15 ществляется с помощью измерительных сопротивлений 9. Колпачок 10 ll пружина 11 обеспечивают хороший контакт электрола 1 с ,подводящими кабелями. С помощью обычных срелств в системе созлается вакуум 10 — —
20 10 тор.
Величина С, не постоянна, а увеличивается от периферии к центру пластины (см. фиг. 2).
25 При приложении .импульсного напряжения между электролами 2 и 4 в местах соприкосновения пластины 1 .и электрола 4 возникают поверхностные разряды на диэлектрике, Ток разряда переносится за счет зарядки емкостен зо С1 (см. фиг. 2) и протекает ло тех пор, пока
286806
Фиг. 1
Редактор А. Калашникова
Составитель И. Петров
Корректор О. Тюрина
Заказ 217 Изд. ¹ 203 Тираж 743 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, K-35. Раушская наб., д. 4/5
Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» поверхность диэлектрика полностью не,покроется плазмой,и все элементы, этой поверхности не будут .иметь потенциал,,равного потенциалу электрода 4.
Из источника производится отбор электронов,или ионов в зависимости от полярности отбирающего электрода 8.
Источник помещается в кожух 12.и герметизируется с помощью винтов 18, резиновых прокладок 14 и 15 и фланцев 1б .и 17. Уплотнение подвода напряжения к электроду 2 осуществлено с,помощью гайки 18, диска 19.и резиновой прокладки 20.
Предмет изобретения
Плазменный импульсный источник заряженных частиц по авт. св. ¹ 243063, отличпюи1ийсл тем, что, с целью увеличения амплитуды выходного тока ьчсточника .и его плотности, диэлекгрическая пластина выполнена так, что ее толщина убывает от периферии к центру.
