Динод прострелбного типа

 

356717

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 11.1,1971 (№ 1609887/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 23.Х.1972. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 27.XI.1972

M. Кл. Н Olj 4 3,/22

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.385.832.535

+088.8 )

Авторы изобретения Л. Ф,. Афонина, О. Б. Воробьева, А. И. Климин и Г. Б. Стучинский

Заявитель

ДИНОД ПРОСТРЕЛЬНОГО ТИПА

Изобретение относится к конструктивному выполнению вторично-электронных пленочных эмиттеров, в частности, к конструктивному выполнению эмиттеров, работающих на прострел.

Известны диноды прострельного типа, обладающие вторичной электронной эмиссией, не зависящей от электрического поля, которые содержат тонкие плотные слои диэлектриков, например КС1, Mgo, расположенные на тонкой поддерживающей пленке, причем, пленка может быть укреплена на мелкострукторной сетке.

Недостаток известных динодов прострельного типа состоит в том, что они обладают относительно низкими значениями коэффициента вторично-электронной эмиссии при достаточно высоких энергиях первичных электронов (Ер — — 4 — -5 кэв) .

Отличие предлагаемого динода состоит в том, что слой, эмиттирующий электроны, выполнен из соединения сурьмы с щелочными элементами, количество которых не менее двух. Предлагаемый динод обладает повышенным коэффициентом вторичной электронной эмиссии (к.в.э.э.) при сниженной зависимости его от величины приложенного электрического поля, На чертеже изображен динод прострельного типа предложенной конструкции.

Динод содержит мелкоструктурную сетку 1, расположенную на сетке алюминиевую пленку 2, фоточувствительный слой 8.

В одном из вариантов эмиттер изготавливается следующим образом.

Слой сурьмы напыляют на тонкую алюми10 ниевую пленку 2, поддерживаемую мелкоструктурной сеткой 1. Прозрачность алюминиевых подложек составляет примерно 80 — 85%.

Слой сурьмы напыляют до потери прозрачности на 30 — 35%. Обработку слоя в парах

15 щелочных металлов проводят в режимах, обычных для изготовления фотокатодов

КзСзЬЬ, до получения максимального фототока, Возможны другие варианты выполнения подложки и разная толщина напыленных

20 слоев.

Проведенные исследования сурьмяно-калиево-цезистых слоев показывают, что такой эмиттер обладает наиболее высокими из известных до сих пор в литературе значениями

25 о при небольших Е„(при 1,5 кэв и выше).

Полученный эмиттер имеет максимальный к.в.э.э. на прострел о =18 при Е„=2,5 кэв.

Наряду с динодами, содержащими слои

K>CsSb, высокими значениями к.в.э.э. на про30 стрел обладают, как показывают исследоваi35673 7

Составитель И. Еремина

Текред T. Ускова

Редактор Н. Коляда

Корректор Е, Миронова

Заказ 3844 6 Изд. № 1605 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Ж,-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапупова, 2 ния, также диноды, содержащие слои других сложных соединений сурьмы с двумя или более щелочными металлами.

Предмет изобретения Динод прострельного типа, содержащий подложку и слой, эмиттирующий электроны, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента вторичной электронной эмиссии и снижения зависимости его от величины приложенного электрического поля, слой, 5 эмиттирующий электроны, выполнен из соединения сурьмы с щелочными элементами, количество которых не менее двух.

Динод прострелбного типа Динод прострелбного типа 

 

Наверх