Датчик температуры
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ЗО2624
Сова Советских
Социапистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹,ЧПК С Olk 7/22
Заявлено 02.IV.1970 (№ 1419623/18-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 28.IV.1971. Бюллетень № 15
Дата опубликования описания 14Х1.1971
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 536.531(088.8) Авторы изобретения В. Ф. Карманов, А. В. Сандулова, А. И. Кривоносов, И. А. Кругликов, В. И. Слепов, Е. Л. Долгов, И. П. Богоявленская и И. И. Кривоносов
Опытно-экспериментальный школьный завод
Заявитель
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ
Изобретение относится к области приборостроения.
Датчики температуры, содержащие полупроводниковый термочувствительный элемент, известны. Одна ко такие устройства недостаточны точны, чувствительны, стабильны, надежны, а диапазон рабочих температур не очень высок.
Описываемое устройство отличается от известных тем, что в нем чувствительный элемент выполнен из антимонида алюминия. Это позволяет повысить чувствительность, точность, стабильность, надежность, линеаризовать температурную характеристику, расширить температурный диапазон, получить положительный и отрицательный температурные коэффициенты.
Посредством газотранспортных реакций выращиваются монокристаллы антимонида алюминия в виде игл и усов. Иглы получаются в сечении круглые, четырехгранные или шестигранные диаметром от 20 до 100 .ик, усы диаметром от 1 до 20 лк. Длина получаемых кристаллов колеблется от 3 до 15 .нм. Полученные кристаллы могут быть использованы в качестве термочувствительных элементов.
Из кристаллов, полученных по методу Чохральского, Гтепанова, при изготовлении термочувствительных элементов, необходимы операции резки, шлифовки, травления, при которых значительная часть исходного матcриала идет в отход. При изготовлении термочувствительных элементов из кристаллов, выращенных методом газотранспортных рсакций, надобность в этих операциях отпадасг.
Перед приваркой контактов кристаллы травятся в травителс CP-4, промызаются дп10 стиллированной водой, спиртом и сушатся.
Далее создание контактов к монокрпсталлам антимонида алюминия проводится методом импульсной приварки или методом кочденсаторной сварки в атмосфере аргона.
15 Поверхность получаемых кристаллов идеально гладкая и не нуждается в добавочной ооработке прп получении приборов.
Предмет изобретения
20 Датчик температуры, содержащий монокристаллический полупроводниковый тсрмочувствительный элемент с металлическими контактами, от.ияпюций ся тем, что, с целью повышения чувствительности, точности, ста25 бильности, надежности, расширения температурного диапазона, в нем термоч, BcTBèòåëüный элемент выполнен из и гпмоппда алюминия.
