Параметрический модулятор

 

в эю.ю.i

1тлт-: ., " - g I библио ека 1 ЬА

296218

ОП И САНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

МПК Н 03с 1/14

Заявлено 02.V!.1969 (№ 1334418/26-9) Приоритет

Опубликовано 12.11.1971. Бюллетень М 8

Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров

СССР л Д1 621.376.223(088.8) Дата опубликования описания 8.IV.1971

Авторы изобретения

Е, Ф. Войтон и А. Б. Федоров

Заявитель

ПАРАМЕТРИЧ ЕСКИй МОДУЛЯТОР с присоединением заявки М

Изобретение относится к области радиопередающих устройств и может быть использовано в системах автоматической подстройки контуров радиопередатчиков ультракоротковолнового диапазона, генераторах с частотной манипуляцией, устройствах анализа сигналов.

Известны модуляторы сверхвысокочастотного диапазона, в которых в качестве управляющего элемента используются р-i-n-диоды.

Недостатком этих модуляторов является изменение глубины модуляции собственной частоты контура при его перестройке в широком диапазоне частот.

Цель изобретения — создание параметрического модулятора, обеспечивающего получение постоянной глубины модуляции собственной частоты контура при перестройке его в широком диапазоне частот. Поставленная цель достигается тем, что коаксиальная линия модулятора выполнена в виде двух последовательно соединенных секций, из которых одна, соединенная с элементом связи, нагружена на управляющий р-i-n-диод, а другая представляет собой разомкнутую на конце линию.

На чертеже показано устройство параметрического модулятора.

Модулятор содержит коаксиальный отрезок линии, состоящий из внешней трубы 1 и внутреннего проводника 2. Отрезок коаксиальной линии включает две последовательно соеди- 30 пенные секции 8 и 4. Вход первой секции 8 соединен пластиной конденсатора 5 связи с модулируемым контуром, а выход ее нагружен на управляющий элемент — p- -n-диоды 6, которые через блокировочные конденсаторы 7 соединены с клеммами подачи управляющего напряжения 8. Вторая секция 4 представляет собой разомкнутую на конце линию.

Модулятор работает следунтщпм образом.

Модулятор посредством пластины конденсатора 5 связи подключается к модулируемому контуру. Собственная частота контура зависит от величины входного сопротивления коаксиальной линии модулятора в плоскости пластины конденсатора 5. Изменение величины этого сопротивления, осуществляемое посредством управления активной проводимостью р- -пдиодов, приводит к модуляции собственной частоты контура.

Известно, что проводимость р-т -п-диодов в зависимости от знака управляющего напряжения изменяется от 10-з мо (режим запирания) до 1 лко и более (режим проводимости). Поэтому при протекании через диоды управляющего тока первая секция линии, нагруженная диодами, окажется короткозамкнутой. Входное сопротивление модулятора в этом случае определится параметрами только первой секции 8.

Если, например, электрическая длина первой секции незначительна, ее входное сопротивле296218

Предмет изобретения! 2

С ос r а в и тель Г. Челей ехред Л. Jl. Евдоиов Корректорьп А. Николаева и Л. Корогод

Редактор M. В. Макарова

Изд. М 37! Заказ 796r9 Тира>к 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35, Раугискаи паб., д, 475

Типография, пр. Сапунова, 2 ние имеет индуктивный характер и по абсолютной величине много меньше емкостного сопротивления конденсатора связи с модулируемым контуром.

Таким образом, в период проводимости р-i-пдиодов в модулируемый контур вносится емкостное сопротивление, по величине примерно равное емкостному сопротивлению конденсатора связи.

При подаче запирающего напряжения p-i-пдиоды в УКВ-диапазоне представляют собой незначительную неоднородность с емкостной реакцией, практически не влияющую на условия распространения энергии в линии.

Входное сопротивление коаксиальной линии модулятора определяется в этом режиме двумя последовательно включенными секциями 3 и 4. Если секция 4 выполнена, например, в виде отрезка разомкнутой линии, электрическая длина которой меньше четверти длины рабочей волны, входное сопротивлегп1е ее имеет емкостной характер. Вносимое в модулируемый контур сопротивление будет также носить емкостной характер, а величина его будет больше величины емкостного сопротивления конденсатора связи.

Величина разности между значениями сопротивлений, вносимых в модулируемый контур в двух режимах работы р-i-n-диодов, определяет глубину модуляции собственной частоты контура.

Соответствующим выбором электрической длины секций 8 и 4 можно установить весьма разнообразные законы изменения величины приращения вносимого сопротивления и, тем самым, глубины модуляции контура в рабочем диапазоне частот. Соотношение длин секций > и 4 определяет увеличение или уменьшение глубины модуляции с увеличением частоты.

10 Так как в модуляторе пспользу!отся р-i-n диоды, имеющие два устойчивых состояния проводимости, возможно осуществить лишь скачкообразное изменение собственной частоты контура.

Параметрический модулятор, содержащий

20 коаксиальный отрезок линии, конденсатор связи с модулируемым контуром и управляющий элемент, например, р-с-и-диод. отлика>ощийся тем, что, с целью обеспечения постоянства глубины модуляции собственной частоты кон25 гура при его перестройке в широком диапазоне частот, коаксиальная линия модулятора выполнена в виде последовательно соединенных секций, причем первая секция, соединенная с элементом связи, нагружена на управляющий

30 p-i-n-диод, а вторая представляет собой разомкнутую на конце линию.