Балансный модулятор

 

308479

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23.VI.1969 (№ 1338478/26-9)

Ьй:с присоединением заявки №

МПК Н 03с 1/54

Приоритет

Опубликовано 01,VI I.1971. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания ЗО.IX.1971

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 538.567.4(088.8) Автор изобретения

П. П. Фомин

Заявитель

БАЛАНСНЫЙ МОДУЛЯТОР

Изобретение относится к области связи и может быть использовано, например, в радиопередатчиках или телемеханических устройствах.

Известны балансные модуляторы, выполненные по бестрансформаторной схеме, содержащие диодные мосты, диагонали односторонней проводимости которых подключены через резисторы к входным клеммам источника опорного напряжения.

Однако эти балансные модуляторы имеют недостаточно высокий к. п. д. и не позволяют использовать при их построении технологические приемы микроминиатюризации.

Предлагаемый модулятор отличается от известных тем, что в нем четыре диодных моста соединены между собой диагоналями двусторонней проводимости вторично по схеме моста, причем к одной из его диагоналей подсоединены входные клеммы источника напряжения сигнала, а к другой — выходные клеммы.

Это позволит повысить к.п.д. и обеспечить микроминиатюризацию балансного модулятора.

На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства.

Балансный модулятор содержит диодные мосты 1 — 4 и балластные резисторы 5.

На входные клеммы б и 7 подаются напряжения — опорное и от источника сигнала соответственно, а с выходных клемм 8 снимается модулированное напряжение.

Устройство работает следующим образом.

Если в первый полупериод опорного напряжения, подключенного к клеммам б, полярность его такова, что диоды мостов 1 и 8 заперты, а диоды мостов 2 и 4 открыты, то через последние замыкается цепь токопрохождения сигнала от источника, подключенного к клеммам 7, через нагрузку (на чертеже не показана), подключенную к клеммам 8.

Эквивалентное сопротивление диагонали двусторонней проводимости диодного моста

15 равно прямому сопротивлению одного диода, если выполняется условие, при котором мгновенное значение тока через диодный мост в направлении диагонали односторонней проводимости не менее величины тока, протекаю20 щего в цепи диагонали двусторонней проводимости. Это условие соблюдается соответствующим выбором соотношения между сопротивлением нагрузки и балластными резисторами 5.

25 Во второй полупериод опорного напряжения наоборот диодные мосты 2 и 4 закрываются, а мосты 1 и 8 открываются, и через нагрузку от источника сигнала через клеммы

7 ток протекает в обратном направлении.

30 Таким образом, на выходных клеммах 8