Способ определения резонапсных частот
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
N АВТОРСКОМУ СВИДЕТНЗЬСТВУ
354360
Союз Советских
Яоgиалистиsескиg
Реслублик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 26.ХII.1969 (№ 1388609/26-25) М. Кл. G 01г 23/00 с нрисоедипснием заявки ¹
Ксйитет ло делает изобретений и открытий ори Совете Мииистрсв
СССР
Приоритет
Опубликовано 09.Х.1972. Бюллетень ¹ 30
Дата опубликования описания 15.XI,1972
УДК 621.372.412/414 (088.8) Авторы изобретения
В. Д. Козлов, Б. Л. Перельман и В. М. Придорогии
Заявитель
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕЗОНАНСНЫХ ЧАСТОТ
МЕХАНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ КОНСТРУКЦИИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Изобретение относится к способам измерения эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов.
Известен способ, основанный на фиксации частот возрастания уровня переменного электрического напряжения на испытуемом полупроводниковом приборе, подвергаемом вибрации плавно меняющейся частоты. Однако при этом возникает необходимость использования специальных высокочувствительных усилителей с низким и собственными шумами.
Целью настоящего изобретения является разработка способа определения резонансных частот механических колебаний элементов конструкции полупроводниковых приборов, который не требовал бы вскрытия корпуса прибора и позволил бы уменьшить трудоемкость процесса измерения, повысить их достоверность и снизить требования и измерительной аппаратуре по чувствительности, помехозащищенности и уровню собственных шумов. Для этого определение резонансных частот производится по уровню переменного электрического напряжения на полупроводниковом приборе, подвергаемом одновременному воздействию вибрации и внешнего постоянного магнитного поля.
Способ основан на явлении электромагнитной индукции.
При вибрации полупроводникового прибора в постоянном магнитном поле отрезки проводников, соединяющих кристалл с внешней электрической цепью, пересекают магнитные силоs вые линии, поэтому в этих проводниках будет возникать э.д.с. электромагнитной индукции частоты, равной частоте вибрации.
При резонансе механических колебаний какого-либо элемента конструкции полупровод10 пикового,прибора в связи с резким увеличением амплитуды вибрации этого элемента возрастает и амплитуда э.д.с. электромагнитной индукции. Следовательно, резонансные частоты механических колебаний элементов
15 конструкции полупроводниковых приборов могут определяться путем измерения уровня переменного электрического напряжения на полупроводниковом приборе, помещенном в постоянное магнитное поле и подвергаемом ввб20 рации с плавно меняющейся частотой.
Использование описываемого способа позволяет определять резонансные частоты механических колебаний полупроводниковых приборов без вскрытия их корпуса и в то же время не требует большой трудоемкости, позволяет повысить достоверность результатов измерений и уменьшить требования к измерительной аппаратуре по чувствительности, собственным шумам и помехозащищенности.
354360
Составитель В. Громов
Техред Л. Куклина
Корректор E. Усова
Редактор E. Гончар
Заказ 3755/17 Изд. Мо 1505 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
0пределение резонансных частот производится следующим образом.
Испытуемый полупроводниковый прибор подключается к электричеакой схеме, осуществляющей индикацию уровня переменного электрического напряжения на приборе. Далее, прибор подвергают воздействию вибрации и внешнего постоянного магнитного поля достаточно большой напряженности (100—
1000 эрст)1. Направление магнитного поля устанавливают по возможности таким, чтобы внутренние выводы (их резонансные частоты представляют наибольший интерес) при вибрации пересекали магнитные силовые линии под углом близким к 90 . При плавном изменении частоты вибрации фиксируют частоты, на которых амплитуда переменного напряжения на приборе резко возрастает. Это частоты являются резонансными для каких-либо элементов конструкции и испытуемого полупроводникового прибора.
Предмет изобретен и я
Способ определения резон ансных частот механических колебаний элементов конструкции полупроводниковых приборов, при воздействии вибрации изменяющейся частоты, отли10 чающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости процесса измерения и уменьшения требований к измерительной аппаратуре по чувствительности и по шумам, .полупроводниковый прибор помещают в магнитное поле, 15 подключают к индикатору уровня переменного электрического напряжения и по его максимальной амплитуде фиксируют резонансные частоты.
