Мультивибратор

 

О П И С А Н И Е 306553

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

МПК Н 03k 3!282

Заявлено 03.1.1969 (J% 1293526/26-9) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет—

Опубликовано 11.Ч1.1971, Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 5ХП1.1971

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.373.52 (088.8) 1о =>.-. 31OGHAp :- 1- " - -::. .""И%И

Авторы изобретения

И. М. Жовтис и Л. В. Казачков

Заявитель

МУЛЬТИ ВИБРАТОР

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в устрсйствах автоматики и промышленной электроники.

Известен низкочастотный мультивибратор, генерирующий импульсы большой длительности, выполненный по симметричной схеме нз транзисторах одинакового типа проводимости, содержащий в каждой цели связи два дополнительных соединенных последовательно транзистора с противоположным транзисторам мультивибратора типом проводимости, включенных между базами ocHQBHblx транзисторов мультивибратора и отрицате,IbHblht полюсом источника питания, причем один из этих дополнительных транзисторов включен по схеме с общим эмиттером, а другой — по схеме с общим коллектором.

Недостаток известного мультпвнбратора состоит в низкой температурной стабильности длительности и периода генерируемых импульсов.

Цель изобретения — повышение температурной стабильности длительности и периода генерируемых импульсов.

Это достигается тем, что базы первых дополнительных транзисторов через времязадающие конденсаторы, а базы вторых дополнительных транзисторов через времязадающие резисторы подсоединены к общей шине, причем эмиттеры и базы первых дополнительных транзисторов соединены через диоды с коллекторами основных транзисторов противоположных плеч мультивибратора.

5 Принципиальная схема мультивибратора приводится на чертеже.

Мультивибратор выполнен по симметричной схеме на транзисторах 1 1I 2 р — и — р типа проводимости. B каждой его цепи связи по10 следовательно включены два дополHèòåëbíûh. транзистора 8, 4 и 5, 6 л — р — n типа проводимости, причем транзисторы 8 и 5 включены по схеме с общим коллектором. а транзисторы 4 и 6 — по схеме с общим эмиттером.

15 Базы транзисторов 8 и 5 через времязадающие конденсаторы 7 и 8 подсоединены к общей шине источника питания, базы транзисторов 4 и б через времязадающие резисторы

9 и 10 также — к общей шине источника питания. Диоды 11, 12 н 18, 14 соединяют эмиттер и базу транзистора 8 и эмиттер и базу транзистора 5 с коллектором транзистора 2 и коллектором транзистора 1 соответственно.

Заряд времязадающпх конденсаторов 7 и

8 производится базовым током соответствующих транзисторов 8 и 5. Конденсаторы заряжаются через базовые переходы транзисторов

8 и 5, коллекторно-эмиттерные переходы транзисторов 4 и 6 и источник питания. За

З0 счет этого время заряда конденсаторов, IT, 306553

Составитель Г. Челей

Редактор А. В. Корнеев Техред А. А. Камышникова Корректор T. А. Китаева

Заказ 281/1062 Изд. ¹ 783 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк фил. пред. «Патент» следовательно, длительность импульсов, генерируемых мультивибратором, увеличивается в Р раз, где 13 — коэффициент усиления транзистора 8 по току. Так как в процессе заряда конденсаторов зарядный ток уменьшается, необходима его стабилизация. В качестве стабилизирующих элементов применены транзисторы 4 и 6, включенные по схеме с общим эмиттером, токи базы которых стабилизированы высокоомным сопротивлением времязадающих резисторов 9 и 10 соответственно.

Транзисторы 8, 5 и 4, 6 выбираются однотипными с одинаковым и изменениями коэффициентов усиления по току в интервале рабочих температур. В этом случае при изменении температуры окружающей среды изменяются коэффициенты усиления транзисторов по току, а также коллекторные токи транзисторов 4 и

6, которые одновременно являются эмиттерными токами транзисторов 8 и 5, а базовые токи транзисторов 8 и 5 остаются неизменными.

Мультивибратор может работать в ждущем режиме. Тогда дополнительные транзисторы включают в одну цепь связи, а времязадающие кондепсатОр и резистор вкл1оча1от вышеописанным образом.

Предмет изобретения о Мультивибратор, генерирующий импульсы большой длительности, выполненный по симметричной схеме на р — n — р транзпсгорах, содержащий в каждой цепи связи два дополнительных включенных последовательно

10 n — р — n транзистора, подсоединенных между базами основных транзисторов мультивибратора и отрицательным пол1осом источника питания, при этом первый из нпх включен ПО схеме с общим кОллектором, а второй — 110 схеме с общим эмиттером, отлп«аюи1ийс«тем, что, с целью повышения температурной стабильности длительности и периода генерируемых импульсов, базы первых дополнительных транзисторов через времяза20 дающие конденсаторы, а базы вторых — через времязадающпе резисторы подсоединены к общей шине, причем эмиттеры и базы первых дополнителbíûх транзисторов соединены с коллекторами основных транзисторов про25 тивоположпых пле«мультивибратора.