Способ автоматического управления процессом получения чистых материалов

 

334997

О П И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 25. т/111,1969 (№ 1358655/22-1) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано .11 1Ч.!972. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 12.V.1972

М. Кл. В Olj 17/32

Комитет пп делам изобретевий и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 669.782.094.1/2 (088.8) Авторы изобретения

С. И. Гашенко, Б. Д. Девяткин, А. Г. Петрик, Ю. С. Дементьев, И. М. Тимченко и Г. Г, Сазонов

Заявитель

СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ

ПОЛУЧЕНИЯ ЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к способам полупроводникового производства и может быть использовано при получении поликристаллического кремния.

Известен способ автоматического управления процессом получения чистых материалов из газовой фазы с осаждением на твердую подлонкк, t tto I310U1HII автоматический 110НсК и поддержание оптимальных значений входных параметров.

Однако в таком способе исключен важный параметр — давление газовой фазы в объеме реактора, что существенно затрудняет оптимальное управление процессом реакционной зоны.

Целью изобретения является увеличение скорости осаждения, например, поликристаллического кремния на твердую подложку.

Для этого по предложенному способу поиск экстремума производят с учетом давления газовой фазы в реакторе.

На чертеже приведена структура системы автоматического управления для реализации предложенного способа управления.

Избыточное давление газовой фазы в реакторе 1 измеряется с помощью датчика 2, выходной сигнал которого подается в вычислительное устройство 8. Используя информацию о состоянии других переменных технологического процесса, вычислительное устройство формирует задание для корректирующего устройства 4, которое через исполнительный механизм 5 поддерживает заданное оптимальное

10 давление в реакторе.

15 Способ автоматического управления процессом получения чистых материалов из газовой фазы с осаждением на твердую подложку, включающий автоматический поиск и поддержание оптимальных значений входных па20 раметров, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости осаждения материала, измеряют давление в газовой фазе, определяют экстремум давления газовой фазы и регулируют давление в реакционной зоне.

334997

Ларог смесь

Составитель Н. Абросимов

Редактор Е. Братчикова Техред Т. Ускова Корректор А. Васильева

Заказ 1402/7 Изд. № 596 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ автоматического управления процессом получения чистых материалов Способ автоматического управления процессом получения чистых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии кремния и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния
Изобретение относится к электротермическому получению кремния в рудно-термических печах

Изобретение относится к электротермическому производству технического кремния

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов

Изобретение относится к области металлургии

Изобретение относится к подготовке шихтовых материалов и производству кремния в электротермических печах, который может быть использован в полупроводниковой технике

Изобретение относится к области получения высокочистых веществ и касается разработки способа получения высокочистого моноизотопного кремния Si28, который может быть использован в микроэлектронике

Изобретение относится к цветной металлургии, в частности, к карботермическому методу получения кремния для фотоэлектронной промышленности, в том числе для изготовления солнечных батарей
Наверх