Патент ссср 306591

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ

3065%

Союз Советския

Социалистккеския

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 12.XII.1970 (№ 1393914/26-25) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 11Л 1.1971. Бюллетень ¹ 19

Дата опубликования описания 21 VII.1971

МПК Н 05h 11/00

Комитет по делам изобретений и открмтий при Совете Министров

СССР

УДК 621.384.6(088.8) Авторы изобретения

Заявитель

В. М. Коляда и В. Г. Злоб

Всесоюзный научно-исследсвательски аналитического приборостроения

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОПЕРЕЧНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ

ПЛОТНОСТИ ПУЧКА ИОНОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к ускорительной и измерительной технике, в частности к способам измерения поперечного распределения плотности пучка заряженных частиц.

Известны способы измерения поперечного распределения плот11ости пучка заряженных частиц, например с помощью датчиков в виде параллельнь х проволочек в плоскости пли путем введения зондов в пучок. Однако при этих способах искажается пространственное распределение плотности пучка, а для измерения поперечного распределения плотности пучка диаметром 1 ля1 и меньше применение известных способов затруднительно из-за большого шага измерений 50 — 100 лтк.

Целью изобретения является повышение разреш ающей способности.

Для анализа пучка предложенным с,1особом облучают определенную грань монокристалла, количество распыленного вещества которого зависит только ог интенсивности падающего пучка заряженных частиц (при у .: овии моноэнергетичности и малой угловои расходимости пучка) .

Если перпендикулярно направлению падающего пучка заряженных частиц поставить хорошо От11олирова11н);0 грянь ъ10нокр1:. тя.!ля, то в результате катодного распыления поверхность монокристалла будет распыляться только на участке падения пучка, т. е. профиль распыленной области монокристалла соОтветств ет проф11лю пучка. А так как локальная интенсивность пучка связана со степенью распыления данного участка, то более интенсивным участкам пучка будет соответствовать большая глубина распыляемого слоя монокристалла.

Следователь о, глубина распыленного слоя монокр:1сталля в JBH.1ой области 32ВНсНТ

-.Оль. о от интенсивности падающего пучка в

10 этой области. Определ„в глубину распыленного слоя "=оп,ределенной то:ке, можно судить об интенсивности пучка в =-т.-ой же точке.

Глубину отдельных участков распыленной области мож!o определять с высокой точно15 сть1о с помощью пнтерференционных я икроскопов (11апр11мер, мик оскопа тип", Ч1П1-1), которые имеют разрешение Но глубине 0,01—

0,1 Л1К и по . . .Iоскости i — э л1к.

Способ измерения поперечного распределения плотности пучка ионов, основанный на катодном распыле1шп мишени, orëè÷àþèIèé25 ся те;:, что, с целью повышения разрешающей способ..ости, 11) чок ионов направляют на монокристяллическу1О и, аморфную мишень, измеря1от профиль ее распыления интерференционным методом и по глубш е отдельных

30 у-тастков распь1лснной области судят о ртспределении.

Патент ссср 306591 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано для получения пучков заряженных частиц или тормозного излучения с энергией от нескольких сотен КэВ до десятков МэВ и выше

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано при разработке бетатронов с выведенным электронным пучком, например, для целей лучевой терапии

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано для генерации электронных и ионных пучков наносекундной длительности с высокой частотой следования импульсов

Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для генерации электронных и ионных пучков наносекундной длительности с высокой частотой следования импульсов

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано для получения пучков заряженных частиц или тормозного излучения с энергией от нескольких сотен КэВ до 10 МэВ и выше

Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для генерации сильноточных электронных и ионных пучков наносекундной длительности с высокой частотой следования импульсов

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано как компактный ускоритель заряженных частиц коммерческого типа для формирования одиночных и многих, в том числе параллельных релятивистских пучков, включая такие, которые имеют разные энергии и состоят из зарядов разных знаков

Изобретение относится к ускорительной технике и предназначено для генерации электронных пучков с большой энергией для последующего использования энергии ускоренных электронов для целей интраоперационной лучевой терапии, промышленной дефектоскопии, радиационных испытаний стойкости материалов и т

Изобретение относится к области ускорительной техники и предназначено для генерации электронных пучков с большой энергией
Наверх