Переключатель на транзисторе

 

О П И С А Н И Е 31I394

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСИОМУ СЕИДЕТРЯЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Респ»блик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено ОЗ.VI I.1968 (№ 1252761/26-9) 11ПЬ; Н 03k 4 82 с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 09.V111.1971. Бюллетень ¹ 24 УДК 621.374.3(088.8)

Дата опубликования описания 04.1.1972

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

М. Б. Позин

Заявитель

ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ НА ТРАИЗИСТОРЕ

Изобретение относится к импульс::.ой технике и может быть использовано в радиотехнических и электронных устройствах.

Известны аналогичные устройсгва, работающие .в ключевом режиме, в которых запирающее напряжение подают на участок база-эмиттер транзистора через сопротивление, вкл1оченное последовательно с участком база-зми.тер транзистора и источником запирающего напряжения. При этом как в течение времени нахождения транзистора в открыто.;I состоянии, так и в течении временн нахождения его в закрытом состоянии, величину этого сопротивления не меняют.

Однако в таких устройствах при работе транзистора в широком диапазоне переключаемых токов увеличивается потребление мощности от источника входного сигнала и снижается коэффициент передачи IIQ мощности. Это объясняется тем, что сопротивление, через кото рое подается запирающее напря>кение, подключено параллельно источнику входного сигнала. Оно имеет относительно малую величину, чтобы падение напряжения на нем зя счет обратных токов коллекторного и эмиттсрного переходов при нахождении пранзистора в за,крытом состоянии не превышало бы запизяющего напряжения. Эта достаточно малая величина сопротивления вызывает существенные потери на нем. В устройствах с обратной связью, где мощ:IocTb входного сигнала берется из коллекторной цепи, ".IIIæенце коэффициента передачи транзистора Io мощности в ряде случаев вообще делает работу устройства невозможной.

Целью изобретения является увеличение коэффициента передачи по мощности, Достигается это тем, что источник запирающего напряжечия подключен к участку база-эмиттер трянзи=ò."îðà через в:помогательный транзистор, база которого подключена к коллектору основного транзистора через сопротивление и нелинейный элемент, няприхтер стабнлитрон.

16 На фиг. 1 приведен 33рафпк, поясняющий работу предлагаемого устройстза; на фиг. 2— его принциппаль:-.ая схема; на фиг. 3 — схема ана lo.-ичного устройства, в котором источник запирающего напря>кения вкл|очен не в базовую цепь, а в эмнттерную.

Устройство раоотает следующим образом.

В течение време-III H;I oæäe>Ièÿ транзистора в открытом состоянии (время кение на базу пранзистора, увеличивают (участок кривой 1) до такой величины, чтооы потери мощности на этом элементе от источника входного сигнала были незначительными, В течение, времени нахождения транз:IcToра B закрытом состоянии

311394

Фив. 1

Составитель Н. Герасимова

Редактор Д. Пинчук

Техред Л. Левина

Корректор Л. Орлова

Фи 3 (время !2) величину сопротивления г этого элемента уменьшают (участок кривой 2) до такой величины, чтооы падение !!апря>кени!! на нем за счет обратных токов коллекторного и эмиттерного переходов не п ревышало по величине зе! пи!рающее нап ряжение, Для этого <а базу транзистора,3 напряжение от источника запирающего напряжения 4 пода!от через вспомогательный трианзистор 5, сопротивление участка коллектор-эмиттер которого изменя!от тем, что на его базу подают напряжение с коллектора транзисто!ра 8 через стабилитрон б и соп ротивле:!ие 7. В течение !! реме!!и нахождения транзистора 8 в открытом состоянии вспомогательный транзистор 5 закрыт и его сопрот!!Вление велико. Тз!к КаК на ко.!Лекторp. открытого транзистора 3 имеется остато !пзе напряжение, то для надежного запирания вспомогательного транзистора 5 целесообразно включение стабилитрона 6, прек раща!ощего базовый ток IIIIpH напряжениях на нем, существенно меньших опорного. При малых остаточных напряжениях транзистора 8 стабилитрон можно не включать, а подавать напряжение с коллектора транзистора 8 на базу вспомогательного транзисто ра 5 через сопротивление, Вместо стабилитрона 6 могут быть использованы также один или несколько последовательно соединенных полупроводниковых диодов, включенных в прямом направлении, так как вольтам!перная ха рактеристика диода в прямом направлении подобна характеристике стабилитрона с опорным напряжением порядка нескольких десятых долей вольта.

В течение времени нахождения транзистора 3 в закрытом состоянии вспомогательный транзистор 5 отк рыт и его сопротивление мало. Напряжение стабилизации стабилитрона б выбн!рается меньше минимального коллекторного на!потяжения закрытого транзистора 3.

Мощность, на которую выбирается вспомогательный транзистор 5, ничтожна IIo сравнеИ нию с мощностью транзистора 8, так как вспомогательный транзистор в открытом состоянии должен пропускать обратные токи транзистора 8, в сотни и тысячи !раз меньшие его прямых токов. Потребл-ние тока через стабилитрон б и сопротивление 7 из коллекторной цепи тра нзистора 8 при этом в В раз меньше суммы обратны; токов !коллектор гого и эмитте!рного переходов транзистора 8 в закрытом состоянии, где  — коэффициент усиления вспомогательного транзистора 5 по току.

Предмет изобретения

Пе!реключатель на транзисторе, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента передачи по мощности, источник запирающего напряжения подключен к участку база-эмиттер транзистора через вспомогательный транзистор, база которого подключена к коллектору основного транзистора через сопротивление и нелинейный элемент, например стабилитрон.

Заказ 388/!368 Изд. ¹" 1095 Тираж 473

Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Тип, Харьк. Фил. пред, <<Патент»,