Способ сборки полупроводниковых приборов

 

О П И С А Н И Е 302998

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сак?а Советских

Социалистических

Республик Ф"+"@"

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 13.11.1970 (№ 1401499/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01,Х.1971. Бюллетеш> № 29

Дата опубликоваш?я описания 18.1.1972

>ЧПК Н Oll 7 64

Комитет по делан и":îápåòåíèé и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382.001.2(088.8) Авторы изобретения В. М. Ермолаев, С. С. Богданов, В. В, Додонов, П. Н. Захаренко, А, А. Мельников и Л. В. Губырин

Заявитель

СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Известен способ сборки полупроводниковых приборов, по которому на тонкой металлической ленте вырубают выводы полупроводниковых приборов, соединенные один с другим общим основанием. К одному из выводов ??ри- 5 соединяют кристалл с р — n-переходом, после чего второй полюс кристалла с р — n-переходом соединяют путем термокомпрессии со вторым выводом.

Для этого способа характерны термоком- 10 пресспи, невозможность полной автоматизации операции, недостаточная надежность теро?окомнресспонного соединения, плохой отвод тепла со стороны термокомпрессионного соединения, довольно сложный профиль метал- 15 л??ческой ле??ты, на которой соб??ра?от д??оды.

Цель изобретения состоит в повышении механической прочности и надежности сборки, в упрощении процесса сборки, а также в получении одностороннего или разностороннего 20 направления выводов.

Предлагаемый способ отличается тем, что две одинаковые гребнеобразные металлическиее ленты располагают в специальной кассете таким образом, что концы зубьев — кри- 25 сталлодержателей оказываются один под другим. Поместив между концами зубьев кристаллы с р — n-переходом, прикрепляют выводы к омическим контактам кристаллов. После этого соединяют концы зубьев — лент через 30 кристалл с р — 11-переходом ультразвуковой свар?:.оЙ, пайкой ?? l?? эле?утро??аЙ? о??. Затем ??олученные диодные сборки герметизпруют платмассой и отделяют от ленты.

Одним пз вариантов описываемого способа является сборка групп кристаллов, например диодных матриц мостового типа, на двух одинаковых отрезка.;. гребнеобразной металлической ленты, на которой оформлеш>? группы из двух зубьев с соответству?ощпми контактнымии,площадками.

При присоединении кристаллов к контактным площадкам зубьев — выводов гребнеобраз ых отрезков ленты, псреворачиванпп одной из лент на 180 вокруг продольной осп и соединении контактных площадок обеи. лент с кристаллами получается собранная арматура дподной матрицы мостового типа, которую в дальнейшем герметизпруют и отделяют от ленты.

На фиг. 1 представлены возможные формы контактных площадок на концах зубьев гребнеобразпой металлической ленты; на фпг. 2— возможные профили гребнеобразной металлической ленты; на фиг. 3 — одностороннее и опозитивное расположение зубьев гребнеобразных металлических лент при сборке; на фпг. 4 — возможное расположение гребнеобразг?ой ленты прп производстве дподных мат302998

10 риц с разносторонним расположением выводов.

Концы 1 зубьев 2 гребнеобразной металлической ленты 3 могут быть выполнены в виде прямоугольника, квадрата, круга, треугольника, Г-образными в виде хоккейной клюшки или крючка (фиг. 1). На концах зубьев могут быть выштампованы фигурные выступы в форме уступа, П-образные (фиг.2).

Отрезки ленты (фиг. 3) могут располагаться в кассете зубьями в одну сторону или навстречу один другому в зависимости от расположения выводов диода.

При сборке диодных матриц на отрезках металлической ленты 4 (фиг. 4) оформляют группы выводов, один из которых имеет фор»у, например, хоккейной клюшки, а другой— крючка. Для фиксации отрезков ленты при сборке на ленте отформованы фиксирующие отверстия 5.

Перед сборкой на каждую ленту. напаивают по два кристалла в одинаковом положении.

На одну из лент кристаллы напаивают или на вывод в форме хоккейной клюшки, или на вывод в форме крючка.

На другую ленту кристаллы напаивают на конец кристаллодержателя в виде хоккейной клюшки и на основание кристаллодержателя в виде крючка или — в зависимости от способа распайки кристаллов на первую ленту— на основание кристаллодержателя в виде хоккейной клюшки и на конец крпсталлодержателя в виде крючка.

Присоединив кристаллы к двум отрезка» ленты в перечисленном порядке, одну из лент поворачивают на 180 вокруг поперечной ос« таким образом, чтобы при совмещении кристаллодержателей первой и второй лент все четыре кристалла оказались между выводами первой и второй лент и чтобы кристаллы первой ленты леглп на свободные места второй ленты и наоборот.

При описанном способе ориентирования металлических лент и соединения всех четырех кристаллов с соответствующими участками кристаллодержателей обеих лент получается диодная матрица с четырьмя выводами в одну сторону.

Если требуется, получить диодную матрицу с выводами B разные стороны, второй отрезок

50 ленты дополнительно поворачивают на 180 вокруг продольной оси и его контактные площадки кристаллодержателей совмещаются с кристаллодержателями первой ленты таким образом, чтобы все четыре кристалла оказались между выводами первой и второй лент.

Чтобы выводы диодной матрицы лежали в одной плоскости при разностороннем их расположении или, наоборот, между ними оставалось некоторое пространство при их одностороннем расположении, на концах групп зубьев-выводов в профильном сечении могут быть выштампованы уступы.

Предмет изобретения

1. Способ сборки полупроводниковых приборов, например, диодов и диодпых матриц, па отрезках металлической ленты, состоящий в получении на ленте фигурных выводов, присоединении к ним кристаллов с р — n-переходами, герметизации и отделении готового изделия от ленты, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и надежности сборки, две параллельные металлические ленты, имеющие впд гребенок, располагают одну относительно другой так, что проекции концов их зубьев взаимно или полностью попарно перекрываются, а в прижимном контакте»ежду ними помещают полупроводниковые кристаллы, прикрепляя их о»ические контакты к контактным площадкам зубьев двух лент.

2. Способ по п. 1, отличаю цийся тем, что, с целью упрощения процесса сборки диод ых матриц, кристаллы с р — п-переходами присоединяют к соответствующим местам пар зубьев, накладывают одну из лент на другую таким образом, чтобы кристаллы, присоединенные к паре зубьев одной ленты, попали на свободные места в паре зубьев другой ленты, после чего соединяют кристаллы вторыми омпческпмп контактами с протпволежащпмп выводами.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения одностороннего плп разностороннего направления выводов, зубья металлических лент располагают либо в одну сторону либо навстречу.

302998

Фиг.2 р ? .т

Составите,н Н. Островскап

Техред Л. Куклина

Корректоры Т. Гревцова и Л. Орлова

Редактор Б. Федотов

Заказ 3935, 4 Изд. М 1781 Тираж i 73 Подписное

ЦНИИПИ Комигета по дслага нзобрете ий и открв|тий прн Co"eте Министров СССР

Москва, Ж-35> Раун.скал наб., д. 4 5

Тиног1>аф1, l1p. С". liellOli;!, /

r, ",,".:-1 —,-1) (; 6

1

1

1 ! i 1 t

Способ сборки полупроводниковых приборов Способ сборки полупроводниковых приборов Способ сборки полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к масштабируемому интегрированному устройству обработки данных, в частности микрокомпьютеру

Изобретение относится к устройству хранения и обработки данных и способу его изготовления

Изобретение относится к области изготовления микромеханических приборов на твердом теле и может использоваться при групповой сборке микромеханических датчиков
Изобретение относится к технологии сборки фотоприемных устройств ИК-диапазона и кремниевой БИС считывания, где актуальной проблемой является получение надежного гальванического соединения элементов фотоприемной матрицы и матрицы считывания

Изобретение относится к технологии изготовления фотоприемников ИК-излучения на основе химически осажденного сульфида свинца с различным числом фоточувствительных элементов

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к полупроводниковой СВЧ электронике и может быть использовано при создании волноводных СВЧ модулей повышенной прочности и устойчивости к внешним воздействиям на основе монолитных интегральных схем (МИС)

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении электронных блоков
Наверх