Мультивибратор на транзисторах

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

0010з Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

МПК Н 03k 3/30

Заявлено 21.Х.1969 (№ 1368296/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21 IV.1971. Бюллетень _#_ 14

Дата опубликования описания 4.VI.1971

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621,373.52 (088.8) 1

1 °"

В. П. Карасев и P. Х. Каримуллин

Авторы изобретения

Заявитель

МУЛЬТИВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРАХ

Предлагаемый мультивибратор может быть использован в различных импульсных устройствах радиоэлектронной техники в качестве генератора с повышенной скважностью генерируемых импульсов.

Известны мультивибраторы на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, имеющие в качестве одного элемента связи конденсатор, а в качестве другого — резистор. Известные мультивибраторы генерируют импульсы прямоугольной формы с максимальной скважностью порядка 20.

Однако известные мультивибраторы обладают ограниченной скважностью.

С целью увеличения скважности генерируемых импульсов в предлагаемом мультивибраторе последовательно с конденсатором емкостной связи включен диод, анод которого соединен с конденсатором, при этом регулирование скважности производится резистором, включенным параллельно диоду.

На чертеже дана схема предлагаемого мультивибратора.

Мультивибратор выполнен с коллекторнобазовыми связями. Конденсатор связи 1 через диод 2, подключенный плюсовым выводом к конденсатору, соединяет коллектор транзистора 3, подключенный к минусу источника питания Ек через резистор 4, с базой транзистора

5, подключенной к минусу источника питания

Ек через резистор б. Транзистор 5 включен в инверсном направлении, Вторым элементом связи является резистор 7, включенный между базой транзистора 3 и эмпттером транзистора 5, соединенным с минусом источника питания Ек через резистор 8.

Мультивибратор работает следующим образом.

Конденсатор периодически заряжается и

10 разряжается. В стадии заряда транзистор 3 закрыт, а транзистор 5 насыщен. Заряд происходит по цепи: плюс источника питания Ек, входное сопротивление транзистора 5, обратное сопротивление диода 2, конденсатор 1, ре15 зистор 4 и минус источника питания Ек. Время заряда определяется обратным сопротивлением диода 2, которое можно регулировать резистором 9. По мере заряда конденсатора 1 ток базы транзистора 5 уменьшается и в не20 который момент времени принимает значение, при котором транзистор 5 после завершения процесса рассасывания избыточных неосновных носителей в его базе выходит из насыщения.

25 Вследствие этого возникает лавпнообразньш процесс, приводящий к насыщению транзистора 3 и запиранию транзистора 5.

После этого начинается разряд конденсатора 1 по цепи: обкладка конденсатора 1, пряЗО мое сопротивление диода 2, резистор б, сопро301827

Предмет изобретения

Составитель Н. Степанов

Редактор Т. И. Морозова Текред Л. А. Евдонов Корректор Н. Рождественская

Заказ 1370/5 Изд. № 519 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2 тивление источника питания Ек, сопротивление, эмиттер, коллектор транзистора 8, обкладка конденсатора 1. Время разряда определяется величиной сопротивления резистора

6, которая при инверсном включении транзистора 5 на порядок ниже, чем при прямом включении. Наряду с зарядом конденсатора 1 через обратное сопротивление диода 2 уменьшение величины сопротивления резистора 6 увеличивает скважность генерируемых импульсов.

По мере разряда конденсатора 1 изменяется базовое напряжение транзистора 5 в сторону меньших положительных значений. В некоторый момент времени это напряжение достигает величины, при которой транзистор 5 открывается.

В следующей стадии оба транзистора открыты, и процесс опрокидывания развивается лавинообразно. В результате транзистор 5 пере ходит в насыщенное состояние, а транзистор

8 — в закрытое, Далее процессы повторяются.

Мультивибратор на транзисторах с резистивной и емкостной коллекторно-базовыми связями, один из транзисторов которого включен в инверсном направлении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скважности генерируемых импульсов, последовательно с конденсатором емкостной связи включен диод, анод которого соединен с конденсатором, при этом регулирование скважности производится резистором, включенным параллельно диоду.