Мультивибратор

 

299019

ОП ИСА НИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскиз

Социалистическиз

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 24.XI.1969 (М 1378327/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 16.111.1971. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 22.IV.1971

МПК Н 03k 3/281

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.373.431.1 (088,8) Авторы изобретения! ВСЕС0, Оя дд -" - : -: *.- .::".".EiQ ТЕКА

Ю. Н. Мишинский и А. И. Майба

Заявитель

МУЛЪТИВИБРАТОР

Предлагаемое,изобретение отосится к области импульсной радиотехники, к схеме известного мультивибратора с коллекторнобазовой связью и эхгиттерной емкостью, и может быть .применено в импульсных схемах, где от мультивибратара требуется большая скважность .импульсов.

Известны мультивибраторы на транзисторах с коллвкторнобазо вой обратной связью и эмиттернвй емкостью, с допол нительным транзистором противоположнаго типа проводимости.

С целью значительного увеличения окважности генерируемых мультивибратором имстульсов .в предлагаемом устройстве параллельно эмиттврному кондвнсатору через разделительный кремниевый диод включается доба во ч н ый конденсатор значительно большей емкости, при этом общая точка доба вочного конденсатора и разделительного диода через небольшое токоогра н ичивающее сопрот ивление соединяется с коллектором дополнительного транзистора обратного типа проводимости, база которого через резистор соединяется с коллектором, первого транзистора мультввибратора, а эмиттер до полнительного транзистора соединяется с ш иHÎA коллекторного пита,ния.

На чертеже изображена схема предлагаемого мультивибратора.

Основные транзисторы 1 и 2, резисторы

8 — 7, конденсаторы 8 и 9 и диоды 10 и 11 образуют известную схему мультивибратора с коллекторнобазовой связью и эмиттерной ем5 костью.

Параллельно эмиттерному конденсатору 9 через разделительный кремниевый диод 12 подсоединен добавочный конденсатор 18 значительно большей емкости.

10 Общая точка разделительного дно да 12 и конденсатора 18 через токоогран ичивающий резистор 14 соединяется с коллектором дополнительного транзистора 15 обратного типа проводимости, причем база дополнительного

l5 транзистора 15 через резистор 16 связана с коллектором основного транзистора 1, а эмиттер дополнительного транзистора 15 — с шиной коллекторного питания.

Предлагаемая схема работает следующим

20 образом.

Транзистор 1 закрыт отрицательным напряжением íà ко нденсаторе 9, а тра нзистор 2 открыт и насыщен, при этом дополнительный транзистор 15 также закрыт, а .на добавочном

25 конденсаторе 18 от действия предыдущего импульса появляется отрицательное напряжение ло абсолютной величине меньше, чем нап ряжение на конденсаторе 9. Заряд, накопленный конденсатором 18, нахтного превосходит заряд, накопленный конденсатором 9, так как емкость

299019 конденсатора И превышает емкость конденсатора 9, и конденсатор И даже через небольц1ой токоограничивающий резистор 14 и заходящий на некоторое время в насыщение дополнительный транзистор 15 во вовремя генерирования импульса не успевает зарядиться до того на:пряжения, до которого заряжается основной эмиттерный конденсатор 9, хогя при этом конденсатор И и на капливает значительный заряд. Это приводит к тому, что кремниевый диод 12 смещен в обратном направлении, а ко нденсаторы 9 и И разделены.

После этого начинаегся перезаряд конденсатора 9 через резистор 7 от источиHIKB +Еэ.

Сначала этот процесс идет быстро, пока напряжения на конденсаторах 9 и И примерно не сравняются. Затем открывается диод 12, конденсаторы 9 и И соединяются параллельно и вместе перезаряжаюгся от источника

+Еэ через резистор 7.

Постоянная времени цепи перезаряда резко возрастает, и так как в конденсаторе И накоплено большое количество энергии, то пауза между импульсами возрастает .в несколько десятков раз. Конденсаторы 9 и И разряжаются до такого напряжения, при котором начинает открываться транзистор 1.

Мультивибратор опро кидывается, транзистор

2 закрывается, а тра нзистор 1 открывается и насыщается,,при этом почти одновременно открывается и насыщается на некоторое время дополн ительный транзистор 15 об ратного типа проводимости.

Конденсатор 9 заряжается через открытый транзистор 1 и параллельную цепочку, состоящую из резисторов 8 и 16 и сопротивления эмиттер — база насыщен ного в течение некоторого времен и дополнительного транзистора 15. С ним в большинстве случаев можно не считаться, та к как величина резистора 16 больше указанного выше сопротивления эмиттер — база транзистора 15.

Шунтирующее действие резистора 16 учигывается при расчете длительности импульса мультивибратора.

Конденсатор 18 начинает заряжаться от источника — Е,. через насыщенный в течение некоторого времени дополнительный транзистор 15, и токоограничивающий резистор 14.

Однако ввиду большой разницы в величинах конденсаторов И и 9, а также неоольшой задержки, вносимой дополнительным транзистором 15 и небольшой величины коллектор10 !

50 ного сопротивления транзистора 1, рост напряжения на конденсаторе 9 значительно опережает:рост напряжения на конденсаторе И, ло" этому разделительный диод 12 почти мгно венно закрывается в самой начальной стадии срормирования имлульса и отключает конденсатор И. Длительность им пульса не завиоит от конденсатора И, а определяется, в основном, величи)ной конденсатора 9 и величиной сопротивления в коллекторе тра1нзистора 1, если считать, что величины других деталей и напряжения источнико в питания уже выбраны. Так как указанные величины конденсатора 9 и сопротивления в коллекторной цепи выбираются сравнительно небольшими, то отсюда следует, что от мультивибратора можно:получить сравнительно короткие импульсы прямоугольной формы, например, длительностью несколько микросекунд на транзисторах

МП42А, т. е. такую же длительность и форму импульсов, как и у известного мультивибратора.

После заряда конденсатора 9 от источника — Е, через транзисгор 1, резисторы 3 и 16 и участок база — эмиттер транзистора 15 транзистор 1 закрывается и мультивибратор опрокидывается. Транзистор 2 открывается, закрывая при этом тра нзистор 15. Дальше процессы повторяются.

Таким образом предлагаемый мультивибратор увеличивает скважность в несколько десятков раз.практически без изменения формы и длительности генерируемых импульсов.

Предмет изобретения

Мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми обратными связями и эмиттерной емкостью, с дополнительным т ранзистором противоположного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью значительного увеличения ск важности генерируемых импульсов, параллельно эмиттерному конденсатору через разделительный диод подключен добавочный конденсатор, при этом общая точка соединения добавочного конденсато ра и разделительного,диода подключена через токоot.раничивающий резистор к коллектору дополнительного транзистора, база которого через резистор соединена с коллектором основного транзистора мультивибратора. а эмиттер дополнительного транзистора соединен с шиной коллектор ного питания.

299019 дым

Составитель Л. Багян

Техред Л. Л. Евдонов Корректор T. А. Китаева

Редактор Т. И. Морозова

Тип. Харьк. фил, пред, «Патент»

Оаказ 111/460. Изд, М 343. Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, К-35, Раушская наб., д, 4/5