Токостабилизирующий двухполюсник
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 10.Ч11.1970 (№ 1466368, 26-9) с присоединением заявки №
Приоргитет
Опубликовано 21.1Х.1972. В!оплетен! Ч 28
Дата опубликования описания 20.Х.1972
M. Кл. Н 02m 5, 00
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете тлинистров
СССР ттДК 621.316.722.1(088.8) Авторы изобретения
А. А. Лукашев, П. H. Димитраки, Ч. Г. Мовиляну, В. А. Ильин и С. Н. Димитраки
Всесоюзный научно-исследоьательский институт по разработке неразрушающих методов и средств контроля качества материалов
Заяикгель
| . <<
1 т
1; 1 ОКОСТАБИЛ ИЗИРУЮЩИЙ ДВУХПОЛЮСНИК
Предмет изобретения
Изобретение относится к источникам 1»IIaния радиоэлектронной аппаратуры.
Известен токостабилизирующий двухпол!Осник, выполненный в виде регенератнвного ключа на двух транзисторах разного г;!па проводимости с резисторами обратной связи в эмиттерных цепях.
Недостатком известного двухполюсни n является малый коэффициент стабилизации.
В предложенном двухполюснике коэффициент стабилизации повышен благодаря то Iy, что в коллекторную цепь каждого транзнс1ора включены последовательно сосд!гнс1щыс делитель напряжения на двух резисторах и коллекторно-эмиттсрный переход дополнительного транзистора противоположной проводимости, причем база транзистора соединена со средней точкой делителя напряжс!! 1я.
На чертеже показана принципиальная схема токостабилизирующсго двухполюсника.
Двухполюсник содержит транзисторы 1 — -1, два делителя напряжения на резисторах 5, 6 и 7, 8, резисторы обратной связи 9 и 10, Если соотношение величин резисторов 5, 6 и 7, 8 оптимальное, то положение рабочих точек транзисторов 3 и 4 жестко стабнлизнровано, и при изменении приложенного на ря5 ження от 1,5 до 40 в коэффициент нестабильности составляет не более 2о1о.
Токостабилизирующий двухполюсник, в:,1полненный в виде рсгенсративного ключа на двух транзисторах разного типа провод!!мости с резисторами обратной связи в эмн!.горных
15 цепях, отличаютцийся тем, что, с цел!ио повышения коэффициента сгабнлнзацнн, в к»,1лекторную цепь каждого транзистора 1тк.!!о I! III l последов,lтельно соединенныс дс »! Гс л ь напряжения на двуx резисторах и коллскгзp20 но-эмиттерный переход дополнительного тр 1нзистора противоположного типа пров )димости, причем база транзистора соедин! lll co средней точкой делителя напряжения.
