Запоминающая электролюминесцентая панель

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬ СТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

4Ъ4ь, Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14.IX.1970 (№ 1474721i18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07Х1!.1972. Бюллетень № 21

М. Кл. G 06k 15/18

Номитет по делам изобретеиий и открытий при Совете отииистрое

СССР

УДК 681,142.07(088.8) Дата опубликования описания 21 VII 1972

Авторы изобретения

И. Н. Орлов и Н. И. Таборко

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТАЯ ПАНЕЛЬ

Изобретение относится к области оптоэлектроники, в частности к твердотельным электролюминесцентным преобразователям изображения бистабильного действия с неограниченным временем запоминания оптических сигналов.

Известны запоминающие электролюминесцентные панели, содержащие стеклянную подложку и последовательно расположенные один из сплошных прозрачных электродов, слой сублимированного электролюминофора, две проводящие мозаики и слой фотопроводпика с друтим сплошным прозрачным электродом.

Предлагаемая запоминающая панель отличается от известных тем, что в нее введен запоминающий элемент, выполненный в виде тонкопленочного слоя, например, из халькогенидного стекла с S-образной вольт-амперной характеристикой, расположенный между проводящими мозаиками.

Это повышает разрешающую способность панели.

На фиг. 1 показана предлагаемая панель; на фиг. 2 — эквивалентная схема каждого элемента панели; на фиг. 3 дана вольт-амперная характеристика запоминающего слоя.

На стеклянной подложке 1 со сплошным прозрачным электродом 2 формирует тонкую пленку 8 сублиматфосфора, способного возбуждаться напряжением постоянного тока. На ней распылением в вакууме через маску или методом фотопечати изготавливают первый мозаичный металлический электрод 4 для формирования элементарных халькогенидных диодов. Затем термическим распылением в вакууме наносят тонкую пленку 5 халькогенидного стекла, на которой изготавливают второй мозаичный металлический электрод 4, совмещенный с первым. На пленку 5 наносят пленку б фотопроводникового материала и второй

10 сплошной прозрачный электрод 2. Все рабочие слои панели защищают от воздействия атмосферной влаги слоем 7 прозрачного герметика, например стеклом, органическими полимерами, полимерными пленками. Рабочее напряжение

1S прикладывают между сплошными прозрачными электродами.

Если величину рабочего постоянного напряжения U»q выбрать несколько большей на20 пряжения срыва U,ð в халькогенидном диоде, а суммарное сопротивление Rq» фотопроводникового элемента в темноте R

2S прямой 8, то в отсутствии светового сигнала состояние системы соответствует точке А характеризующейся малым током в цепи. Электролюминесцентный элемент в ТВКНх условия . может обладать лишь слабым «фоновыот» све30 чением.

344475

Составитель А. Елкин

Техред T. Ускова

Корректор Т. Бабакина

Редактор Т. Рыбалова

Заказ 2268/ll7 Изд. № 985 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Ргушская наб., д„4/5

Типография. пв. Сапунова, 2

8 момент подачи светового сигнала на фотопроводник сопротивление последнего уменьшается, нагрузочная характеристика соотвегствует прямой 9, и элемент панели переходит в состояние Б. Электролюминофор ярко вспыхивает, После прекращения светового сигнала фотопроводник возвращается в темповое состояние, но элемент панели остается в состоянии В, характеризующемся большим током в цепи, и, следовательно, достаточно ярким свечением электролюминофора. Это состояние продолжается до тех пор, пока на какое-то мгновение не будет снято рабочее напряжение (быстродействие халькогенидного диода «без памяти» менее 100 лк/сек).

Предмет изобретения

Запоминающая электролюминесцентная панель, содержащая стеклянную подложку и последовательно расположенные один из сплошных прозрачных электродов, слой сублимированного электролюминофора, две проводящие мозаики, слой фотопроводника с другим сплошным прозрачным электродом, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности панели, в нее введен запоминающий элемент, выполненный в виде тонкопленочного слоя, например, из халькогенидного стекла с S-образной вольт-амперной характеристикой, расположенный между проводящими мозаиками,