Фантастронный полупроводниковый генератор

 

393719

Goes Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено ОЗ.Х.1969 (K 1364260/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опублвковано 13.Ч.1971. Бюллетень ¹ 16

Дата опубликования описания 26ХП.1971

МПК Н 03k 4/08

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

CGCP

УДК 621.373.431.2:621.

° 373.52 (088.8) Авторы изобретения

М. Г. Шерлис и П. А. Катков

Заявитель

ФАНТАСТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГЕНЕРАТОР

Изобретение относится к импульсной тех.нике и может быть использовано в качестве генератора линейно изменяющегося напряжения (ЛИН).

Известны фантастронные полупроводниковые генераторы, недостатками которых являются большая длительность обратного хода и недостаточная длительность прямого хода.

Цель изобретения — увеличение длительности прямого хода линейно изменяющегося напряжения и упрощение устройства.

Для этого сток дополнительно включенного полевого транзистора соединен с коллектором, а его исток — с базой транзистора, подключенного к эмиттеру выходного транзистора, коллектор которого через конденсатор соединен с затвором указанного полевого транзистора.

На чертеже приведена схема предложенного фантастронного генератора.

Фантастронный полупроводниковый генератор содержит четыре транзистора 1 — 4. причем транзистор 4 — полевой. Последний в сочетании с транзистором 1 образует составной триод, который включен так, что затвор полевого транзистора является входом усилителя постоянного тока, состоящего из транзисторов

V, 2, 4. Исток транзистора 4 под ключен к базе транзистора 1.

При включении полевого транзистора 4 в момент отпирания транзистора 2 на затворе транзистора 4 появляется положительное напряжение, которое передается через интегрирующий конденсатор 5. Положительное напряжение на затворе уменьшает ток истока.

При этом уменьшается ток базы транзистора

1 и, следовательно, ток коллектора транзистора 8. Напряжение на коллекторе транзистора

8 становится более отрицательным. Это напря10 жение через конденсатор б передается на базу транзистора 2. Последний отпирается еще больше, что приводит к росту положительного напряжения на затворе. При этом происходит заряд конденсатора б. Процесс протекает ла15 винообразно.

В момент времени, когда положительное напряжение на затворе достигает величины напряжения на стоке, прекращаются дальнейшее уменьшение тока истока и положительная

2о обратная связь. Транзистор 2 полностью открыт и насыщен, а транзистор 8 заперт. Интегрирующий конденсатор 5 разряжается через сопротивление 7. Процесс заряда стабилизируется отрицательной обратной связью в цепи: коллектор транзистора 2, затвор транзистора 4, база — коллектор транзистора 1, эмиттер транзистора 2.

Когда интегрирующий конденсатор 5 разряжается до величины напряжения, определяезо мого делителями напряжения 8 и 9, отпирает303719

Предмет изобретения

Составитель Н. Степанов

Редактор А. В. Корнеев Те род T. П. Курилко Корректор H. Рождественская

Заказ 259/951 Изд. № 718 Тираж 473 Подписи о

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушскан наб., д, 4/5

Тип, Харьк. фил. пред. «Патент» ся транзистор 8. Положительный перепад напряжения через конденсатор б передается на базу транзистора 2. Транзистор 2 начинает запираться. На затвор транзистора 4 передается отрицательный перепад напряжения, который увеличивает ток истока транзистора 4, базы транзистора 1 и приводит к еще большему отпиранию транзистора 8 и запиранию транзистора 2. Процесс протекает лавинообразно.

Транзистор 8 полностью отпирается, а транзистор 2 запирается. Интегрирующий конденсатор 5 заряжается до напряжения источника питания по цепи: источник питания, сопротивление 10, переход затвор — исток транзистора -1, переход база — эмиттер транзистора 1, земля.

Таким образом, схема возвращается в исходное состояние. Длительность обратного хода определяется временем разряда конденсатора 6 через выходное сопротивление коллектора цепи: транзистор 8, транзистор 1 и сопротивление 11.

Фантастронный полупроводниковый генератор, отлича ощийся тем, что, с целью увели1О чення длительности прямого хода линейно изменяющегося напряжения и упрощения устройства, сток дополнительно включенного полевого транзистора соединен с коллектором, а его исток с базой транзистора, подключен15 ного к эмиттеру выходного транзистора, коллектор которого через конденсатор соединен с затвором указанного полевого транзистора.