Бестрансформаторный низкой частоты

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОЫРЕТ ЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ЗЫ725

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 10.11!.1971 (№ 1635256 26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 16.Х.1972. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 31.Х.1972

М. Кл. Н 031 1/30

Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров

СССР

Ъ ДК 621.375.4(088.8) Автор изобретения

А. А. Воронцов

Бердский радиозавод

Заявитель

ДВУХТАКТН Ы Й БЕСТРАН СФОРМАТОР НЫ Й УСИЛ ИТЕЛ Ъ

НИЗКОЙ ЧАСТОТЪ|

Усилитель может быть использован, напр мер, в радиовещательных и телевизионных приемниках, переговорных устройствах и т.,п.

Известны двухтактные бестрансформаторные усилители низкой частоты на транзисторах разной проводимости с общим коллектором, в l

Предлагаемый усилитель по сравнению с известными имеет улучшенные температурные характеристики и особенно перспективно для усилителей в интегральном исполнении. Он отличается тем, что коллектор термокомп HcHрующего транзистора соединен с его базой через последовательно включенные резистор и диод, а с эмиттсром — через резистор, подкл1оченный между базами транзисторов выходного каскада.

На чертеже изображена схема оконечного каскада бестрансформаторного усилителя.

Штриховыми линиями выделена часть схемы, предназначенная для термокомпенсации.

Она состоит из транзистора 1, резистора 2, диода 3 и резистора 4.

Напряжение смещения, приложенное между базами транзисторов усилителя, зависит от токов, протекающих через транзистор 1 и резистор 4. Ввиду температурной зависимости контактной разности потенциалов диода 8 и базово-эмпттерного перехода транзистора 1 ток базы и, следовательно, ток коллектора

5 этого транзистора изменяются при изменении температуры, Подбором сопротивлений резисторов 2 и 4 можно изменять величину термокомпснсацпи. Чтобы получить большее напряжение смещс1шя, последовательно с диодом т

10 можно включить дополнительно один или,несколько диодов.

П редмст изобретения

Двухтактньш бестрансформаторный усилитель низкой частоты на транзисторах разной проводимости, включенных по схеме с общим коллектором, содержащий транзистор в каче20 ствс элемента тсрмокомпснсацпи, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения надежности, коллектор термокомпенсирующего транзистора соединен с его базой через включенныс последовательно резистор и диод, а с

25 эмиттером — через резистор, подключенный между базами транзисторов,выходного каскада.

355725

I з

Г ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! !

Составитель В. Широкой

Тех ред А. Ка мы шни кова

Редактор Б. Федотов

Корректор Е. Усова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 3654/3 Изд. № 1495 Тираж 406 Подписное

Ц1-(И1ЛПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5